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PMST-3500V SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

參考價訂貨量

10000

≥1臺

具體成交價以合同協議為準
  • 型號PMST-3500V
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時間2024-11-15
  • 廠商性質生產廠家
  • 入駐年限3
  • 實名認證已認證
  • 產品數量440
  • 人氣值78693
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      基于普賽斯電子領X的光學與光電技術、微弱信號處理與抗干擾技術、高速數字信號處理、核心算法與系統集成等技術平臺優勢,公司自主研發了高精度臺式數字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數據采集卡等國產化電性能測試儀表,以及mini LED測試系統、電流傳感器測試系統、功率器件靜態參數測試系統等。產品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應式服務等優勢,廣泛應用于新型半導體器件材料分析、半導體分立器件測試、集成電路測試、高校教學實訓平臺等應用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構建自定義解決方案,同時滿足行業對測試效率、測試精度、供應鏈安全以及規?;奶魬?。

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產地國產 加工定制
SiC功率半導體因優勢成行業熱點,但面臨復雜應力挑戰。性能表征測試分靜態和動態,要求高。普賽斯提供一站式高精密測試解決方案,滿足行業高精度、大范圍測試需求,具有模塊化設計,易用且可擴展。 SiC GaN三代半功率器件參數分析儀認準普賽斯儀表咨詢
SiC GaN三代半功率器件參數分析儀 產品詳情


功率半導體應用現狀


隨著新能源汽車800V高壓快充技術的興起,SiC憑借其高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優勢,成為功率半導體產業競相追逐的“風口”。在實際應用中,搭載碳化硅功率器件的高壓系統通常能夠在短短十多分鐘內將電池電量從10%快速充至80%。然而,SiC功率器件在運行時會承受復雜的電-磁-熱-機械應力,其電壓電流能力的提升,開關速度和功率密度的提升,對器件的性能和可靠性提出了更高的要求。


SiC GaN三代半功率器件參數分析儀



   功率半導體器件在使用過程中可能會因為多重因素導致失效,而這些不同因素所引發的失效形式也各不相同。因此,對失效機理進行深入分析以及準確辨識缺陷,是提高器件性能的重要前提。

SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

功率半導體性能表征

測試挑戰


     功率半導體的性能表征(SiC GaN三代半功率器件參數分析儀認準武漢普賽斯儀表,最早主要以測試二極管和三極管等分立器件的DC參數為主。MOSFET和SiC、GaN       出現后,測試技術研究的重點放在 GaN HEMT、SiC    MOS、IGBT單管、PIM(即IGBT模組)等類型的產品上。根據測試條件不同,功率器件被測參數可分為兩大類:靜態特性測試和動態特性測試。靜態特性測試主要是表征器件本征特性指標,如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流ICES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導Gfs、二極管壓降VF、導通內阻RDS(on)等;動態參數是指器件開關過程中的相關參數,這些參數會隨著開關條件如母線電壓、工作電流和驅動電阻等因素的改變而變化,如開關特性參數、體二極管反向恢復特性參數及柵極電荷特性參數等,主要采用雙脈沖測試進行。

     靜態參數是動態指標的前提,目前功率半導體器件的靜態特性主要是依據半導體器件公司提供的Datasheet來進行測試。然而,功率半導體器件常被應用于高速開通及關斷工作狀態下,器件絕大部分失效機理都發生在動態變化過程中,因此動、靜態參數的測試對功率半導體器件都很重要。此外,以SiC為代表的第三代半導體器件耐壓等級更高,且經過串/并聯應用于更高電壓/功率等級的裝備,對制造過程各階段的測試要求也提出了新的挑戰:

1

SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

靜態測試高電流電壓等級與閾值電壓漂移

    隨著功率半導體器件(如MOSFET、IGBT、SiC    MOS)規格的不斷提升,靜態測試中的電流電壓等級要求也越來越高,要求測試系統必須能夠穩定、準確地提供和測量高電壓和大電流。同時還需要在測試過程中減少施加應力的時間,以防止器件過熱損壞。此外,SiC閾值電壓漂移是功率器件測試過程中常見的問題,閾值電壓漂移會對功率器件的開關特性產生影響,可能會引起器件的誤導通,從而導致器件的損壞。


SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

圖:JEDEC JEP183、CASAS中Sic VGS(th)的測試標準


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SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

動態測試寄生電感與寄生電容的影響

及測試設備要求

    在功率半導體器件的動態測試過程中,寄生電感和寄生電容對測試結果影響巨大。寄生電感主要來源于PCB連接線以及器件封裝,而功率器件的電流變化率大,使寄生電感對測試結果也會產生影響。同時,雙脈沖測試電路中除了器件的結電容外,續流二極管和負載電感上均存在寄生電容,這兩個寄生電容對器件的開通過程有明顯影響。此外,功率器件的開關速度高,要求測試設備具有較高的帶寬以準確采集開關波形的上升沿和下降沿。


3

SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

全測試流程節點增加

     對于PIM和IPM等功率模塊,實際是由單管組合的,單管的良率和質量將直接影響模塊的成本和質量,為降低模塊的封裝和制造成本,業內已經考慮增加測試節點和測試左移,從 CP+FT 測試,變為 CP + KGD + DBC +    FT測試。


SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

圖:功率半導體器件測試流程節點

SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

普賽斯功率半導體一站式測試

解決方案


    為應對行業對功率半導體器件的測試需求,普賽斯儀表以核心源表為基礎,正向設計、精益打造了一站式高精密電壓-電流的功率半導體電性能測試解決方案,廣泛適用于從實驗室到小批量、大批量產線的權方位應用。設備具有高精度與大范圍測試能力(10kV/6000A)、多元化測試功能(直流IV/脈沖IV/CV/跨導)、高低溫測試能力(-55℃~250℃),滿足功率半導體行業對測試能力、精度、速度及穩定性的高要求。

SiC GaN三代半功率器件參數分析儀




SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

圖:PMST功率器件靜態參數測試系統




SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

圖:PSS TEST靜態高低溫半自動測試系統




SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

圖:PMST-MP 靜態參數半自動化測試系統




SiC GaN三代半功率器件參數分析儀

圖:PMST-AP 靜態參數全自動化測試系統

     精準始于源頭。普賽斯儀表作為帥先自主研發、國內手家將高精密源/測量單元SMU產業化的企業,經過長期深入的研發應用,已經掌握了源測量單元的邏輯與算法,確保測試結果的準確性與可靠性。PMST功率器件靜態測試系統系列產品采用模塊化的設計結構,集成自主研發的高壓測試單元、大電流測試單元、小功率測試單元,為用戶后續靈活添加或升級測量模塊以適應不斷變化的測量需求,提供了極大便捷和蕞性價比,具有高度易用性和可擴展性,任何工程師都能快速掌握并使用。

目前,普賽斯儀表功率器件靜態參數測試系統已經銷往全國并出口海外,被國內外多家半導體頭部企業認可。我們堅信,通過持續的技術研發與國際合作,秉持創新印、質量為先的理念,不斷突破技術壁壘,優化產品性能,未來普賽斯儀表將為全球客戶提供更加精準、高效、可靠的功率半導體測試解決方案。SiC GaN三代半功率器件參數分析儀認準普賽斯儀表咨詢



關鍵詞:儀表 標準
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