此設(shè)備具有以下測(cè)試單元。注：開(kāi)關(guān)時(shí)間，二極管反向恢復(fù)，柵極電荷需要可在分裝后測(cè)試，靜態(tài)參數(shù)及雪崩測(cè)試需要在加電容前測(cè)試。
開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試單元
開(kāi)啟延遲時(shí)間（Td（on）） 上升時(shí)間（Tr）
關(guān)斷延遲時(shí)間（Td（off）） 下降時(shí)間（Tf）
開(kāi)啟損耗Eon 關(guān)斷損耗Eoff
二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元
反向恢復(fù)時(shí)間（Trr） 反向恢復(fù)電荷（Qrr）
柵極
美國(guó)吉時(shí)利 替代品 易恩MOS測(cè)試儀
西安廠家直供大功率MOS動(dòng)靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
規(guī)格環(huán)境
A. 環(huán)境溫度： 25±10℃，
B． 相對(duì)濕度： 濕度不大于65%
C. 大氣壓力： 86Kpa～ 106Kpa
D. 工作電壓：三相五線制AC 380V±10%，或者單相三線制AC 220V±10%
E． 電網(wǎng)頻率： 50Hz±1Hz
F. 壓縮空氣： 0.4～0.6Mpa
G. 防護(hù)：無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；功能簡(jiǎn)介
此設(shè)備具有以下測(cè)試單元。注：開(kāi)關(guān)時(shí)間，二極管反向恢復(fù)，柵極電荷需要可在分裝后測(cè)試，靜態(tài)參數(shù)及雪崩測(cè)試需要在加電容前測(cè)試。
開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試單元
開(kāi)啟延遲時(shí)間（Td(on)） 上升時(shí)間（Tr）
關(guān)斷延遲時(shí)間（Td(off)） 下降時(shí)間（Tf）
開(kāi)啟損耗Eon 關(guān)斷損耗Eoff
二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元
反向恢復(fù)時(shí)間（Trr） 反向恢復(fù)電荷（Qrr）
柵極電荷測(cè)試單元
閾值電荷（Qg（th）） 柵電荷（Qg）
靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試單元
RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25
雪崩測(cè)試單元
雪崩電流（I），雪崩電壓(V)，雪崩能量(E)
測(cè)量的MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 參數(shù)名稱 | 符號(hào) |
開(kāi)通延遲時(shí)間 | td(on) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) |
上升時(shí)間 | tr | 下降時(shí)間 | tf |
開(kāi)通時(shí)間 | ton | 關(guān)斷時(shí)間 | toff |
開(kāi)通損耗 | Eon | 關(guān)斷損耗 | Eoff |
柵極電荷 | Qg | 拖尾時(shí)間 | tz |
測(cè)量的DIODE動(dòng)態(tài)參數(shù)
參數(shù)名稱 | 符號(hào) | 參數(shù)名稱 | 符號(hào) |
反向恢復(fù)時(shí)間 | trr | 反向恢復(fù)電荷 | Qrr |
