ENX2020  雪崩耐量測試系統

一、 概述

向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產生較大尖峰電壓的應用場合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應用場合，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時，初級會產生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產生*的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發設計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業測試設備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

ENX2020  雪崩耐量測試系統，該設備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護電路、計算機控制系統、雪崩電壓采集系統、雪崩電流采集系統、測試夾具、測試標準適配器、外接測試端口（根據客戶需求）等多個部分。

二、 使用要求

l 進線電壓：AC220V±10%

l 電壓頻率：50Hz±1Hz

l 功率消耗：1.5KW（zui大功率）

l 環境溫度：10～50℃

l 工作濕度：溫度不高于+30℃時，相對濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%，無冷凝。

l 大氣壓力： 86Kpa～106Kpa

l 海拔高度：不超過3000米。

三、 技術指標

l 電源電壓：10-400V

l 保護電壓：100-5000V

l 雪崩能量：實測

l 雪崩電流：0.01A-200A

l 電感：10mH、20mH、40mH、100mH

l 電壓波形：方波

l 脈沖寬度：100uS-800mS

l 測試頻率：單次

四、 計算機功能介紹

計算機控制系統是該設備的中心控制單元。計算機采用的是研華工業控制機，機箱為610H型，抗電磁*力強，排風量大等特點。該套系統包括計算機、NI6221數據采集卡、USB5133波形采集卡、數字電路隔離、高速脈沖隔離、模擬隔離、電壓采樣、電流采樣。

1. NI6221數據采集卡主要功能控制機械運行，電容充放電和主要功率器件觸發。

2. USB5133是用來將被試元件兩端測試電壓電流采樣送給計算機，用來計算和顯示測試波形及數據。

3. 數字隔離板：計算機輸出信號經過光耦隔離后在進行放大用來驅動電磁閥和繼電器來完成自動控制。

4. 高速脈沖隔離：計算機輸出信號經過高速光耦隔離后在放大用來驅動功率型器件的觸發來完成測試。

5. 模擬隔離：計算機輸出信號經過模擬隔離集成塊ISO124后來控制電源電壓和保護電壓幅值。

6. 電壓采樣：將元件雪崩后兩端電壓采樣送到波形采集卡NI5133。

7. 電流采樣：將元件雪崩后流過的電流送到波形采集卡NI5133。

8. NI PCI6221端口功能介紹：

P1.0-選通10mH電感

P1.1-選通20mH電感

P1.2-選通40mH電感

P1.6-保護電壓換擋

P1.7-開始測試

P0.0-IGBT、IGBT、IGBT、IGBT、MOSFET、、、二次觸發

P0.1-檢測被試元件短路

P2.0-檢測準備好

P2.1-檢測故障

CTR0-測試脈沖

AO1-保護電壓設定

A00-電源電壓設定

CH0-電壓采集

CH1-電流采集

PFI-1