一、應(yīng)用領(lǐng)域：
該設(shè)備為高真空ITO箱式鍍膜設(shè)備，主要用于沉積AZO、GZO等系列透明導(dǎo)電膜，金屬薄膜，半導(dǎo)體薄膜等，也可用于其他功能性薄膜的沉積。
1. 系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)ITO、AZO、GZO等系列透明導(dǎo)電膜的研究與工藝探索；
2. 可以完成單金屬、合金、多層膜的濺射沉積；
3. 可以完成氧化物、氮化物、碳化物等介質(zhì)膜的反應(yīng)濺射沉積；
4. 可以實(shí)現(xiàn)SiO2、Al2O3等絕緣材料的濺射沉積；
5. 可以進(jìn)行含有上述多層膜的功能膜研究開發(fā)；
二、性能參數(shù)：
1、雙腔室結(jié)構(gòu)（含工藝腔室及進(jìn)出樣室）；
2、濺射樣品尺寸約450×250mm；
3、磁控濺射靶四支，其中兩支為孿生靶，控制電源為兩套直流電源和一套中頻電源；
4、配三路氣體及相應(yīng)流量控制器；
5、配備軸向線性往復(fù)運(yùn)動樣品臺；
6、在線膜厚檢測裝置；
7、加熱及溫控系統(tǒng)，保證腔室能夠加熱至500℃；
