石墨烯生長(zhǎng)爐由管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成 ，*高溫度可以達(dá)到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達(dá)到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計(jì)或浮子流量計(jì)，混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。
HS-1200G管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和宇電控溫儀表，能進(jìn)行30段程序控溫，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用日本進(jìn)口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場(chǎng)均衡、表面溫度低、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。
軟件控制系統(tǒng)：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過(guò)電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來(lái)，隨時(shí)可以調(diào)出。
產(chǎn)品用途：                                                       
石墨烯生長(zhǎng)爐可在片狀或類(lèi)似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類(lèi)金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于*、高精模具、硬質(zhì)涂層、裝飾等領(lǐng)域。