大功率半導體器件靜態參數測試系統
ST-DC2548
可測試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態直流參數
(測試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件)
主極輸出 2500V / 50~4800A,分辨率*高至1mV / 10pA,歡迎垂詢:Tel:173 -4295 -2894
大功率半導體器件靜態參數測試系統產品特點:
大電流、高電壓: | 安全性: |
1:50A/2500V; | 1)選擇測試端口、測試盒錯誤的提示; |
2:400A~4800A, 5kV~10kV(20kV可定制); | 2)選擇器件測試種類錯誤的提示; |
多品種多參數: | 3)器件管腳插入方向及連接錯誤的提示; |
12種半導體器件 ,137個測試參數; | *性: |
高精度: | *IGBT 6-1、4-1、2-1; |
高精度放大器電路和低雜訊的測量回路,可準確的捕捉到小電流下的mV級導通壓降與mΩ級導通電阻; | 易用性: |
觸摸屏操作,腳踏開關控制;測試菜單簡潔專業,可快速操作; | |
自動化: | 一體化: |
參數測試自動化,無需復雜設置; | 整機測控一體式設計; |
動態參數測試: | 圖示儀: |
IGBT及MOSFET擴散電容參數; | 內置圖示儀功能; |
柵極輸入阻抗動態參數測試; |
一臺高性價比、安全、穩定、可靠、易用的半導體器件參數測試儀
•測試12種半導體器件多達137個參數
•強大的測試能力,提供高達10kV/4800A的測量源,保證了對各種大功率器件的測試
•高精度的放大器電路和低雜訊的測量回路可準確的捕捉到小電流下的mV級導通壓降與mΩ級導通電阻;
•自校準功能保證設備隨時處于良好狀態
•多重安全性提示:選擇測試端口、測試盒錯誤的提示;選擇器件測試種類錯誤的提示;器件管腳方向及連接錯誤的提示。有效防止測試錯誤造成設備和被測器件的損壞。
•儀器操作簡單方便:采用觸控屏幕操作,腳踏開關控制;簡潔專業的測試菜單,可快速操作
•動態參數測試:測量MOSFETs及IGBTs擴散電容參數(Cies,Coes,Cres,Ciss,Coss,Crss)及柵極的輸入阻抗參數(Zin),幫助用戶篩選出低損耗、高效率的器件。
•內置圖示儀功能,快速繪制各種特性曲線
•自動化測試:提供全自動參數測量,無需復雜設置和連線;GO/NO GO模式自動判別被測器件好壞。
•恒溫控制的功能可將被測器件加熱至250℃(選配)
•的各種測試工裝,方便快速測試各種封裝的大功率器件
•具有機械手接口可連接探針臺供晶圓或成品量產測試
•*IGBT 6-1,4 -1,2-1模組:解決對模組中6,4,2個IGBT逐一測試的問題
•整機測控一體式機柜設計,無需單獨連接PC,占地小操作方便。
•安全啟動測試的功能,防止使用者因誤啟動而觸電
•USB接口,可同時外接打印機,鍵盤,與鼠標
•提供精確的“開爾文”測量回路,或可自動校準的“非開爾文”測量
•測試脈沖10us~300us,連續可調
鉗式測試工裝
此工裝適用于各種圓碟型的封裝如 GTOs,SCRs,Triacs,及Diodes,此工裝旋緊時可加壓在被測件上,使其內部的接觸點連接上才可測試。
具有恒溫控制的電熱平臺
此電熱平臺可根據 9000系列所設定的溫度將被測器件加熱到真正工作時的*高溫度并持續保持,隨后系統再對器件進行測試。
具有恒溫控制的大功率模塊測試工裝
此工裝可大大簡化在測試IGBT等大功率模塊之前的各項準備工作.只需將被測模塊放在平臺預定位置上并對準接觸點,將工裝的把手用力拉下即可緊密的與測試電纜相連接,測試完成后將把手扳回,模塊即可取出。此恒溫控制的電熱平臺,可將器件加熱至其*高的工作溫度后再進行測試。
IGBT和MOSFET模塊
可選的IGBT和MOSFET模塊允許測試IGBT(6*合1, 4合1,2合1)和MOSFET組件。 測試采用開爾文連接,確保測量準確。一個單元測試完成后會依次激活隨后的單元,直到測試完成所有單元。若組件內有特制的IC控制器,則需要額外的軟件設計,以便控制每一單元的測試。
超大功率的電磁閥繼電器
這個具有UL標準的功率機箱對空氣及潮濕等環境因素具有*隔離及密封的效果,不會因為外在環境的改變而影響到對大電流的導通和對高壓的阻隔,從而改變測試結果。這二個DPDT繼電器,可提供3600A的電流及10KV電壓的切換(Patent Pending).
腳踏開關
大功率半導體器件靜態參數測試系統廠家直供