半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數(shù)分析的工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時多年打造了高精度、大動態(tài)范圍、帥先國產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體。可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載。其高性能架構還允許將其用作脈沖發(fā)生器，波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。
半導體分立器件是指以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等，具有整流、放大、開關、檢波，穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，衡量晶體管性能好壞主要是通過I-V測試或C-V測試來提取晶體管的基本特性參數(shù)，并在整個工藝結束后評估器件的優(yōu)劣。
半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。而且使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定度及更慢的總線傳輸速度等缺點。
實施特性參數(shù)分析的工具之一是半導體參數(shù)測試儀之數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時多年打造了高精度、大動態(tài)范圍、帥先國產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體。可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載。其高性能架構還允許將其用作脈沖發(fā)生器，波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線跟蹤儀或示波器是否熟悉，都能簡單而迅速地得到精確的結果。
普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表
普賽斯源表輕松實現(xiàn)二極管特性參數(shù)分析
二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件，產(chǎn)品結構一般為單個PN結結構，只允許 電流從單一方向流過。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等特性，廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、保護等電路中，是電子工程上用途廣泛的電子元器件之一。IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主要參數(shù)之一，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性等；
普賽斯S系列、P系列源表簡化場效應MOS管I-V特性分析
MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是 一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體器件，可以廣泛應用在模擬電路和數(shù)字電路當中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、 IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導gm、輸出電阻RDS等。
普賽斯數(shù)字源表快速、準確進行三極管BJT特性分析
三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體 基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊 半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射 區(qū)和集電區(qū)。設計電路中常常會關注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。
普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）在半導體IV特性測試方面擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗，為半導體分立器件電性能參數(shù)測試提供全面的解決方案，包括二極管、MOS管、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等。此外，普賽斯儀表還提供適當?shù)碾娎|輔件和測試夾具，實現(xiàn)安全、精確和可靠的測試。欲了解更多半導體參數(shù)測試儀的信息，認準普賽斯儀表！
