產品簡介:
設備結構緊湊,凈化占地面積小,造型美觀、實用,操作符合人機工程原理。
適用于2”-8”基片的半導體清洗工藝中,有效去除硅/晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物,且不破壞晶片表面特性。根據不同清洗工藝配置相應的清洗單元,各部分有獨立控制,隨意組合;可根據用戶要求配置氮、DI水槍、恒溫水浴、熱臺、超聲清洗、DI水在線加熱裝置、DI水電導率測試儀器等。設備結構緊湊,凈化占地面積小,造型美觀、實用,操作符合人機工程原理。
產品特點:
1、爐前清洗:擴散前清洗。
2、光刻后清洗:除去光刻膠。
3、氧化前自動清洗:氧化前去掉硅片表面的沾污物。
4、拋光后自動清洗:除去切、磨、拋的沾污。
5、外延前清洗:除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。
6、合金前、表面鈍化前清洗:除去鋁布線后,表面雜質及光膠殘渣
7、離子注入后的清洗:除去光刻膠,SiO2層
8、擴散預淀積后清洗:除去預淀積時的BSG和PSG。
9、外延前清洗:除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。
10、CVD后清洗:除去CVD過程中的顆粒。
*技術細節變動之處,恕不另行通知,具體設備參數以咨詢結果為準。