遠源等離子濺射系統不同與射頻磁控濺射系統,它是通過靶材遠處產生高密度等離子體完成濺射的。等離子體經PLS出口的發射電磁線圈放大,并由匯聚線圈完成等離子方向的匯聚與控制,覆蓋靶材表面。靶面通過施加負偏壓,在表面形成高密度電流,靶材得到均勻的刻蝕,相對于常規磁控濺射,減少了靶中毒的現象,對非金屬薄膜提高了沉積速率。同時可在靶材上施加直流偏壓,用于濺射絕緣靶材。
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