公司簡介：西安天光測控技術有限公司是一家專業從事半導體功率器件測試設備研發、生產、銷售的*。產品有半導體分立器件測試篩選系統。Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOS , DIODE , BJT , SCR的電參數及可靠性和老化測試。靜態單脈沖（包括導通、關斷、擊穿、漏電、增益等直流參數）動態雙脈沖（包括Turn_ON_L, Turn_OFF_L , FRD , Qg）Rg , UIS , SC , C, RBSOA 等。環境老化測試（包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等）熱特性測試（包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等）各類全系列測試設備。廣泛應用于半導體器件上游產業（設計、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板）和下游產業（院所高校、電子廠、軌道機車、新能源汽車、白色家電等元器件的應用端產業鏈）

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產地	國產	加工定制	是

分立器件測試儀MOSFET動態參數測試
用于測試器件級的 Diode,IGBT,MOSFET動態交流參數
1200V/100A，短路電流2500A
替代ITC57300，多項功能及指標優于ITC57300

分立器件測試儀MOSFET動態參數測試產品詳情

分立器件測試儀MOSFET動態參數測試

用于測試器件級的 Diode,IGBT,MOSFET動態交流參數

1200V/100A，短路電流2500A

替代ITC57300，多項功能及指標優于ITC57300

歡迎垂詢：Tel:173 -4295 -2894

? 技術規格

基礎能力	大輸出能力：電壓1200V電流200A 小時間測量值：0.1ns Windows系統的控制計算機水印簽字西安天光測控水印簽字 LabVIEW軟件界面水印簽字西安天光測控水印簽字
物理規格	單機尺寸：800×800×1800mm水印簽字西安天光測控水印簽質量：165千克水印簽字西安天光測控水印簽字系統功耗：200w
ST-AC1200_S_R 開關時間（阻性）測試單元美軍標750 方法為3472	脈寬：0.1us~100us步進0.1µs 柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V 柵極電流大10A水印簽字西安天光測控水印簽字漏極電流大75A（支持擴展200A、500A）占空比小于0.1%水印簽字西安天光測控水印簽字 VDD/漏極電壓 5V~100 V分辨率0.1V 100 V~1200V分辨率1.0V
ST-AC1200_D 反向恢復特性測試單元美軍標750 方法3473	IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率 50~200A@0.5A分辨率 di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS 1.0A/ns Steps VR/反向電壓：20~1200V IRM/反向電流：總正向和反向大電流200A以內。占空比：＜1.0%水印簽字西安天光測控水印簽字* TRR/反向恢復時間范圍：1ns~2us VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps Qrr/反向恢復電荷：0.1nC~100uC
ST-AC1200_Q 柵電荷測試單元美軍標750，方法3471	柵極電流：0~10mA@10uA分辨率柵級電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電流（固態負載）：1~25A@0.1A分辨率分辨率水印簽字西安天光測控水印簽字漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L 開關時間（感性）測試單元美軍標750，方法3477	漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率水印簽字西安天光測控水印簽字電感：0.1mH至159.9mH（外掛）柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps ，1.0V Steps
ST-AC1200_S 短路特性測試單元美軍標750，方法3479	*大電流：標配200A（選配1000A）脈寬：1us~100us 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電壓5V~100V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_RC 柵電阻結電容測試單元 JEDEC Std JESD24-11	Rg/柵電阻：0.1~100Ω水印簽字西安天光測控水印簽字結電容參數：Ciss，Coss，Crss 漏極偏置電壓：1200V*大柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率頻率：標配0.1MHZ~1MHZ
電網環境	AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印簽字西安天光測控水印簽字

主要用于測試二極管、IGBT、MOS動態特性參數，產品功能指標對標ITC57300,對標資料如下。

資料說明：

對比內容：半導體分立器件動態參數測試系統
對比廠商：美國ITC公司（下文簡稱ITC）、西安天光測控技術有限公司（下文簡稱西安天光）
對比型號：ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X

MOSFET動態參數測試儀 以ITC57300作為參考標準，西安天光的產品資料中“藍色字體”為西安天光的減分項（指標低于ITC57300），“紅色字體”為西安天光的加分項（指標高于ITC57300），“黑色字體”表示雙方指標*。

美國ITC公司
ITC57300

西安天光測控技術有限公司
ST-AC1200_X

基礎能力			大輸出能力：電壓1200V電流200A 小時間測量值：1.0ns Windows系統的控制計算機 LabVIEW軟件界面水印簽字西安天光測控水印簽字
物理規格			高=76英寸寬=44英寸(包括顯示器和鍵盤) 深=50英寸(包括接收器) 重=550磅
ITC57210	開關時間（阻性）測試單元	美軍標750 方法為3472	脈寬：0.1µs~10µs 步進0.1µs 柵極電壓±20V分辨率0.1V 柵極電流大1.0A 漏極電流大200A 占空比小于0.1% VDD/漏極電壓 5V~100 V分辨率0.1V 100 V~1200V分辨率1.0V 水印簽字西安天光測控水印簽字
ITC57220	反向恢復特性測試單元	美軍標750 方法3473	IF/正向電流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率 di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS 1.0A/ns Steps VR/反向電壓：20~1200V IRM/反向電流：總正向和反向大電流200A以內。占空比：＜1.0% TRR/反向恢復時間范圍：10ns~2.0us VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps Qrr/反向恢復電荷：1nc~100uC 水印簽字西安天光測控水印簽字*
ITC57230	柵電荷測試單元	美軍標750 方法3471	柵極電流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率 20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率柵電壓范圍：±20V@±0.1V分辨率漏極電流（固態負載）：1~25A@0.1A分辨率分辨率漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps 水印簽字西安天光測控水印簽字
ITC57240	開關時間（感性）測試單元	美軍標750 方法3477	漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率電感：0.1mH至159.9mH 柵極電壓：±20V@0.1V分辨率漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps ，1.0V Steps 水印簽字西安天光測控水印簽字
ITC57250	短路特性測試單元	美軍標750 方法3479	大電流：1000A 脈寬：1us~100us 柵驅電壓：±20V@0.1V分辨率漏極電壓5V~100V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps 水印簽字西安天光測控水印簽字*
ITC57260	柵電阻結電容測試單元	JEDEC Std JESD24-11	Rg/柵電阻：0.1~50mΩ 結電容參數：Ciss，Coss，Crss 漏極偏置電壓：1200V*大柵極偏置電壓：±20V 頻率：0.1MHZ~4MHZ
電網環境			220V 50~60 Hz單相可選擇240V 220V/12A 20A 30A 水印簽字西安天光測控水印簽字

基礎能力	大輸出能力：電壓1200V電流200A 小時間測量值：0.1ns Windows系統的控制計算機 LabVIEW軟件界面水印簽字西安天光測控水印簽字
物理規格	單機尺寸：800×800×1800mm 質量：165kg 系統功耗：200w
ST-AC1200_S_R 開關時間（阻性）測試單元美軍標750 方法為3472	脈寬：0.1us~100us步進0.1µs 柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V 柵極電流大10A 漏極電流大75A（支持擴展200A、500A）占空比小于0.1% VDD/漏極電壓 5V~100 V分辨率0.1V 100 V~1200V分辨率1.0V 水印簽字西安天光測控水印簽字
ST-AC1200_D 反向恢復特性測試單元美軍標750 方法3473	IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率 50~200A@0.5A分辨率 di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS 1.0A/ns Steps VR/反向電壓：20~1200V IRM/反向電流：總正向和反向大電流200A以內。占空比：＜1.0% TRR/反向恢復時間范圍：1ns~2us VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps Qrr/反向恢復電荷：0.1nC~100uC 水印簽字西安天光測控水印簽字*
ST-AC1200_Q 柵電荷測試單元美軍標750，方法3471	柵極電流：0~10mA@10uA分辨率柵級電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電流（固態負載）：1~25A@0.1A分辨率水印簽字西安天光測控水印簽字漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L 開關時間（感性）測試單元美軍標750，方法3477	漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率電感：0.1mH至159.9mH（外掛）柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps ，1.0V Steps 水印簽字西安天光測控水印簽字
ST-AC1200_S 短路特性測試單元美軍標750，方法3479	大電流：標配200A（選配1000A）脈寬：1us~100us 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電壓5V~100V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps 水印簽字西安天光測控水印簽字*
ST-AC1200_RC 柵電阻結電容測試單元 JEDEC Std JESD24-11	Rg/柵電阻：0.1~100Ω 結電容參數：Ciss，Coss，Crss 漏極偏置電壓：1200V大柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率頻率：標配0.1MHZ~1MHZ（￥3W） 0.1MHZ~4MHZ（￥15W）水印簽字西安天光測控水印簽字*
電網環境	AC220V±10%，50Hz±1Hz。

其它測試功能（加分項）

雪崩特性測試單元
EAS
IAS
PAS
di/dt測試單元
dv/dt測試單元
靜態參數測試單元（可測試IGBT、MOSFET、二極管的靜態直流參數）
安全工作區/RBSOA
熱阻（包括穩態熱阻和瞬態熱阻）

產品系列

晶體管圖示儀

半導體分立器件測試篩選系統

靜態參數（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）

動態參數（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等）

環境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）

熱特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）

可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs等功率器件

關鍵詞：標準顯示器

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產品名稱	參考價	地區	公司名稱	更新時間
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基礎能力	大輸出能力：電壓1200V電流200A 小時間測量值：0.1ns Windows系統的控制計算機水印簽字西安天光測控水印簽字 LabVIEW軟件界面水印簽字西安天光測控水印簽字
物理規格	單機尺寸：800×800×1800mm水印簽字西安天光測控水印簽質量：165千克水印簽字西安天光測控水印簽字系統功耗：200w
ST-AC1200_S_R 開關時間（阻性）測試單元美軍標750 方法為3472	脈寬：0.1us~100us步進0.1µs 柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V 柵極電流大10A水印簽字西安天光測控水印簽字漏極電流大75A（支持擴展200A、500A）占空比小于0.1%水印簽字西安天光測控水印簽字 VDD/漏極電壓 5V~100 V分辨率0.1V 100 V~1200V分辨率1.0V
ST-AC1200_D 反向恢復特性測試單元美軍標750 方法3473	IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率 50~200A@0.5A分辨率 di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS 1.0A/ns Steps VR/反向電壓：20~1200V IRM/反向電流：總正向和反向大電流200A以內。占空比：＜1.0%水印簽字西安天光測控水印簽字* TRR/反向恢復時間范圍：1ns~2us VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps Qrr/反向恢復電荷：0.1nC~100uC
ST-AC1200_Q 柵電荷測試單元美軍標750，方法3471	柵極電流：0~10mA@10uA分辨率柵級電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電流（固態負載）：1~25A@0.1A分辨率分辨率水印簽字西安天光測控水印簽字漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L 開關時間（感性）測試單元美軍標750，方法3477	漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率水印簽字西安天光測控水印簽字電感：0.1mH至159.9mH（外掛）柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps ，1.0V Steps
ST-AC1200_S 短路特性測試單元美軍標750，方法3479	*大電流：標配200A（選配1000A）脈寬：1us~100us 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率漏極電壓5V~100V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_RC 柵電阻結電容測試單元 JEDEC Std JESD24-11	Rg/柵電阻：0.1~100Ω水印簽字西安天光測控水印簽字結電容參數：Ciss，Coss，Crss 漏極偏置電壓：1200V*大柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率頻率：標配0.1MHZ~1MHZ
電網環境	AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印簽字西安天光測控水印簽字

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ST-AC1200_X 分立器件測試儀MOSFET動態參數測試

資料說明：

對比欄

提示

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ST-AC1200_X 分立器件測試儀MOSFET動態參數測試

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