| | 設(shè)備簡介：
PECVD（等離子增強化學(xué)氣相沉積）技術(shù)是借助于等離子體的輝光放電使得含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜生長的一種制備技術(shù)，主要用于硅的氧化物或者氮化物的沉積；高溫爐采用的是高純硅碳棒加熱的原理，可以實現(xiàn)高溫?zé)Y(jié)，適用于大多數(shù)材料的熱處理以及熔煉工藝，整體采用制造工藝，并且從美學(xué)藝術(shù)角度出發(fā)，根據(jù)人體安全的角度進行設(shè)計。它采用PLC控制，觸摸屏操作。 |
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配置詳情
 | 主要特點：
1、高溫?zé)Y(jié)。 2、控制穩(wěn)定可靠，操作方便，安全防護措施完善。 3、采用*的PID自學(xué)習(xí)模糊控制，控溫精度高，保持在±1℃。 4、爐襯采用高純氧化鋁輕質(zhì)纖維材料，保溫效果更好，節(jié)能降耗。 5、具有物聯(lián)網(wǎng)功能（WIFI），可通過手機、電腦遠程對設(shè)備進行監(jiān)控，操作。 6、數(shù)據(jù)存儲功能，可保存燒結(jié)的重要參數(shù)，時長達30天之久（每天開機8小時）。 7、配方功能，可預(yù)存配方20條以上。 8、聯(lián)網(wǎng)功能，通過RJ45接口，采用TCP/IP協(xié)議，可以讓系統(tǒng)與上位機相連（上位機需安裝相應(yīng)軟件）。
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| 型號 | NBD-PECVD1500-80TID3ZY | |||
| 供電電源 | 單相220V 50HZ | |||
| 控溫精度 | ±1℃ | |||
| 觸摸屏尺寸 | 7" | |||
| 射頻頻率 | 13.56MHz | |||
| 射頻功率輸出范圍 | 0-500W | |||
| 沉積加熱額定功率 | 3KW | |||
| 傳感器類型 | S 型φ8*180mm | |||
| 沉積溫度 | 1500℃ | |||
| 沉積額定溫度 | 1450℃ | |||
| 推薦升溫速率 | ≤5℃/min | |||
| 爐管材質(zhì)及規(guī)格 | 剛玉Φ80*1200mm 外徑*長度（厚度） | |||
| 沉積管徑 | Φ80mm*1200mm | |||
| 爐膛尺寸 | 單個溫區(qū)長175*高160*深140mm | |||
| PECVD外形尺寸 | 長1500×高1350×深830mm | |||
| 氣氛條件 | 混合氣、真空等 | |||
| 滑動方式 | 電機驅(qū)動同步帶 | |||
| 電機轉(zhuǎn)速 | 3-4轉(zhuǎn)每分鐘 | |||
| 一轉(zhuǎn)行程 | 114mm | |||
| 推拉行程 | 340mm 爐膛中心到線圈中心的距離 | |||
| 機械泵抽氣速率 | 5m3/h | |||
| 爐腔極限真空度 | 3~5Pa | |||
| 重量 | 約240KG | |||
| 設(shè)備細(xì)節(jié) | | | ||
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流程控制畫面 | | |||
| 控制系統(tǒng) | 1、燒結(jié)工藝曲線設(shè)置：動態(tài)顯示設(shè)置曲線，設(shè)備燒結(jié)可預(yù)存多條工藝曲線，每條工藝曲線可自由設(shè)置； 2、可預(yù)約燒結(jié)，實現(xiàn)無人值守?zé)Y(jié)工藝曲線燒結(jié)； 3、實時顯示燒結(jié)功率電壓等信息并記錄燒結(jié)數(shù)據(jù)，并可導(dǎo)出實現(xiàn)無紙記錄； 4、具有實現(xiàn)遠程操控，實時觀測設(shè)備狀態(tài)； 5、溫度校正：主控溫度和試樣溫度的差值，燒結(jié)全程進行非線性修正。 |  | ||
| 重量 | 約240KG | |||
| 設(shè)備使用注意事項 |
1. 射頻匹配器一般處于自動匹配狀態(tài)，一般功率需達到50W以上才能匹配； | |||
| 服務(wù)支持 | 一年有限保修，提供終身支持； | |||
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