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造一臺光刻機(jī)竟要挑戰(zhàn)極限？之芯片的由來2024/08/04: 造一臺光刻機(jī)竟要挑戰(zhàn)極限？在通訊和網(wǎng)絡(luò)相關(guān)領(lǐng)域中，芯片起著至關(guān)重要的作用。由于的原因，大眾對于芯片制造行業(yè)越來越關(guān)注。我們常說的芯片也就是集成電路，是指通過一系列特定平面制造工藝將各種元器件“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上，并封裝在一個(gè)保護(hù)外殼內(nèi)，這種復(fù)雜的電子系統(tǒng)能執(zhí)行特定功能。而縱觀整個(gè)芯片制造流程，其中最復(fù)雜也是的莫過于光刻機(jī)。為什么是7nm“10nm”“7nm”“5nm”這些詞大家想必都不陌生。2018年，中微半導(dǎo)體成功研制7nm的刻蝕機(jī)，這是國產(chǎn)造芯的一大進(jìn)步。（但是成功研制刻蝕機(jī)并不代表

半導(dǎo)體設(shè)備系列-涂膠/顯影設(shè)備原理2024/08/01: 涂膠/顯影設(shè)備是在光刻工藝中與光刻機(jī)配合作業(yè)的重要設(shè)備。在曝光前，由涂膠機(jī)進(jìn)行光刻機(jī)的涂覆；而后是光刻機(jī)對光刻膠進(jìn)行曝光；在曝光后由顯影設(shè)備進(jìn)行光刻圖案的顯影。在后道的封裝中，使用類似前道的制造方式，所需涂膠/顯影設(shè)備類別也大體相同，只在關(guān)鍵尺寸與精度上同前道有區(qū)別。涂膠/顯影機(jī)作為光刻機(jī)的輸入（曝光前光刻膠涂覆）和輸出（曝光后圖形的顯影），主要通過機(jī)械手使晶圓在各系統(tǒng)之間傳輸和處理，從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅(jiān)膜等工藝過程，其不僅直接影響到光刻工序細(xì)微曝光圖案的形成，顯影工藝的圖形

造一臺光刻機(jī)竟要挑戰(zhàn)極限？之光刻機(jī)的種類2024/08/01: 光刻不難，難的是更精確地光刻。光刻機(jī)種類主要分為三種。種是接近接觸式光刻，這也是結(jié)構(gòu)的光刻機(jī)。將掩模版與被刻基片盡可能接近，然后紫外光會對光刻膠進(jìn)行曝光。它的問題在于：如果要制造芯片，就必須制作同等精細(xì)度的掩模版（變成了套娃）。此外掩模版可能與光刻膠直接接觸，可能對芯片造成污染。因此這種光刻機(jī)只能達(dá)到微米級。第二種是直寫光刻，直寫光刻就像是打印，直接用強(qiáng)激光束將所需電路一點(diǎn)點(diǎn)刻出來，聽到這里你可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了它的缺點(diǎn)，太慢了。納米級的激光束在芯片上刻出電路的效率太低，不適于工業(yè)化制造。第三種是目前

半導(dǎo)體工廠名詞匯總2024/08/01: 工藝類：Al-Cu-Si鋁硅銅：其成份為0.5%銅，1%硅及98.5%鋁，一般制程通常是使用99%鋁1%硅.后來為了金屬電荷遷移現(xiàn)象（Electromigration）故滲加0.5%銅降低金屬電荷遷移。Alloy合金（ALSI）：半導(dǎo)體制程在蝕刻出金屬連線后，必須加強(qiáng)Al與SiO2間interface的緊密度，故進(jìn)行Alloy步驟，以450℃作用30min，增加Al與Si的緊密程度，防止Al層的剝落及減少歐姆接觸的電阻值，使RC的值盡量減少。Anneal回火：激活雜質(zhì)、消除損傷atoms：原子B

造一臺光刻機(jī)竟要挑戰(zhàn)極限？之光學(xué)難題之二 ——精確成像2024/07/31: 光學(xué)設(shè)計(jì)難題二：精確成像在現(xiàn)實(shí)中，除了要盡力追求衍射的極限，還要嚴(yán)格控制像差。像差可以理解為理想的成像與實(shí)際成像的差距?？刂葡癫钜话阈枰芏嗤哥R共同作用，例如一個(gè)單反鏡頭有五到七枚透鏡共同成像。那光刻機(jī)需要多少枚鏡頭呢，答案是29枚。近60個(gè)光學(xué)表面，直徑達(dá)到80厘米，500kg的重量，組成了DUV光刻機(jī)的投影物鏡。并且每一枚鏡頭的平整度非常高，如果將鏡頭放大到中國東西距離那么大的直徑，加工產(chǎn)生的高低起伏誤差比乒乓球直徑還要小。所有的鏡頭都只是為了盡可能地成像，將掩模版精確地復(fù)刻在芯片上。DUV

造一臺光刻機(jī)竟要挑戰(zhàn)極限？之光學(xué)難題之一 ——追求衍射極限2024/07/31: 光刻機(jī)光學(xué)設(shè)計(jì)難題一：追求衍射極限如果我們在物體上取兩個(gè)相近的點(diǎn)，經(jīng)過系統(tǒng)成像后平面上有兩個(gè)光斑，如果兩個(gè)點(diǎn)距離逐漸靠近，兩個(gè)光斑將逐漸變成一個(gè)光斑，這時(shí)我們就無法區(qū)分一個(gè)點(diǎn)成的像還是兩個(gè)點(diǎn)成的像了，這就是分辨率不足的體現(xiàn)。要區(qū)分成像的究竟是一個(gè)點(diǎn)還是兩個(gè)點(diǎn)是需要一個(gè)準(zhǔn)確的邊界值，這就引入了瑞利判據(jù)。瑞利判據(jù)就是當(dāng)兩個(gè)物體間距小于0.61λ/NA時(shí)，成像系統(tǒng)所成的像將無法分辨這兩個(gè)點(diǎn)，而是把它們當(dāng)作一個(gè)點(diǎn)，這個(gè)邊界也稱為衍射極限。如果光刻中超過衍射極限，則刻蝕出的芯片就不那么精準(zhǔn)了，自然無法實(shí)現(xiàn)

ASML計(jì)劃擴(kuò)大德國柏林芯片制造廠產(chǎn)能與開發(fā)能力2024/07/31: 11月21日消息，ASML德國高管GeorgeGomba接受采訪稱，ASML將于今年在德國柏林投資1億歐元（約合1.09億美元），并在未來幾年每年投資相同數(shù)額，以擴(kuò)大柏林芯片制造廠的產(chǎn)能和開發(fā)能力。Gomba表示，2022年初以來，ASML已在柏林增加600名員工，并計(jì)劃在幾年內(nèi)將員工人數(shù)擴(kuò)大至2300人。光刻機(jī)作為封裝必要設(shè)備之一，芯片算力升級正帶來其需求爆發(fā)。據(jù)外媒周四報(bào)道稱，芯片制造大廠三星計(jì)劃進(jìn)口更多ASML的EUV光刻設(shè)備，未來ASML將在五年內(nèi)提供總共50套設(shè)備，總價(jià)值可達(dá)10萬億韓

晶圓制造：先有晶圓后有芯2024/07/28: 時(shí)至今日，芯片已形成一套非常成熟專精的制造流程[1]，它并非簡單地一步到位，而是分為存在一定時(shí)間間隔和空間次序的多個(gè)階段[2]。大體來說，芯片制造分為晶圓加工制造、前道工藝（芯片加工）及后道工藝（封裝測試）三大環(huán)節(jié)，我國主要集中切入晶圓加工制造、后道封裝測試兩個(gè)環(huán)節(jié)，前道工藝大部分設(shè)備和材料基本均處于空白狀態(tài)，所以芯片往往需要進(jìn)口[3]。集成電路的生產(chǎn)過程：從石英砂到芯片[4]晶圓制造：先有晶圓后有芯若想獲得一顆芯片，要先將石英砂做成薄薄的晶圓片（或者說襯底），再進(jìn)行后續(xù)加工，最后切割為芯片。因

專訪荷蘭光刻機(jī)ASML中國區(qū)總裁：對中國市場明年業(yè)務(wù)非常樂觀2024/07/28: 11月6日電（記者馬思、于小明、孫遲）荷蘭光刻機(jī)阿斯麥高級副總裁、中國區(qū)總裁沈波在進(jìn)博會期間接受《》專訪時(shí)表示，今年阿斯麥中國的業(yè)務(wù)增長很快，預(yù)期全年中國占阿斯麥的營收會超過20%，對明年在中國的業(yè)務(wù)也非常的樂觀。沈波表示“我們2023年在中國的招聘是超過200人的，2024年我們預(yù)計(jì)業(yè)務(wù)的發(fā)展會繼續(xù)帶來很多需求，我們的團(tuán)隊(duì)的擴(kuò)充應(yīng)該還會是一個(gè)相對比較大的規(guī)模，當(dāng)然我們現(xiàn)在還要做年度的計(jì)劃，現(xiàn)在具體的數(shù)字，我們還在看，但是整個(gè)團(tuán)隊(duì)的成長是肯定的。”據(jù)悉，今年第三季度中國占阿斯麥的業(yè)務(wù)的營收比重達(dá)

阿斯麥臺2納米光刻機(jī)，給了這家2024/07/27: 2023年12月22日報(bào)道稱，荷蘭阿斯麥公司將優(yōu)先向美國英特爾公司交付其新型高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機(jī)。據(jù)悉，每臺新機(jī)器的成本超過3億美元，可幫助計(jì)算機(jī)芯片制造商生產(chǎn)更小、更快的半導(dǎo)體。阿斯麥公司在社交平臺發(fā)布的帖文阿斯麥公司在社交平臺X上發(fā)布了一張照片，照片中可以看到，光刻機(jī)的一部分被放在一個(gè)保護(hù)箱中，箱身綁著一圈紅絲帶，正準(zhǔn)備從其位于荷蘭埃因霍溫的總部發(fā)貨。聲明中寫道：“耗時(shí)十年的開創(chuàng)性科學(xué)和系統(tǒng)工程值得鞠一躬！我們很高興也很自豪能將我們的臺高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機(jī)交付給英特爾。”報(bào)道稱，高數(shù)

廣東省金凱：中韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正從“互補(bǔ)性”合作轉(zhuǎn)向“競爭性”合作2024/07/26: 12月19日，廣東省副研究員金凱在廣州舉行的“中韓產(chǎn)業(yè)論壇：數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的創(chuàng)新與中韓供應(yīng)鏈合作”會議上分享了自己對中韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作的現(xiàn)狀及未來的看法。他認(rèn)為，中韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在一定程度上可能正從過去非常舒服的“互補(bǔ)性”合作，轉(zhuǎn)向未來的“競爭性”合作。金凱表示，從半導(dǎo)體市場來看，中國、美國是大的兩個(gè)半導(dǎo)體市場，整個(gè)亞太地區(qū)半導(dǎo)體市場規(guī)模占市場規(guī)模的58%?！皝喬貐^(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈大約經(jīng)歷了40年才形成相對穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，我個(gè)人認(rèn)為這在未來是很難輕易改變的?！苯饎P說，大約從上世紀(jì)90年代起，美國半導(dǎo)體生產(chǎn)

韓媒：韓國荷蘭商定構(gòu)建“半導(dǎo)體同盟”2024/07/26: 【網(wǎng)報(bào)道】據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，正在荷蘭訪問的韓國總統(tǒng)同荷蘭首相呂特當(dāng)?shù)貢r(shí)間2023年12月13日發(fā)表聯(lián)合聲明，其中提到兩國商定構(gòu)建“半導(dǎo)體同盟”，新設(shè)并隔年舉行外交和產(chǎn)業(yè)部門“2+2”部長級對話協(xié)商機(jī)制，進(jìn)一步深化戰(zhàn)略伙伴關(guān)系。此前，韓國總統(tǒng)室已提前透露了韓國荷蘭將結(jié)成“半導(dǎo)體同盟”的消息，引發(fā)多家韓國媒體關(guān)注。韓聯(lián)社2023年12月13日報(bào)道稱，此次訪問是對荷蘭進(jìn)行國事訪問，他與呂特在海牙舉行了單獨(dú)會談，并達(dá)成一份包含20項(xiàng)內(nèi)容的聯(lián)合聲明。韓聯(lián)社當(dāng)天早些時(shí)候介紹稱，兩國將通過發(fā)表聯(lián)合聲明，商定共同努

阿斯麥(ASML.US)和三星將投資7.6億美元在韓國建芯片研究中心2024/07/25: 阿斯麥(ASML.US)和三星電子將共同投資1萬億韓元(7.6億美元)在韓國建設(shè)一家工廠，開發(fā)半導(dǎo)體加工技術(shù)。阿斯麥在周二的聲明中表示，該工廠將使用下一代極紫外(EUV)光刻技術(shù)，該技術(shù)由阿斯麥提供，用于生產(chǎn)芯片。本文源自：金融界AI電報(bào)

千里智行，以芯為翼2024/07/25: 目前階段，汽車產(chǎn)業(yè)有兩個(gè)最閃耀的關(guān)鍵詞，就是智能與低碳。而無論是讓汽車實(shí)現(xiàn)智能化能源使用與調(diào)配，實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排，還是為自動(dòng)駕駛、輔助駕駛、智能座艙等體驗(yàn)提供算力基座。時(shí)代大幕下的汽車變革，始終無法離開一個(gè)關(guān)鍵支撐點(diǎn)——芯片。大家應(yīng)該都聽過這樣一個(gè)說法，未來的汽車就是安裝了輪子與引擎的手機(jī)、PC。那么不難發(fā)現(xiàn)，智能手機(jī)和PC的變革都發(fā)端于芯片的適配與成熟。只有在合適的芯片技術(shù)與供應(yīng)鏈支撐下，才能夠孕育出改變我們生活的軟硬件創(chuàng)新。智能時(shí)代的汽車，也緣起自與芯片的相遇。從芯出發(fā)，是汽車智能化浪潮的全新趨

美媒：美擬建下一代半導(dǎo)體制造中心2024/07/25: 據(jù)美國《防務(wù)新聞》周刊網(wǎng)站11月23日報(bào)道，美國高級研究計(jì)劃局表示，計(jì)劃在明年夏天發(fā)出一份建設(shè)合同，在美國建立一個(gè)微電子制造中心。報(bào)道稱，這個(gè)被稱為“下一代微電子制造”的項(xiàng)目將為相關(guān)研究和設(shè)備提供資金，建立一個(gè)國內(nèi)制造技術(shù)原型中心。高級研究計(jì)劃局希望借此讓美國半導(dǎo)體工業(yè)基礎(chǔ)處于地位。目標(biāo)是到2029年確立這種能力。該中心將重點(diǎn)研究三維異質(zhì)異構(gòu)集成微系統(tǒng)（3DHI），這是一種的微電子制造方法。3DHI研究的前提是，通過集成和封裝不同類芯片器件，制造商可以分解存儲和處理等功能，從而顯著提高性能。該技

日本尼康宣布全新ArF浸沒式光刻機(jī)：精度小于2.1納米2024/07/24: 尼康宣布，將于2024年1月正式推出ArF193納米浸沒式光刻機(jī)“NSR-S636E”，生產(chǎn)效率、套刻精度都會有進(jìn)一步提升。據(jù)悉，尼康這款曝光機(jī)采用增強(qiáng)型iAS設(shè)計(jì)，可用于高精度測量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號稱不超過2.1納米。分辨率小于38納米，鏡頭孔徑1.35，曝光面積為26x33毫米。對比當(dāng)前型號，它的整體生產(chǎn)效率可提高10-15％，創(chuàng)下尼康光刻設(shè)備的新高，每小時(shí)可生產(chǎn)280片晶圓，停機(jī)時(shí)間也更短。尼康還表示，在不犧牲生產(chǎn)效率的前提下，新光刻機(jī)可在需要高重疊精度的半導(dǎo)體

EUV光刻機(jī)瓶頸待破，下一代技術(shù)怎么走？2024/07/23: 光刻機(jī)作為集成電路生產(chǎn)中的重要設(shè)備之一，一直以來都決定了制程的發(fā)展速度，而阿斯麥(ASML)是歐洲的技術(shù)公司，主導(dǎo)著光刻市場。近期，光刻荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備公司阿斯麥執(zhí)行官PeterWennink表示，今年將按計(jì)劃在其下一個(gè)產(chǎn)品線中推出測試工具。據(jù)了解，該款高數(shù)值孔徑的極紫外光刻(EUV)機(jī)器只有卡車大小，每臺成本超過3億歐元，芯片制造商需要這些機(jī)器，以便他們能夠在未來十年生產(chǎn)更小、更好的芯片。不過，在分析人士看來，EUV光刻技術(shù)或非是通向制程的必由之路?！拔磥韼啄昕赡軙霈F(xiàn)所謂下一代光刻技術(shù)，如NI

29億元！Intel曬最貴開箱：臺高NA光刻機(jī)已裝機(jī)2024/07/23: 來源：網(wǎng)易新聞快科技3月5日消息，Intel發(fā)布了一條特殊的開箱視頻，堪稱最貴：他們從ASML拿到的一臺高NAEUV光刻機(jī)，已經(jīng)開始在美國俄勒岡州希爾斯伯勒附近的工廠內(nèi)安裝了。這臺型號為TwinscanEXE:5000的光刻機(jī)著實(shí)是個(gè)龐然大物，運(yùn)輸過程中動(dòng)用了250個(gè)貨箱，總重約150噸，先用飛機(jī)從荷蘭運(yùn)到俄勒岡州波特蘭，再用卡車分批次拉到工廠。目前安裝的還只是核心組件，全部搞定需要250多名ASML、Intel的工程師，耗時(shí)約6個(gè)月，然后還得花時(shí)間調(diào)試。這臺光刻機(jī)主要作為研究之用，將會在Int

智能化元年開啟，汽車芯片行業(yè)要“起飛”？2024/07/23: 自2023年底以來，智能汽車領(lǐng)域“打架”，智界S7、問界M9、小鵬X9、銀河E8、小米SU7等一系列新車或上市或亮相，進(jìn)一步“開卷”智能化技術(shù)和配置。在此背景下，主流車企也在加大智能化領(lǐng)域的投入力度。日前，比亞迪董事長兼總裁王傳福喊話稱，“要在智能化領(lǐng)域投入1000億元”；長安汽車也通過與華為的合作，欲全速向智能低碳出行科技公司轉(zhuǎn)型。長城汽車總裁穆峰預(yù)判，2024年會是中國整個(gè)汽車產(chǎn)業(yè)鏈的另一次迭代和升級，是智能化競爭的元年。智能化“下半場”的“短兵相接”，也讓芯片企業(yè)迎來了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。據(jù)記

真空濺射靶材2024/07/22: 濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。濺射技術(shù)作為薄膜

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