● 適用于氮化硅工藝 – 標準和低應力工藝
● 適用于摻雜、非摻雜多晶硅工藝
● 適用于摻雜、非摻雜 TEOS 工藝
● 適用于摻雜、非摻雜 LTO/ HTO
● 支持 6 ~ 12 寸的晶圓
● 有保證的工藝指標
● 可提供所有標準工藝和定制化工藝
主要系統特性
● 在一個系統中進行原位氧化和多晶沉積
● 提供固有和原位摻雜聚工藝
● 高批量負載
● 高達 210mm 的晶圓尺寸
客戶利益
● 的鈍化 iVoc > 整個負載下 730 mW
● 通過高系統吞吐量實現低的 CoO
● 在大批量生產中久經考驗的 TOPCon 生產解決方案