尼康宣布，將于2024年1月正式推出ArF 193納米浸沒式光刻機“NSR-S636E”，生產效率、套刻精度都會有進一步提升。 

據悉，尼康這款曝光機采用增強型iAS設計，可用于高精度測量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號稱不超過2.1納米。分辨率小于38納米，鏡頭孔徑1.35，曝光面積為26x33毫米。 

對比當前型號，它的整體生產效率可提高10-15％，創下尼康光刻設備的新高，每小時可生產280片晶圓，停機時間也更短。 

尼康還表示，在不犧牲生產效率的前提下，新光刻機可在需要高重疊精度的半導體制造中提供更高的性能，尤其是邏輯和內存、CMOS圖像傳感器、3D閃存等3D半導體制造，堪稱解決方案。 

另據了解，新光刻機的光源技術是20世紀90年代就已經成熟的“i-line”，再加上相關零件、技術的成熟化，價格將比競品便宜20-30％左右。 

不過，目前尚不清楚尼康這款光刻機能制造多少納米的芯片。 

日本尼康宣布全新ArF浸沒式光刻機：精度小于2.1納米、價格便宜30％ 

日本尼康、佳能與荷蘭阿斯麥(ASML)曾經是光刻機三，但因為點錯了科技樹，沒有跟上阿斯麥的193納米浸沒式光刻技術，逐漸沒落，尤其是在EUV極紫外光刻技術上毫無建樹。 

為了生存，尼康、佳能基本放棄了對光刻技術的角逐，更專注于難度更低、價格更低的成熟工藝光刻設備。 

但他們也并非一無是處，比如佳能研發了納米壓印技術(NIL)，無需EUV就能制造5納米芯片。 

來源：快科技