【儀表網(wǎng) 儀表產(chǎn)業(yè)】為便于供應(yīng)商及時(shí)了解政府采購(gòu)信息，根據(jù)《財(cái)政部關(guān)于開(kāi)展政府采購(gòu)意向公開(kāi)工作的通知》(財(cái)庫(kù)〔2020〕10號(hào))等有關(guān)規(guī)定，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所2022年2至12月政府采購(gòu)意向公布，預(yù)算總金額11961.03萬(wàn)元。
| 序號(hào) | 采購(gòu)單位 | 采購(gòu)項(xiàng)目 名稱(chēng) | 采購(gòu)品目 | 采購(gòu)需求概況 | 預(yù)算金額 (萬(wàn)元) | 預(yù)計(jì) 采購(gòu)日期 |
| 1 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 2022年度研究所化學(xué)試劑 | A170114-化學(xué)試劑和助劑 | 研究所實(shí)驗(yàn)室化學(xué)試劑采購(gòu)，滿(mǎn)足研究所實(shí)驗(yàn)需求 | 458.000000 | 2022年03月 |
| 2 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 2022年度研究所危險(xiǎn)廢棄物處置 | C160599其他危險(xiǎn)廢棄物治理服務(wù) | 研究所危險(xiǎn)廢棄物處置采購(gòu)，滿(mǎn)足相關(guān)法律法規(guī)要求 | 134.000000 | 2022年03月 |
| 3 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 超高速攝像機(jī) | A02090504專(zhuān)業(yè)攝像機(jī)和信號(hào)源設(shè)備 | 名稱(chēng)：超高速攝像機(jī) 功能及目標(biāo)： （1）924*768分辨率，最高拍攝速率：5000000fbs （2）快門(mén)速度：100ns （3）曝光時(shí)間：100ns （4）圖像數(shù)量：180 （5）獨(dú)特的uCMOS圖像傳感器具有924*768@700萬(wàn)幀/秒的超高速圖像連續(xù)拍攝能力，最小曝光50ns。 采購(gòu)數(shù)量：1臺(tái) 能夠清晰的拍攝并記錄粒子的行動(dòng)軌跡及粒子高速?zèng)_擊穿透材料的過(guò)程和破壞形態(tài)。超高速攝像機(jī)可以捕捉防護(hù)材料在高速?zèng)_擊過(guò)程中的破壞形態(tài)以及粒子穿透材料前后的變化。因此超高速攝像機(jī)是當(dāng)前項(xiàng)目對(duì)防護(hù)材料進(jìn)行微觀研究分析的核心設(shè)備。 | 326.000000 | 2022年06月 |
| 4 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 高純氫氣5N | A0999-其他辦公消耗用品及類(lèi)似物品 | 氫氣，純度5N及以上，高純氫的純度要求指標(biāo)參照GB/T 3634.2-2011；兩年用量約45萬(wàn)標(biāo)準(zhǔn)立方；最低供氣壓力13Bar。使用氣體時(shí)間：全年365天不能停供。一般為周一至周六白天工作時(shí)段送貨。供應(yīng)方式：魚(yú)雷車(chē)，壓差法計(jì)量用量。以實(shí)際公告為準(zhǔn)。 | 295.000000 | 2022年05月 |
| 5 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 臨時(shí)鍵合解鍵合機(jī) | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 需采購(gòu)臨時(shí)鍵合解鍵合機(jī)，主要功能如下：通過(guò)加熱、冷卻及壓力來(lái)進(jìn)行超薄鍵合及解鍵合工藝；可支持4、6、8英寸晶圓的臨時(shí)鍵合解鍵合，目的是通過(guò)減薄工藝減薄工藝以及通孔技術(shù)開(kāi)發(fā)，可以?xún)?yōu)化電力電子器件散熱、高頻響應(yīng)等特性。這些問(wèn)題的有效解決需要配置鍵合解鍵合設(shè)備以滿(mǎn)足一系列復(fù)雜需求。采購(gòu)數(shù)量為1套，超凈實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有場(chǎng)務(wù)條件：獨(dú)立配電柜、真空泵，能夠滿(mǎn)足該設(shè)備正常運(yùn)行。以實(shí)際公告為準(zhǔn)。 | 450.000000 | 2022年06月 |
| 6 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 濕氧氧化爐 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 需采購(gòu)濕氧氧化爐，主要功能如下：可兼容6英寸及以下的垂直腔面激光器水汽氧化；配置N2工藝氣體，常壓水汽氧化工藝。濕氧氧化是垂直腔面發(fā)射激光器制備工藝中最重要的工藝步驟，其氧化結(jié)果對(duì)器件性能有著十分重要的影響，可解決氧化均勻性、氧化速率控制等問(wèn)題，以進(jìn)一步提升性能、提高良率以達(dá)到更高的項(xiàng)目需求。超凈實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有場(chǎng)務(wù)條件：獨(dú)立配電柜、循環(huán)水系統(tǒng)以及超純氮?dú)狻⒀鯕猓?jīng)能夠滿(mǎn)足該設(shè)備正常運(yùn)行。本設(shè)備無(wú)需特殊配套設(shè)備需求。以實(shí)際公告為準(zhǔn)。 | 450.000000 | 2022年06月 |
| 7 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 單片清洗機(jī) | A02100499-其他分析儀器 | 單片清洗機(jī)，具有兆聲清洗功能，氮?dú)獯祾吖δ埽逑催^(guò)程自動(dòng)控制，可去除晶圓表面納米級(jí)顆粒物，采購(gòu)數(shù)量1臺(tái)。以實(shí)際公告為準(zhǔn)。 | 180.000000 | 2022年03月 |
| 8 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 接觸式光刻機(jī) | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 接觸式光刻機(jī)，LED光源：150mm區(qū)域光強(qiáng)均勻性±2.5%；具備正面、背面對(duì)準(zhǔn)；曝光模式：接近、軟接觸、硬接觸、真空接觸；采購(gòu)數(shù)量1臺(tái)。以實(shí)際公告為準(zhǔn)。 | 198.000000 | 2022年03月 |
| 9 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 高真空回流爐（舊） | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 高真空回流爐（舊），溫度范圍：室溫到500℃；極限真空度：＜10-7mbar；升溫速率：＜200℃/分鐘；降溫速率：＜60℃/分鐘；可進(jìn)行吸氣劑激活工藝。采購(gòu)數(shù)量1臺(tái)。以實(shí)際公告為準(zhǔn)。 | 150.000000 | 2022年03月 |
| 10 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 多靶共濺射臺(tái) | A02100499-其他分析儀器 | 多靶共濺射設(shè)備，可以用2種及以上數(shù)量的材料共濺射，實(shí)現(xiàn)不同材料、不同比例之間的靈活控制；同時(shí)樣品可進(jìn)行加熱，工藝前去除樣品表面的水汽，以及提高薄膜的致密性等；設(shè)備配置LoadLock，既保證工藝腔的高真空環(huán)境，又能提高工藝效率。8寸兼容小尺寸樣品的磁控濺射鍍膜設(shè)備。以實(shí)際公告為準(zhǔn)。 | 180.000000 | 2022年03月 |
| 11 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 電子束蒸發(fā)臺(tái) | A02100499-其他分析儀器 | 高均勻性蒸發(fā)設(shè)備，可以用于Al、Ti、Au、AlCu等材料的高均勻性鍍膜工藝，在SAW、BAW器件中，薄膜的高均勻性分布非常關(guān)鍵，直接影響器件的良率。普通蒸發(fā)設(shè)備的均勻性指標(biāo)只能做到±5％，無(wú)法滿(mǎn)足SAW、BAW器件的高均勻性薄膜指標(biāo)要求。以實(shí)際公告為準(zhǔn)。 | 190.000000 | 2022年10月 |
| 12 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 低損傷ITO濺射（舊） | A02100499-其他分析儀器 | 實(shí)現(xiàn)低電阻率ITO薄膜沉積；實(shí)現(xiàn)高透光率的ITO薄膜濺射沉積；實(shí)現(xiàn)低的離子損傷，在ITO和GaN等材料的界面處不引入明顯缺陷。以實(shí)際公告為準(zhǔn)。 | 360.000000 | 2022年02月 |
| 13 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | F404辦公區(qū)裝修工程 | B07-裝修工程 | 擬在研究所F404區(qū)域裝修辦公區(qū)域，配套F1實(shí)驗(yàn)室合作項(xiàng)目人員的辦公區(qū)需求，主要構(gòu)建辦公區(qū)及會(huì)議室等公共區(qū)域；目前當(dāng)區(qū)域?yàn)槊魑囱b修，需要按照辦公區(qū)的要求進(jìn)行相關(guān)內(nèi)部裝修裝飾工作，以滿(mǎn)足相關(guān)場(chǎng)景的使用需求。以實(shí)際公告為準(zhǔn)。 | 200.000000 | 2022年03月 |
| 14 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 半自動(dòng)半導(dǎo)體射頻探針臺(tái) | A021199-其他電子和通信測(cè)量?jī)x器 | 采購(gòu)標(biāo)名稱(chēng)：半自動(dòng)半導(dǎo)體射頻探針臺(tái)； 實(shí)現(xiàn)主要功能：配合高頻測(cè)試儀表，實(shí)現(xiàn)射頻/毫米波器件測(cè)試，包括S參數(shù)測(cè)試、負(fù)載牽引測(cè)試等； 采購(gòu)標(biāo)數(shù)量：1； 采購(gòu)標(biāo)滿(mǎn)足的質(zhì)量、服務(wù)等要求： （1）測(cè)試頻率范圍，可實(shí)現(xiàn)從直流到67 GHz射頻測(cè)試，后期可升級(jí)到110 GHz，最高可升級(jí)到500 GHz； （2）EMI屏蔽，> 30 dB (典型值) @ 1 kHz to 1 MHz；光衰減 ≥ 130 dB；光譜噪聲基底 ≤ -180 dBVrms/rtHz (≤ 1 MHz)；系統(tǒng)交流電噪聲 ≤ 5 mVp-p ( ≤ 1 GHz)。 (3) 載物臺(tái)溫度，溫控范圍20~200 oC；溫度精度±0.1 oC；溫度均勻性<±0.5 oC（200 oC以?xún)?nèi)）. | 199.000000 | 2022年03月 |
| 15 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 常壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)常壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備1臺(tái)，需滿(mǎn)足生長(zhǎng)3片2英寸或1片4英寸的外延片；生長(zhǎng)溫度最高1300度，生長(zhǎng)壓力最高1000mbar；材料厚度和摻雜均勻性標(biāo)準(zhǔn)差≤3%；材料C和O雜質(zhì)本底濃度≤1E17cm-3；InGaN量子阱發(fā)光波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)差≤5nm。目的是提高綠光激光器性能的關(guān)鍵是MOCVD生長(zhǎng)高質(zhì)量大應(yīng)變的綠光InGaN量子阱有彎曲，解決MOCVD生長(zhǎng)過(guò)程中綠光InGaN量子阱存在的In偏析和熱穩(wěn)定性差的問(wèn)題。由于InGaN材料的N汽相壓力高，提高生長(zhǎng)壓力有望抑制In的偏析和改善InGaN量子阱的熱穩(wěn)定性。 | 1374.000000 | 2022年12月 |
| 16 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 磁控濺射設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)磁控濺射設(shè)備1臺(tái)，需滿(mǎn)足2英寸到6英寸兼容；材料厚度均勻性標(biāo)準(zhǔn)差≤5%；ITO方塊電阻均勻性≤10%，目的是研制高性能綠光激光器的一個(gè)難點(diǎn)是解決綠光量子阱增益區(qū)在p型層生長(zhǎng)過(guò)程中的熱退化問(wèn)題，途徑之一是需要低溫制備p型限制層，消除綠光量子阱熱退化形成的暗斑缺陷，磁控濺射可以低溫甚至室溫沉積透明導(dǎo)電氧化物作為綠光激光器的p型限制層，有望解決此難題，從而研制高性能的InGaN綠光激光器。沉積工藝損傷小可以獲得低的歐姆接觸電阻，超平整薄膜可以降低透明導(dǎo)電氧化物的光損耗。 | 732.000000 | 2022年12月 |
| 17 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 真空解離與鈍化 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)真空解離與鈍化設(shè)備1臺(tái)，需滿(mǎn)足解理室真空度可達(dá)5E-10Torr；鈍化室真空度可達(dá)2E-10Torr；專(zhuān)用的承片架可滿(mǎn)足bar條12mm-15mm寬度,bar條腔長(zhǎng)范圍1.0mm-4.0mm；鈍化室為電子束蒸發(fā)源，配備石英晶振測(cè)厚。目的是提高綠光激光器性能的關(guān)鍵問(wèn)題之一是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的腔面鍍膜，該設(shè)備能夠防止bar條解理過(guò)程中腔面氧化導(dǎo)致的后續(xù)工作中出現(xiàn)腔面災(zāi)變。該設(shè)備是實(shí)現(xiàn)高功率綠光激光器的必須設(shè)備。 | 555.360000 | 2022年12月 |
| 18 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 原位Mask器件級(jí)圖案化分子束外延設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)原位Mask器件級(jí)圖案化分子束外延設(shè)備設(shè)備1臺(tái)，不僅具備優(yōu)異的二維材料制備功能（可制備石墨烯、硒化物等多種新穎的二維材料），同時(shí)具備從材料生長(zhǎng)到原型器件制作的能力。滿(mǎn)足條件預(yù)處理室本底真空度優(yōu)于5×10-10 mbar，襯底溫度可達(dá)850℃；生長(zhǎng)室本底真空度優(yōu)于2×10-10 mbar，襯底溫度可范圍100K至1473K，2英寸襯底上生長(zhǎng)的材料均勻性?xún)?yōu)于±1.5% ；掩膜板腔體本底真空度優(yōu)于5×10-10 mbar，掩膜精度2微米。 | 897.000000 | 2022年12月 |
| 19 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 低溫強(qiáng)磁場(chǎng)綜合物性測(cè)試設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)低溫強(qiáng)磁場(chǎng)綜合物性測(cè)試設(shè)備1臺(tái)，需滿(mǎn)足溫度：1.9K-400K，溫控精確度：±1% （從零場(chǎng)到滿(mǎn)場(chǎng)）溫度掃描速率：0.01 - 8 K/min，溫度穩(wěn)定性：±0.2%（< 10 K）；±0.02% （> 10 K ），縱向磁體, 磁場(chǎng)強(qiáng)度：±14T ，場(chǎng)均勻性：0.1% over 5.5 cm×φ1cm柱形空間； 磁場(chǎng)穩(wěn)定性：1 ppm/hr， 掃描速度：最高200Oe/sec.磁場(chǎng)分辨率： <0.3高斯（0<H<1.5T）；<3高斯（1.5T<H<14T），樣品腔真空度10e-5Torr。 | 440.000000 | 2022年12月 |
| 20 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | HF/XeF2氣相刻蝕設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)HF/XeF2氣相刻蝕設(shè)備1臺(tái)，需滿(mǎn)足背景真空度1E-9Torr，刻蝕速率100A/min~1000A/min，兩寸樣品上刻蝕均勻性好于10%。 | 200.000000 | 2022年12月 |
| 21 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 脈沖激光沉積設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)脈沖激光沉積設(shè)備1臺(tái)，需滿(mǎn)足高壓RHEED 工作氣壓30Pa以下；工作溫度可達(dá)1000℃；可實(shí)現(xiàn)多靶沉積；樣品臺(tái)與靶間距可在60mm-100mm內(nèi)調(diào)節(jié)；目的是制備高質(zhì)量的化合物薄膜，包括氧化物，氮化物，以及其他介電化合物等，是探測(cè)器相關(guān)薄膜制備的必備設(shè)備，也是在強(qiáng)關(guān)聯(lián)氧化物薄膜以及相關(guān)異質(zhì)結(jié)制備的特色工具。 | 312.390000 | 2022年12月 |
| 22 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 原位掃描電子顯微鏡 | A02100399-其他光學(xué)儀器 | 擬采購(gòu)原位掃描電子顯微鏡1臺(tái)，環(huán)境掃描電鏡可用于多種材料生長(zhǎng)的表面過(guò)程實(shí)時(shí)監(jiān)控，相比于傳統(tǒng)超高真空掃描電鏡，工作氣壓范圍可以由超高真空到 0.8個(gè)大氣壓，工作溫度范圍可由室溫至1500℃。環(huán)境掃描電鏡能夠在1200℃以下可實(shí)現(xiàn)表面敏感成像，在探測(cè)表面催化反應(yīng)過(guò)程，二維晶體材料在金屬催化劑表面的演化動(dòng)態(tài)行為以及原位關(guān)聯(lián)表面動(dòng)態(tài)行為與材料熱動(dòng)力行為等研究領(lǐng)域必不可少。 | 280.000000 | 2022年12月 |
| 23 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 原位掃描電子顯微鏡-真空腔體 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)原位掃描電子顯微鏡-真空腔體1套，真空度要求5E-10 mbar。 | 180.000000 | 2022年12月 |
| 24 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 鏡面反射吸收紅外-程序升溫脫附設(shè)備（原位紅外吸收光譜） | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)鏡面反射吸收紅外-程序升溫脫附設(shè)備1臺(tái)，UV至THz的寬波段一次性成譜。全新動(dòng)態(tài)校準(zhǔn)UltraScan干涉儀，無(wú)摩擦軸承，永久準(zhǔn)直，分辨率0.2cm-1，可選好于0.06cm-1;波數(shù)精度優(yōu)于0.005cm-1;高通量光源，靈敏度可達(dá)0.001分子單層；真空型，光路真空好于0.1mbar。 | 250.000000 | 2022年12月 |
| 25 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 鏡面反射吸收紅外-程序升溫脫附設(shè)備（原位紅外吸收光譜）-真空腔體 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)鏡面反射吸收紅外-程序升溫脫附設(shè)備（原位紅外吸收光譜）-真空腔體1臺(tái)，真空度要求5E-10 mbar。 | 235.940000 | 2022年12月 |
| 26 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 多源有機(jī)蒸發(fā)鍍膜設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)多源有機(jī)蒸發(fā)鍍膜設(shè)備1臺(tái)，需滿(mǎn)足水氧指標(biāo)：小于1ppm，泄露率：小于0.001%vol/h，恢復(fù)工作時(shí)間<2小時(shí)，控溫精度±1度，極限真空度≤6*10^-5Pa，工作真空度6x10-4 Pa，膜厚探測(cè)精度± 0.1 nm。目的是用于金屬以及p-型、n-型、p-型摻雜、n-型摻雜分子半導(dǎo)體薄膜的沉積制備。 | 315.000000 | 2022年12月 |
| 27 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 準(zhǔn)原位光譜系統(tǒng) | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)準(zhǔn)原位光譜系統(tǒng)1套，真空度要求為5x10-8 Pa，測(cè)試光譜范圍為200~1700nm，樣品至窗口距離≤15mm，滿(mǎn)足顯微光譜建設(shè)要求。基于真空互聯(lián)實(shí)驗(yàn)站項(xiàng)目的技術(shù)定位和研究目標(biāo)以及超高真空環(huán)境下原位無(wú)損光學(xué)技術(shù)表征的廣泛需求，提出了超高真空環(huán)境下準(zhǔn)原位光譜系統(tǒng)的研發(fā)與建設(shè)。規(guī)劃建設(shè)的光譜測(cè)量系統(tǒng)，擬建成如下測(cè)試能力：變溫光譜學(xué)能力、顯微光譜測(cè)試能力、多光譜掃描成像能力和超高真空及氣氛控制測(cè)試能力，故而對(duì)精密位移控制、溫度控制、顯微光學(xué)設(shè)計(jì)、真空設(shè)計(jì)等諸環(huán)節(jié)有著綜合性的技術(shù)要求。 | 341.000000 | 2022年12月 |
| 28 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | MBE-原位生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專(zhuān)用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購(gòu)MBE-原位生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究設(shè)備1臺(tái)，需滿(mǎn)足生長(zhǎng)腔真空度 <2x10-10 mbar; 生長(zhǎng)溫度 RT-1000C; 襯底尺寸此設(shè)備主要用于原位分析半導(dǎo)體外延制備過(guò)程中的各種動(dòng)力學(xué)過(guò)程，尤其是晶格失配度較大時(shí)，薄膜外延應(yīng)力，薄膜生長(zhǎng)初期形核形以及原子擴(kuò)散等機(jī)理。 | 600.000000 | 2022年12月 |
| 29 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 超高真空管道 | A02052401-真空獲得設(shè)備 | 擬采購(gòu)超高真空管道1套，需滿(mǎn)足傳輸室極限真空度：≤2×10-10 Torr； 工作真空度：≤6×10-10 Torr。真空檢漏漏率：≤5×10-11 Torr.L/S。小車(chē)在傳輸室內(nèi)運(yùn)行速度0~3 m/min可調(diào)，小車(chē)定位準(zhǔn)確、重復(fù)性好、運(yùn)行平穩(wěn)。真空管道與傳輸系統(tǒng)把各功能設(shè)備相互連接，相當(dāng)于在地球表面建立了一個(gè)太空環(huán)境，解決了傳統(tǒng)超凈間模式中難以解決的塵埃、表面氧化和吸附等污染問(wèn)題，突破現(xiàn)有儀器設(shè)備的功能限制，實(shí)現(xiàn)材料制備、測(cè)試分析與微納加工工藝等方面協(xié)同效應(yīng)，為科研和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供先進(jìn)的、開(kāi)放性的平臺(tái)。 | 450.000000 | 2022年12月 |
| 30 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 液氮 | A0999-其他辦公消耗用品及類(lèi)似物品 | 擬采購(gòu)液氮，滿(mǎn)足ULT-STM,4P-STM,O-MBE等設(shè)備日常實(shí)驗(yàn)所需。要求：純度 99.999%并符合規(guī)范《GB/T 8979-2008》中要求；儲(chǔ)槽邊上安裝液位遠(yuǎn)程監(jiān)控；在低液位：液氮罐低液位1000mmH2O，高液位4200mmH2O。 | 480.000000 | 2022年06月 |
| 31 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 主園區(qū)廢水處理設(shè)施綠色環(huán)保升級(jí)改造項(xiàng)目 | B0599-其他專(zhuān)業(yè)施工 | 升級(jí)現(xiàn)有酸堿廢水處理設(shè)施，增加氨氮、磷、COD處理功能，廢水處理量由150提升至200噸/天，符合環(huán)保法規(guī)的要求。 | 173.340000 | 2022年03月 |
| 32 | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 主園區(qū)A、B、C科研樓電梯更換改造項(xiàng)目 | B060803-電梯安裝 | 更新8部老化電梯，提高科研保障能力；替換安裝完成后，質(zhì)量合格，取得特種設(shè)備使用登記證 | 375.000000 | 2022年03月 |
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