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普賽斯高精度直流大電流源表標準的SCPI指令集，上位機軟件功能豐富、支持二次開發集成，可用于大電流脈沖測試、微弱電流信號測試場景，Z大脈沖輸出電流達10A

半導體器件特性曲線掃描儀認準生產廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯儀表專注于半導體電性能測試領域，基于高精度數字源表綜合實驗平臺，可提供多種實驗測量環境，搭配豐富的測試...

半導體分立器件測試儀+IV曲線掃描認準武漢普賽斯儀表，普賽斯是國內生產源表的廠家，產品系列豐富：產品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產品已經過了市場的考驗、市面有近5...

MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是 一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體 器 件，可 以 廣 泛 應 用 在 模 擬 電 路 和 數 字 ...

普賽斯高電壓大電流igbt測試儀，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）...

GaN射頻功放IV測試脈沖恒壓源支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測量；主要特點有：脈沖電流大，Z高可至10A；脈沖寬度窄，Z小可低至100ns；支持...

霍爾效應是一種電磁感應現象，當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場，霍爾效應測試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻...

普賽斯多表合一數字源表標準的SCPI指令集，Y秀的性價比，良好的售后服務與技術支持；普賽斯儀表是手家國產數字源表生產廠家，產品已經歷3年迭代完善，對標2400、...

普賽斯以自主研發為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態測試系統、大功率激...

MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、...

國產源表哪家好,認準普賽斯儀表,高新企業，普賽斯全新升級S系列數字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,半導體測試...

大電流傳感器測試系統動靜態參數測試可測量不同電流傳感器的靜態與動態參數，具有大電流特性、極快的達到50A/us級上升沿、可測量KHz級帶寬等特點，能實現零點漂移...

IGBT靜態參數主要包含:柵極-發射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發射極漏電流lGEs、集電極-發射極截止電流lcEs、集電極-發射極飽和電壓VcE(sat)...

普賽斯全新升級S系列數字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,直流3A高精密電流源半導體測試領域的經典產品!

CP系列GaNGaAs高速器件IV測試脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設備支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測...

普賽斯半導體功率器件分析儀集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參...

普賽斯儀表推出的IGBT耐壓測試高壓源10ms級的上升沿和下降沿；單臺最大3500V的輸出；同步電流測量；

普賽斯全新升級S系列數字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,半導體測試領域的經典產品！國產新一代S300B數字源...

普賽斯儀表推出的IGBT擊穿電壓測試高壓源10ms級的上升沿和下降沿；單臺最大3500V的輸出；同步電流測量；

HCPL100型脈沖大電流源具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。