普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對半導體特性曲線儀IV+CV測試機感興趣，歡迎隨時聯系我們！

產品特點：

30μV-1200V；1pA-100A寬量程測試能力；

測量精度高，全量程下可達0.03%精度；

內置標準器件測試程序，直接調用測試簡便；

自動實時參數提取，數據繪圖、分析函數；

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強；

免費提供上位機軟件及SCPI指令集；

典型應用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導體材料/器件；

有機OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數和霍爾效應測量；

太陽能電池；

非易失性存儲設備；

失效分析；

系統技術規格

半導體特性曲線儀IV+CV測試機訂貨信息

模塊化構成：

低壓直流I-V源測量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流工作模式
-Z大電壓300V，Z大直流1A或3A可選
-最小電流分辨率10pA
-四象限工作區間
-支持二線，四線制測試模式
-支持GUARD保護

低壓脈沖I-V源測量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流、脈沖工作模式
-Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選，Z大脈沖電流10A或30A可選
-最小電流分辨率1pA
-最小脈寬200μs
-四象限工作區間.
-支持二線，四線制測試模式
-支持GUARD保護

高壓I-V源測量單元
-精度0.1%    
-Z大電壓1200V,Z大直流100mA

-最小電流分辨率100pA
-一、三象限工作區間
-支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護

高流I-V源測量單元

-精度0.1%
-直流、脈沖工作模式.
-Z大電壓100V，Z大直流30A,Z大脈沖電流100A
-最小電流分辨率10pA

-最小脈寬80μs
-四象限工作區間
支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護

電壓電容C-V測量單元

-基本精度0.5%
-測試頻率10hZ~1MHz，可選配至10MHz
-支持高壓DC偏置，Z大偏置電壓1200V
-多功能AC性能測試，C-V、 C-f、 C-t

硬件指標-IV測試

半導體材料以及器件的參數表征，往往包括電特性參數測試。絕大多數半導體材料以及器件的參數測試，都包括電流-電壓(I-V)測量。源測量單元(SMU)，具有四象限，多量程，支持
四線測量等功能，可用于輸出與檢測高精度、微弱電信號，是半導體|-V特性測試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶可根據測試需求靈活配置不同規格,以及不同數量的搭配，實現測試測試效率與開支的平衡。

靈活可定制化的夾具方案

針對市面上不同封裝類型的半導體器件產品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可
用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管，模組類產品的測試;也可與探針臺連接，實現晶圓級芯片
測試。

探針臺連接示意圖