- 在低溫度下沉積低損傷的薄膜
- 可沉積的典型材料包括: SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC,襯底溫度可低至5ºC
- 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工藝的均勻性
- 晶圓尺寸高至200mm
- 電極的溫度范圍為5ºC至400ºC
- 已獲得ICPCVD氣體配送技術
- 實時監測清洗工藝, 并且可自動停止工藝

SiO2 deposited using TEOS and O2 by ICP CVD in ~50μm deep trench 4:1 aspect ratio

SiNx deposited by ICP CVD at room temperature for 22nm T-gate HEMT