摘要 Picosun R-200 系列原子層沉積系統(tǒng)是一款多功能的原子層沉積平臺，是用于研發(fā)的理想選擇，適用于 IC 器件、MEMS 器件、顯示器、LED、激光器以及透鏡、光學部件、珠寶、硬幣、醫(yī)療植入物等 3D 部件的研發(fā)。

摘要 PICOSUN® R-200 標準 ALD 系統(tǒng)適用于數(shù)十種應用的研發(fā)，例如 IC 組件、MEMS 設(shè)備、顯示器、LED、激光器和 3D 對象，例如透鏡、光學器件、珠寶、硬幣和醫(yī)療植入物。

摘要PICOSUN™ P-300 系統(tǒng)擁有的熱壁、獨立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計，確保可以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學和光學性能的高質(zhì)量 ALD 薄膜。高效緊湊的設(shè)計使得維護更加方便、快捷，大限度減少系統(tǒng)的維護停工期和使用成本。擁有技術(shù)的 Pi...

摘要 金屬有機物前驅(qū)體和反應氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應，形成原子級精度（厚度和原子排布）的薄膜。

摘要“世界上沒有一個ALD公司能擁有像Picosun那樣的資質(zhì)。” Picosun的研究歷史和背景始于原子層沉積領(lǐng)域研究起步時期。ALD原子層沉積系統(tǒng)是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬蘭發(fā)明的，他現(xiàn)在是Picosun董事會成員之一。Picosun的創(chuàng)...

摘要 金屬有機物前驅(qū)體和反應氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應，形成原子級精度（厚度和原子排布）的薄膜。

摘要PICOSUN™ P-300 系統(tǒng)擁有的熱壁、獨立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計，確保可以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學和光學性能的高質(zhì)量 ALD 薄膜。高效緊湊的設(shè)計使得維護更加方便、快捷，大限度減少系統(tǒng)的維護停工期和使用成本。擁有技術(shù)的 Pi...

摘要 PICOSUN® R-200 標準 ALD 系統(tǒng)適用于數(shù)十種應用的研發(fā)，例如 IC 組件、MEMS 設(shè)備、顯示器、LED、激光器和 3D 對象，例如透鏡、光學器件、珠寶、硬幣和醫(yī)療植入物。

摘要 Picosun R-200 系列原子層沉積系統(tǒng)是一款多功能的原子層沉積平臺，是用于研發(fā)的理想選擇，適用于 IC 器件、MEMS 器件、顯示器、LED、激光器以及透鏡、光學部件、珠寶、硬幣、醫(yī)療植入物等 3D 部件的研發(fā)。

摘要 設(shè)備規(guī)格工藝溫度：溫度范圍：RT~500°C（可定制）前驅(qū)體路數(shù)：支持6路前驅(qū)體氣路（可定制)

摘要 設(shè)備規(guī)格工藝溫度：溫度范圍：RT~500°C（可定制）前驅(qū)體路數(shù)：支持6路前驅(qū)體氣路（可定制)

摘要 詳細內(nèi)容ALD-02原子層沉積系統(tǒng)ALD產(chǎn)品特點產(chǎn)品參數(shù)產(chǎn)品介紹TheAdvancedALDsystemisaviscousflow-typereactorforultrathinfilmdeposition

摘要 美Nano-master ALD/PEALD原子層沉積：NLD-4000 獨立式ALD系統(tǒng)NLD-3500 緊湊型獨立式ALD系統(tǒng)NLD-3000 臺式ALD系統(tǒng)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD系芬蘭picosun公司R-200standard原子層沉積技術(shù),具有的熱壁設(shè)計和單獨的入口，可實現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料

摘要 等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)采用更大的腔室和等離子ALD模塊,獲得更好的原子層沉積效果

摘要 詳細介紹等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)（PEALD)等離子體增強原子層沉積（PlasmaEnhanceAtomicLayerDeposition

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD系芬蘭picosun公司R-200standard原子層沉積技術(shù),具有的熱壁設(shè)計和單獨的入口，可實現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料

摘要 等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)采用更大的腔室和等離子ALD模塊,獲得更好的原子層沉積效果

摘要 產(chǎn)品概要： 美國埃米Angstrom Dep III原子層沉積系統(tǒng)，包括：傳統(tǒng)的熱原子層沉積系統(tǒng)(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(tǒng)(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(tǒng)(Power-ALD)。

摘要 芬蘭PICOSUN公司是ALD技術(shù)發(fā)明人TuomoSuntola創(chuàng)立的，與Picosun專家隊伍被稱為ALD的

摘要 粉末原子層沉積系統(tǒng)ALD美國ALDNANOSOLUTIONS公司技術(shù)，專注于粉末顆粒表面鍍膜

摘要 原子層沉積（ALD）是在3D結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法

摘要 主要特點/MAINFEATURE主要特點/MAINFEATURE●樣品類型：粉體樣品

摘要 原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。

摘要 ALD可實現(xiàn)從傳統(tǒng)的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結(jié)構(gòu)和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學性質(zhì)的三維復雜納米結(jié)構(gòu)。

摘要 原子層沉積系統(tǒng)，包括：傳統(tǒng)的熱原子層沉積系統(tǒng)（TALD）、等離子增強原子層沉積系統(tǒng)（PEALD）、粉末樣品的原子層沉積系統(tǒng)（Power-ALD）。

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ALD P-1000 Pro ）

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ALD P-300 BV）

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ ALD P-200 Pro）

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ALD P-300 Advanced）

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ALD R-200 Advanced）

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ ALD R-200 Standard）

摘要產(chǎn)品描述：等離子體增強原子層沉積系統(tǒng) ...

摘要原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。應用領(lǐng)域原...

摘要 在界定的劑量體積下精確引物加樣

摘要原子層沉積系統(tǒng)SAL1000G是一款包含手套箱小型桌面ALD原子層沉積系統(tǒng)，具有良好的均勻性及*的階梯覆蓋性能，使用戶能夠控制每個原子層的沉積。通過手套箱，可在惰性氣體環(huán)境下進行操作，并且可以防止吸入納米級顆粒。該設(shè)備是小型且經(jīng)濟實惠的型號，與主機和控制電源相結(jié)合，追...

摘要 桌面型原子層沉積系統(tǒng)

摘要 SAL-3000 ALD原子層沉積系統(tǒng)SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設(shè)備，該設(shè)備最多可搭載6路前驅(qū)體，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的鍍膜。

摘要PICOSUN擁有30多年在芬蘭ALD反應器制造而得到的專業(yè)技術(shù)。Tuomo Suntola博士，于1974年發(fā)明了ALD技術(shù)，是PICOSUN董事會的成員。我們的技術(shù)官SVEN LINDFORS從1975年開始連續(xù)的設(shè)計ALD系統(tǒng)。綜合起來講，PICOSUN擁有了2...