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國(guó)產(chǎn)品牌功率器件半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)
國(guó)產(chǎn)品牌功率器件半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能,還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功...
型號(hào): PMST3510
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/6/30 10:29:47
對(duì)比
功率半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)功率器件測(cè)試機(jī)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)IGBT測(cè)試設(shè)備IGBT測(cè)試機(jī)
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四象限電源微電流測(cè)試數(shù)字源表
四象限電源微電流測(cè)試數(shù)字源表集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體。可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允...
型號(hào): S100B
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/6/27 9:28:44
對(duì)比
四象限電源微電流源表數(shù)字源表源表直流電源
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國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀iv+cv曲線分析
SPA6100國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀iv+cv曲線分析配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU、低壓脈沖SMU、大電流SMU;用戶可根據(jù)測(cè)試需求靈活配置不同規(guī)...
型號(hào): SPA6100
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/6/23 13:30:54
對(duì)比
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體分析儀iv+cv曲線分析儀
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分立元器件測(cè)試設(shè)備iv+cv曲線分析儀
分立元器件測(cè)試設(shè)備iv+cv曲線分析儀配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU、低壓脈沖SMU、大電流SMU;用戶可根據(jù)測(cè)試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)...
型號(hào): SPA6100
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/6/20 14:10:23
對(duì)比
分立元器件測(cè)試iv曲線分析cv曲線分析半導(dǎo)體器件測(cè)試
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太陽(yáng)能組件IV測(cè)試大電流源表四象限直流電源
太陽(yáng)能組件IV測(cè)試大電流源表四象限直流電源具備直流和脈沖輸出能力,蕞大脈沖輸出電流100A,蕞大輸出電壓100V,蕞大直流功率300W,蕞大脈沖功率5000W,...
型號(hào): HCP300
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/6/18 13:32:17
對(duì)比
組件IV測(cè)試大電流源表直流源表四象限電源數(shù)字源表
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IC芯片開(kāi)短路測(cè)試數(shù)字源表
武漢普賽斯IC芯片開(kāi)短路測(cè)試數(shù)字源表精確提供和測(cè)量電壓和/或電流,廣泛應(yīng)用于各種電器特性參數(shù)測(cè)試中,如IV掃描;
型號(hào): S100B
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/6/17 10:07:40
對(duì)比
電氣特性測(cè)試IC特性測(cè)試數(shù)字源表源表IC測(cè)試源表
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電流傳感器階躍響應(yīng)測(cè)試脈沖電源
電流傳感器階躍響應(yīng)測(cè)試脈沖電源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15us)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖...
型號(hào): HCPL100
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/6/13 9:24:29
對(duì)比
脈沖電源脈沖電流源階躍響應(yīng)測(cè)試脈沖大電流源傳感染響應(yīng)測(cè)試
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高壓小電流臺(tái)式電源
高壓小電流臺(tái)式電源標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,Y秀的性?xún)r(jià)比,良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持,集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作
型號(hào): S100B
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/6/9 15:16:51
對(duì)比
高壓小電流電源電流源表數(shù)字源表源表高精度源表
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四象限直流電源VI曲線源表
普賽斯S系列四象限直流電源VI曲線源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,Y秀的性?xún)r(jià)比,良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持,集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四...
型號(hào): S100B
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/6/4 9:11:45
對(duì)比
直流電源直流源表IV曲線儀數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)源表
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IGBT全動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備
武漢普賽斯儀表PMDT系列IGBT全動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備是一款專(zhuān)用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,能夠安全便捷的測(cè)試功率器件的開(kāi)關(guān)延時(shí)...
型號(hào): PMDT2010
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/26 9:23:57
對(duì)比
IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試IGBT全動(dòng)態(tài)參數(shù)IGBT測(cè)試設(shè)備IGBT測(cè)試儀
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半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
武漢普賽斯儀表PMST系列半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,蕞大支持30V@1...
型號(hào): PMST3510
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/23 10:01:37
對(duì)比
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀功率器件測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
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功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備
武漢普賽斯儀表PMDT系列功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備2000V/2000A雙脈沖測(cè)試范圍,最大12kA短路電流、20nH超低主回路雜感、2us過(guò)流保護(hù)時(shí)間
型號(hào): PMDT2010
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/23 9:55:10
對(duì)比
動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備動(dòng)態(tài)參數(shù)系統(tǒng)功率半導(dǎo)體測(cè)試功率器件測(cè)試系統(tǒng)
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2000V/2000A雙脈沖測(cè)試動(dòng)態(tài)參數(shù)系統(tǒng)
2000V/2000A雙脈沖測(cè)試動(dòng)態(tài)參數(shù)系統(tǒng)配備多種測(cè)試驅(qū)動(dòng)板,可覆蓋開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試、柵極電荷測(cè)試、短路測(cè)試、雪崩測(cè)試等,單次測(cè)試即可完成開(kāi)關(guān)特性及反向恢復(fù)特性測(cè)...
型號(hào): PMDT2010
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/22 10:59:45
對(duì)比
雙脈沖測(cè)試動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)
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光耦電性能分析測(cè)試系統(tǒng)
光耦電性能分析測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,...
型號(hào): PMST3510
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/21 9:33:59
對(duì)比
光耦電性能分析光耦電性能測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)光耦性能檢測(cè)
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1000V高壓脈沖源程控源測(cè)量單元
1000V高壓脈沖源程控源測(cè)量單元具有輸出及測(cè)量電壓高(3500V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3500V...
型號(hào): E100
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/19 9:23:06
對(duì)比
高壓程控電源高壓脈沖源高壓電源源測(cè)量單元1000V電壓源
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精密電流源國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表自主品牌
S系列精密電流源國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表自主品牌四象限工作,源和負(fù)載;電壓及電流范圍廣,最小電流分辨率10pA,電流±100pA~±3A,電壓...
型號(hào): S100B
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/15 9:53:41
對(duì)比
精密電流源國(guó)產(chǎn)化源表數(shù)字源表精密源表國(guó)產(chǎn)源表
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功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀SiC|IGBT測(cè)試
武漢普賽斯儀表功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀SiC|IGBT測(cè)試可精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件(如MOSFET、 BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半...
型號(hào): PMST1210
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/14 9:36:13
對(duì)比
功率半導(dǎo)體測(cè)試功率器件測(cè)試igbt測(cè)試儀IGBT測(cè)試機(jī)SiC測(cè)試
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功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備
功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)...
型號(hào): PMST2210
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/13 16:07:37
對(duì)比
功率半導(dǎo)體測(cè)試功率器件測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)靜態(tài)測(cè)試設(shè)備
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大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨在全面滿足從基礎(chǔ)...
型號(hào): PMST-2200...
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/9 9:10:11
對(duì)比
大功率器件測(cè)試功率器件測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)功率器件測(cè)試儀
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兩通道數(shù)字源表可獨(dú)立或組合工作
普賽斯儀表兩通道數(shù)字源表可獨(dú)立或組合工作,具有多種測(cè)試模式,可顯著提高測(cè)試和表征效率,廣泛應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件與材料、有機(jī)半導(dǎo)...
型號(hào): DP100B/DP...
所在地:武漢市
參考價(jià):
¥1000更新時(shí)間:2025/5/7 13:37:45
對(duì)比
兩通道源表兩通道數(shù)字源表雙通道源表數(shù)字源表源表