伯東 KRI 聚焦型射頻離子源輔助磁控濺射沉積氧化銦錫 ITO 薄膜

氧化銦錫 ITO 薄膜 具有高電導(dǎo)率和可見(jiàn)光透過(guò)率、紫外光區(qū)強(qiáng)吸收、紅外區(qū)域高反射等特性, 已經(jīng)廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、等離子體液晶顯示器以及平板顯示器等領(lǐng)域.

某光學(xué)薄膜制造商用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 輔助磁控濺射沉積氧化銦錫 ITO 薄膜.

在其磁控濺射沉積工藝中, 沉積薄膜前首先對(duì)基片進(jìn)行離子轟擊處理去除基片表面吸附氣體和雜質(zhì), 然后離子源和磁控濺射靶同時(shí)工作沉積薄膜.

其磁控濺射沉積系統(tǒng)工作示意圖如下：

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

推薦理由：

聚焦型射頻離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

用于預(yù)清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 2000

伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列在售型號(hào)及技術(shù)參數(shù):

其濺射室需要沉積前本底真空抽到1×10^-5Pa, 經(jīng)推薦采用伯東分子泵組 Hicube 30 Eco, 其技術(shù)參數(shù)如下：

實(shí)際運(yùn)行結(jié)果：

1. 離子源輔助磁控濺射低溫沉積的ITO薄膜, 當(dāng) Ar、O2輔助離子束能量為 900eV 左右時(shí)能夠有效改善ITO薄膜的光電性能.

2. 離子束能量為 900eV左右時(shí), ITO薄膜處于非晶到多晶的轉(zhuǎn)變過(guò)程, 此時(shí)薄膜的電阻率小.

3. 采用離子源輔助磁控濺射技術(shù)在基片上制備了平均可見(jiàn)光透過(guò)率 81%、電阻率5.668x10^-4Ω.an、結(jié)構(gòu)致密且附著力良好的 ITO薄膜

4. 離子源的離子束轟擊能夠制造氧空位, 提高自有電子密度和載流子濃度.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口品牌的代理商.