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外媒曝荷蘭大臣透露拒向阿斯麥發對華出口許可原因，但避答是否因美國壓力2024/07/22

【網報道】據路透社20日報道，荷蘭外貿與發展合作大臣在回答議會質詢時聲稱，因擔心光刻機生產企業阿斯麥（ASML）的芯片設備被用于中國的軍事目的，荷蘭政府最近決定拒絕向該公司發放出口許可證。對于以軍事等各種說辭為借口搞對華科技的行為，中方不止一次警告有關方面，不要做嚴重沖擊國際產業鏈供應鏈的安全和穩定的舉動。荷蘭光刻機生產企業阿斯麥（ASML）資料圖圖自外媒路透社稱，該媒體看到荷蘭外貿與發展合作大臣杰弗里·范萊文（GeoffreyvanLeeuwen）在2月5日一份報告中回答議員的質疑，宣稱中國將

芯片內部這么小，100多億個晶體管怎么裝進去的？2024/07/22

來源：湖南日報芯片藏身于城市中隨處可見的電子設備，智能手機、電腦、家電等都離不開它的控制。小小的芯片集成了龐大規模的電路。把芯片放大，可以看到其內部存在著密密麻麻的線路排布，就像密集交織的高速公路，仿佛在極小的尺寸上建造了一座井然有序的電路城市。芯片結構圖（肉眼和微觀）|圖源pixabay芯片內部有多小呢？如今我們在工業上運用的芯片最小制程，也就是我們人類能創造出的微小尺寸，已經達到3nm，芯片內部可以集成上百億個晶體管。芯片制造的“多層”思路無數納米級的電子元件在芯片上錯落排布，是將每一個元件

掃描電鏡的介紹2024/07/22

電子顯微鏡利用電子和物質的相互作用，可以獲取被測樣品本身的各種物理、化學性質，如形貌、成份、結構等信息，是材料研究、質量控制與失效分析等領域應用的強大工具。作為一種應用廣泛的科學儀器，鎢燈絲掃描電鏡具有性價比高、易于維護、操作相對簡單以及對場地要求較小等特點，便于大眾使用。

重磅！“我們需要更大的GPU”，英偉達宣布推出AI芯片，成本和能耗較前代改善25倍2024/07/22

號稱今年頭號人工智能（AI）領域大會的英偉達2024GTCAI大會于美東時間3月18日周一拉開帷幕。今年是英偉達時隔五年讓年度GTC重回線下，也是此前分析認為英偉達要“拿出點真家伙”的AI盛會。當地時間周一下午，英偉達創始人兼CEO黃仁勛在美國加州圣何塞SAP中心進行主題為“面向的1#AI峰會”（1#AIConferenceforDevelopers）演講。黃仁勛介紹了運行AI模型的新一代芯片和軟件。英偉達正式推出名為Blackwell的新一代AI圖形處理器（GPU），預計將在今年晚些時候發貨。

半導體相關知識點(一)2024/07/22

(1)能級和能帶我們可以把原子想象成行星,圍繞原子周圍的電子想象成圍繞行星旋轉的衛星。銀河系中當兩個行星的距離足夠遠時，可以認為這些行星有相同的能量。當兩個行星逐漸接近時，由于行星之間的交互作用，包括其中任意兩個行星間的吸引力與排斥力，將造成能級的移動。有別于只有兩個行星時能級只是一分為二，當銀河系中有很多個行星相互靠近時，此時能級將分裂成N個分離但接近的能級。當N很大時，將形成連續的能帶，此N個能級可延伸幾個電子伏特，視行星的間距而定。下圖是描述行星（原子）相互之間的距離和能級的關系：現在回到

半導體的起源、分類以及材料2024/07/22

一、半導體的起源1946年1月，彼時新中國尚未成立，國共還處在內戰的關鍵時刻，遠在太平洋彼岸的美國BELL實驗室正式成立了一個半導體研究小組，小組內有3名核心成員，分別是Schokley、Bardeen和Brattain，俗稱“晶體管三劍客”。三劍客有自己的研究優勢，Bardeen提出了表面態理論，Schokley給出了實現放大器的基本設想，Brattain設計了實驗。在三劍客成立的次年，1947年巴丁(Bardeen)和布萊登(Brattain)發明了點接觸(point?contact)晶體管

半導體相關知識點(二)2024/07/22

半導體中電子的運動半導體導帶中的傳導電子并不與任何特殊晶格或施主位置結合，因此基本上它們是屬于自由粒子。在熱平衡下，一個傳導電子存在熱運動(速度vth)。在室溫下，硅及砷化鎵中的電子熱運動速度約為10E7cm/s。半導體中的電子會在所有的方向作快速移動，如下圖所示。當一個小電場E施加于半導體樣品上時，每一個電子會從電場上受到一個qE的作用力，碰撞時，沿電場的反方向加速。因此，一個額外的速度成分將再加到熱運動的電子上，此額外速度成分稱為漂移速度(driftvelocity)。一個電子由于隨機熱運動

倒裝芯片(Flip Chip)技術（1）2024/07/22

一、半導體封裝技術簡介從事半導體行業，尤其是半導體封裝行業的人，總繞不開幾種封裝工藝，那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術。尤其以引線鍵合(WireBonding)及倒裝連接(FlipChipBonding)常見，因為載帶連接技術(TAB)有一定的局限性，封裝上逐漸淘汰了這種技術。倒裝芯片技術是通過芯片上的凸點直接將元器件朝下互連到基板、載體或者電路板上。引線鍵合的連接方式是將芯片的正面朝上，通過引線(通常是金線)將芯片與線路板連接。引線鍵合、載帶連接、倒裝連接各有特點。其中倒裝連接以結構緊湊

碳化硅晶片為什么存在C面和硅面?2024/07/21

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結構單元為Si-C四面體。舉個例子，Si原子直徑大，相當于蘋果，C原子直徑小，相當于橘子，把數量相等的橘子和蘋果堆在一起就成了SiC晶體。SiC是一種二元化合物，其中Si-Si鍵原子間距為3.89?，這個間距如何理解呢？目前市面上逼的光刻機光刻精度3nm，就是30?的距離，光刻精度是原子距離的8倍。Si-Si鍵能大小為310kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，

倒裝芯片（Flip Chip）技術（3）2024/07/21

第三步：倒裝芯片組裝此工序是將完成凸點制作的芯片與載板進行倒裝互聯。熱壓倒裝技術是芯片與載板連接的常用方法，最合適的凸點材料是金，凸點可以通過傳統的電解鍍金方法生成，或者采用釘頭凸點方法，后者就是引線鍵合技術中常用的凸點形成工藝。對于熱壓倒裝技術，由于壓力較大，溫度也較高，這種工藝僅適用于剛性基底，如氧化鋁或硅。另外，基板必須保證較高的平整度，熱壓頭也要有較高的平行對準精度。為了避免半導體材料受到不必要的損害，施加壓力時應該有一定的梯度。第四步：底部填充與固化倒裝連接后已完成了芯片與基板的連接，

倒裝芯片（Flip Chip）技術（2）2024/07/19

倒裝技術技術細節在半導體芯片倒裝連接的過程中，有許多前后處理的工序，以下詳細介紹倒裝工藝的相關細節：步：凸點下金屬化（UBM，underbumpmetallization）倒裝連接步需在芯片表面制作凸點技術，倒裝連接的本質是芯片上的凸點與基板上的凸點(凹槽)連接，半導體表面的金屬化有以下幾種方式：(a)濺射:用濺射的方法一層一層地在硅片上沉積薄膜，然后通過照相平版技術形成UBM圖樣，然后刻蝕掉不是圖樣的部分。(b)蒸鍍:利用掩模，通過蒸鍍的方法在硅片上一層一層地沉積。這種選擇性的沉積用的掩模可用

集成電路制造工藝概述2024/07/18

集成電路工藝主要包括如下幾點內容：圖形轉換，摻雜，制膜。圖形轉換：將設計在掩膜版上的圖形轉移到半導體晶片上，工藝主要包括光刻與刻蝕。摻雜：根據設計需要，將各種雜質摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等。工藝主要包括離子注入、退火和擴散。制膜：制作各種材料的薄膜，工藝主要包括氧化、CVD和PVD。1.1圖形轉換：光刻技術。光刻三要素：光刻膠、掩膜版和光刻機。光刻膠：又稱光致抗蝕劑，受到特定波長光線的作用后，導致其化學結構發生變化，使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變。正膠：曝光后可溶，分辨率高，

集成電路中的靜態功耗指的是什么？2024/07/18

芯片的靜態功耗是指芯片在沒有進行任何開關活動時消耗的功率。它與芯片的動態功耗不同，后者是在芯片進行信號切換、運算和數據傳輸等活動時產生的功耗。靜態功耗主要由以下幾個方面構成：1.漏電流功耗（LeakagePower）漏電流是靜態功耗的主要來源之一，包括以下幾種類型：柵漏電流（GateLeakageCurrent）：由于柵極氧化層的厚度非常薄，電子可以通過隧穿效應穿過柵極，產生漏電流。次閾值漏電流（Sub-thresholdLeakageCurrent）：當晶體管處于關斷狀態時，盡管柵極電壓低于閾

什么是超快激光？2024/07/14

在工業上，激光按出光時間，可分為連續波、準連續、短脈沖、超短脈沖四類。“超快激光”，是指輸出激光的脈沖寬度在10-12s即皮秒級別，或小于皮秒級別的脈沖激光。什么是脈沖寬度？就是激光發射的時間長短。想象一下，光在如此短的時間，能跑多遠？假設地球上有個人將激光筆對著月亮，大概1.3秒后，激光就會達到月球表面。當然得理想化一點，光沒有散射或損耗。而對于1皮秒的時間，光也就只能走頭發絲打個結的距離了。下面是時間單位換算的公式，可以看出1皮秒的時間有多短：1秒(s)=10-0s=1s1納秒(ns)=10

晶圓的生產工藝及制造流程2024/07/14

接觸半導體行業的人，經常聽到的一個詞叫——晶圓，也常叫做Wafer。從外觀上看晶圓是這樣的：晶圓為什么是圓形呢？那就要從晶圓的制造工藝開始談起了，我們知道制作晶圓的材料是硅，在自然界中硅元素有很多種形態，比如沙子是氧化硅，玻璃是硅酸鹽。要將日常生活中的砂子制作成半導體材料，需要將砂子中的硅元素提煉出來。怎么提煉呢？一個字——燒！赤壁之戰決定勝負的是火，芯片制造決定成敗的也是火，古往今來，道理都是相通的。制造硅的原始材料是一種稱為石英巖的高純度硅砂(SiO2)。將硅砂與碳化硅混合熔煉得到固體硅：S

芯片的內部構造，你知道多少？2024/07/13

芯片看上去都是黑色方片狀。有時候，它還會有銀色的金屬蓋板（加強保護，也利于散熱）。例如我們的CPU：芯片是經過封裝（芯片制造流程的一道工序）之后，才變成了這樣。我們把“殼”拿掉，才能真正看到芯片的內部核心。用顯微鏡放大來看，是這樣的：外圍一圈，是引腳（針腳）。細細的線，是引線。中間方形的部分，才是芯片真正的電路。如果繼續放大來看，是這樣的：換成3D效果，是這樣的：沒錯，都是立體的，有很多很多層，密密麻麻，就像一個超級迷宮，也像一座未來城市。圖上，一根一根的，都是連線。而它們連接的對象，就是晶體管

什么是晶體？2024/07/12

在材料行業或半導體行業工作和學習的人，總繞不開一個詞——晶體！什么是晶體？見的就是石英了，晶瑩剔透，看上去就很直觀。這是我們人眼能看到的宏觀結構，晶體的定義實質上是從微觀上定義的。專業的術語說：單晶是指結構基元在三維空間按長程有序排列而成的固態物質。通俗的理解就是，晶體就是物質的原子結構在排列組合上有規律，就像下面這樣，晶體宏觀上看到的是這樣：如果能把這個晶體細分到原子級別，里面的原子排列是這樣：原子長程有序指的是所有的原子都是按一定的規律進行排列。為了把這些讓這種排序更直觀，可以把原子結構簡化

強的光刻機為何出現在荷蘭，而不是美國，日本或者德國呢？2022/06/03

在現在的發展當中，科技占據了主要的優勢，而在現代社會里，要說有影響力的那一定是芯片的制造。在現在的芯片制造當中，其實擁有實力的就是兩個國家，一個是荷蘭，一個是日本，這兩個國家的芯片制造擁有比較長時間的一些累積經驗，并且在制造上也更有優勢。但是即使是這樣，強的光刻機依然出現在了荷蘭，這就讓大家有一個疑問，為什么的光刻機不出現在美國，日本或者德國呢？首先我們來看一下，之前我們有介紹到芯片制造技術的兩個國家，就是荷蘭和日本，那之所以的光刻金沒有出現在日本的原因，就在于日本的光刻機技術有一定的缺陷。他們

3月狂掙242.9億元！光刻機ASML財報公布2022/06/03

中關村在線消息：近日根據海外媒體報道，光刻機企業ASML發布了2022年季度的財報，根據財報顯示ASML在2022年最初的三個月時間里凈銷售額為35億歐元，約合242.9億人民幣。據了解，ASML在2022年季度共銷售了62部光刻機，ASML總裁兼CEOPeterWennink稱：市場對其生產的光刻機需求超過了當前的產能，ASML也在努力提高生產率并加快發貨，以應對需求。預計ASML公司需要到2024年才能消化掉目前積壓的訂單。

分析師：光刻機，ASML到底“留了一手”2022/06/03

或許對于大部分朋友來說，對ASML的了解，只是知道ASML可以生產制造EUV光刻機，但是目前還無法向我們供貨，不過在DUV光刻機上，供貨還是沒有問題的。而對于DUV光刻機，可能大家了解的就不是很多了，實際上，DUV光刻機經過了三次比較大幅度的發展，最終沒有辦法才走向了發展EUV光刻機的道路。對于ASML來說，當時研發EUV光刻機，也是捏了一把汗，因為如果研發失敗，ASML很有可能就失去了在光刻機市場的地位。雖然ASML的DUV光刻機可以出貨，但是有分析師表示，ASML到底還是”留了一手“。這里我