純度遠高于優級純的試劑叫做高純試劑。是在通用試劑基礎上發展起來的，是為了專門的使用目的而用特殊方法生產的純度高的試劑。高純試劑控制的是雜質項含量，基準試劑控制的是主含量，基準試劑可用標準溶液的配制，但高純試劑不能用于標準溶液的配制（單質氧化物除外）。

    目前在上也無統一的明確規格，我國除對少數產品制定了國家標準外，大部分高純試劑的質量標準還很不統一，在名稱上也有高純、超純、特純、光譜純、電子純等不同叫法。一般以 9 來表示產品的純度。故在規格欄中標以 2 個 9 、 3 個 9 、 4 個 9 以此類推，根據這個原則可將高純物質分為：

    雜質總含量不大于 1.5 × 10 -2 % ，其純度為 3.5 個 9 （ 99.95 ）簡寫為 3.5N

    雜質總含量不大于 1.0 × 10 -2 % ，其純度為 4 個 9 （ 99.99 ）簡寫為 4.0N

    雜質總含量不大于 1.0 × 10 -3 % ，其純度為 5 個 9 （ 99.999 ）簡寫為 5N

    對高純試劑或高純元素純度或雜質含量的檢驗，一般常用原子吸收光譜、原子發射光譜、色譜、質譜比色化學分析等方法進行測定。其陰離子規格原則上參照試劑優級標準，沒有優級標準的產品由生產單位自行制定。根據用途不同，把高純試劑又分成幾大類：

    普通離純試劑 ：

    是指一些高純單質金屬、氧化物、金屬鹽類等，常用于原子能工業材料、電子工業材料、半導體基礎材料等，金屬單質的氧化物、用來配制標準溶液和作為標準物質，該類試劑常要求含量在 4N-6N 之間。

    超凈電子純試劑 ：

    超凈高純試劑是集成電路（ IC ）工藝中的化學品，用于硅片清洗、光刻、腐蝕工序中。對這種高純試劑中可溶性雜質和固態微粒要求非常嚴格，為適應 IC 集成度不斷提高的需求，上半導體工業協會（ Semiconductor Industry Association ）近來推出 Semic7( 適合 0.8-1.2 微米工藝技術 ) 和 Semic8( 適合于 0.2-0.6 微米工藝技術 ) 級別的試劑質量標準。我國在原有 MOS 級、 BV-I 級試劑的基礎上，又制定出 BV-II 級和 BV-III 級試劑標準（相當于 Semic7 ）。我研究所也研制多種 MOS 級、 BV-I 級 BV-II 級和部分 BV-III 級試劑，其顆粒度（ 0.5 微粒顆粒）≤ 25-100 個∕ ml ，金屬雜質總量≤ 10 -3 — 10 - 5 ﹪

    光刻膠高純試劑 ：

    光刻工藝是一種表面加工技術，在半導體電子器件和集成電路中占有重要地位。為在表面實現選擇性腐蝕，采用一類具有抗蝕作用的感光樹脂材料作為抗蝕涂層，稱為抗蝕劑，國內通稱光刻膠。按照溶解度的不同而將光刻膠分為“正性”光刻膠和“負性”光刻膠，按所用曝光光源和輻射光源的不同，又可將其分為紫外、遠紫外、電子束、 X 射線等光刻膠。

    光刻膠是微細圖形加工的一種關鍵試劑，要求水分低、金屬雜質含量低（≤ 10 -6 ）

    磨拋光高純試劑 ：

    是指用于硅單晶片表面的研磨和拋光的高純度試劑。它又分磨粉（三氧化二鋁）和磨液（水和油劑），能研磨表面達到微米級加工精度。這類試劑要求顆粒粒度小（納米），純度高，金屬雜質一般要求 2.0 × 10 -4 — 5 × 10 -5 ﹪

    液晶高純試劑

    液晶是一類電子化學材料，是指在一定溫度范圍內呈現介于固相和液相之間的中間相的有機物。它既有液態的流動性也有晶態的各向異性，有時人稱他為第四態。

    液晶種類繁多，用途guang，前景大的要屬 TN( 低檔 ) 、 STN （中高檔）、 TFT （高檔）型。 TN 、 STN 及TFT 三種型號所組成的單體液晶，主要包括芳香酯類、聯苯類、苯基環已烷類、鐵電類以及含氟液晶品等五種，它們是當今及今后使用及發展的主要對象。這類高純試劑要求含量高（≥ 99 ﹪），水分含量低（≤ 10 -6 ），金屬雜質含量少（≤ 10 -6 ）。

    借助液晶*的光、電子特性可以用于檢查飛機、人選衛星等裝置上的缺陷，在醫學上用來診斷癌癥、結核等病癥。