摘要NRE-3500型RIE-PE刻蝕機(jī)：PC控制的RIE刻蝕PE刻蝕一體機(jī)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2“的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設(shè)...

摘要 NIE-3500（A）全自動(dòng)IBE離子束刻蝕：是一款自動(dòng)放片/取片，并且工藝過程為全自動(dòng)計(jì)算機(jī)控制的緊湊型獨(dú)立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑。

摘要 NIM-4000（M）離子銑刻蝕系統(tǒng)：利用離子束轟擊固體表面的濺射作用，剝離加工各種幾何圖形，通過大面積離子源產(chǎn)生的離子束，可對(duì)固體材料濺射刻蝕，對(duì)固體器件進(jìn)行微細(xì)加工。

摘要NIE-4000（A）全自動(dòng)IBE離子束刻蝕：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無(wú)法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的...

摘要 NDR-4000（A）全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕：全自動(dòng)上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8“ ICP源。系統(tǒng)配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。

摘要NRE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICP刻蝕系統(tǒng)：自動(dòng)上下載片，帶ICP等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果?？蓪?shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介...

摘要NRE-3000 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)：PC控制的RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2“的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，真...

摘要NRE-3500（A）全自動(dòng)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)：自動(dòng)上下栽片，PC控制的RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜，13“頂蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.2“觀察.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，真空泵可以達(dá)到10-6 To...

摘要NRE-4000（A）全自動(dòng)反應(yīng)離子刻蝕：獨(dú)立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子以及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2“的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設(shè)...

摘要 LAM 2300刻蝕

摘要 SAMCO二手翻新刻蝕系統(tǒng)刻蝕機(jī)RIE-10NR產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：高度緊湊型設(shè)計(jì)，節(jié)約空間

摘要 AMAT沉積刻蝕設(shè)備蝕刻機(jī)P5000由半導(dǎo)體設(shè)備廠商美國(guó)應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials）生產(chǎn)，P5000系統(tǒng)是一臺(tái)成功的以單晶片、多反應(yīng)室理念而設(shè)計(jì)的量產(chǎn)與研發(fā)均適用的半導(dǎo)體制程設(shè)備

摘要 愛發(fā)科ICP刻蝕設(shè)備刻蝕系統(tǒng)NE-550EXz現(xiàn)貨，電極的刻蝕效果好，能夠進(jìn)行正確穩(wěn)定的刻蝕重點(diǎn)效果檢測(cè)，具有維護(hù)便利、性能穩(wěn)定、產(chǎn)能優(yōu)良等特點(diǎn)

摘要Hakuto 全自動(dòng)離子蝕刻機(jī) MEL3100 具有良好的均勻性和高蝕刻率, 刻蝕均勻度: 5%, 硅片 Si 蝕刻速率 10 nm/min, 具有高冷卻效果.所有流程全自動(dòng)減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無(wú)差錯(cuò)、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量.占用空間小, 容易維護(hù)和用戶操作友好...

摘要上海伯東日本小型 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE, 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 配置使用美國(guó) KRI 8cm 考夫曼離子源, 蝕刻均勻性:...

摘要上海伯東日本適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-C. 無(wú)論使用什么材料都可以用來(lái)加工.蝕刻均勻性: 5%, 硅片 Si 刻蝕速率 20 nm/min, 樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0~90度旋轉(zhuǎn), 因此射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可...

摘要上海伯東日本適合大規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J, 無(wú)論使用什么材料都可以用來(lái)加工.Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 配置使用美國(guó) KRI 20cm 考夫曼離子源, 蝕刻均勻性: 5%, 硅片 Si 刻蝕速率20 nm/min, 樣品...

摘要 上海伯東日本離子蝕刻機(jī) IBE 包含小型離子蝕刻機(jī)用于研究分析和大型離子蝕刻系統(tǒng)用于生產(chǎn)制造. Hakuto 離子蝕刻系統(tǒng)對(duì)磁性材料, 黃金, 鉑和合金金屬提供較佳蝕刻技術(shù). 它很容易做各種材料的蝕刻.上海伯東是日本伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) IBE 中國(guó)總代理

摘要上海伯東日本適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE.蝕刻均勻性: 5%, 硅 Si 刻蝕速率20 nm/min, 樣品臺(tái): 直接冷卻（水冷）0~90 度旋轉(zhuǎn).Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 內(nèi)部使用美國(guó) KRI 考夫曼離子源產(chǎn)生轟...

摘要 電子束實(shí)驗(yàn)儀 型號(hào)：LDX-HN-EB-II產(chǎn)品介紹：　　該儀器是我廠根據(jù)我國(guó)教學(xué)大綱規(guī)定的內(nèi)容研制的分組實(shí)驗(yàn)儀器，通過定量測(cè)量來(lái)研究電子在各種電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)變化規(guī)律。