半導體分立器件泛指二極管、三極管等具有單一功能的半導體元器件，用于電力電子設備的整流、穩(wěn)壓、開關、混頻等電路中，是構成電力電子變化裝置的核心器件之一，在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動化控制、計算機及周邊設備、網(wǎng)絡通訊等眾多國民經(jīng)濟領域均有廣泛的應用。半導體分立器件市場前景廣闊，根據(jù)基材不同，半導體分立器件可分為不同類型，以硅基半導體為基材時，半導體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產(chǎn)品，以寬禁帶材料半導體為基材時，半導體分立器件主要包括：SiC,GaN半導體功率器件。從需求端來看，分立器件受益于新能源、汽車電子、5G通訊射頻等市場的發(fā)展，具有較大的發(fā)展前景。半導體分立器件測試分析儀認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表；普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具，接線簡單、方便操作。
半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。而且使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定度及更慢的總線傳輸速度等缺點。
實施特性參數(shù)分析的蕞佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時多年打造了高精度、大動態(tài)范圍、帥先國產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體。可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載。其高性能架構還允許將其用作脈沖發(fā)生器，波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉，都能簡單而迅速地得到精確的結(jié)果。
普賽斯源表輕松實現(xiàn)二極管特性參數(shù)分析
二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向?qū)? 電性元器件，產(chǎn)品結(jié)構一般為單個PN結(jié)結(jié)構，只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等特性，廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、保護等電路中，是電子工程上用途蕞廣泛的電子元器件之一。IV特性是表征半導體二極管PN結(jié)制備性能的主要參數(shù)之一，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性等；
普賽斯S系列、P系列源表簡化場效應MOS管I-V特性分析
MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體器件，可以廣泛應用在模擬電路和數(shù)字電路當中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導gm、輸出電阻RDS等。
普賽斯數(shù)字源表快速、準確進行三極管BJT特性分析
三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。設計電路中常常會關注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極蕞大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。
普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）在半導體IV特性測試方面擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗，為半導體分立器件電性能參數(shù)測試提供全面的解決方案，包括二極管、MOS管、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等。此外，普賽斯儀表還提供適當?shù)碾娎|輔件和測試夾具，實現(xiàn)安全、精確和可靠的測試。欲了解更多半導體分立器件測試分析儀的信息，歡迎隨時咨詢普賽斯儀表！
