1756-DNB/D AB
廈門莫格電氣自動化有限公司
:雷琳
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塊等。】
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了解了SDRAM規格與內存控制器的緩存器功能之后,接著就要設計SDRAM的初始化程序,其一般設計程序概述如下:
1. 設定刷新定時器(refresh timer)的預分頻(prescaler)參數:它決定刷新定時器的輸入頻率(input clock)。總線頻率除以此參數(或者還要再加上一個正整數值)就等于刷新定時器。
2. 設定刷新定時器的計時時間的長度(或刷新速率):亦即,設定刷新SDRAM暫存內容的時間間隔。當此計時時間終了時,內存控制器會自動發出刷新請求。例如:若已知系統頻率和zui大可允許的刷新時間,就可以經由預分頻參數、系統頻率、zui大可允許的刷新時間,求出適當的刷新時間間隔(不能大于zui大可允許的刷新時間)。請參考上節的REFRESH RATE定義。
3. 設定基準地址(base address):大多數的SoC都是采用多任務式總線(multiplexed bus)架構,使不同種類的內存、不同的數據端口大小(port size)能夠共享使用相同的總線,此時,內存控制器必須根據此基準地址,來和目前所要存取的地址做比較,之后,內存控制器才能知道目前要和哪一種內存——具有某種特定的屬性——進行存取作業。這些特定的屬性包括:內存的作業模式或類型、數據端口大小、防止寫入、使用外部的內存控制器、局部區域的獨立運算(atomic opration)、支持數據管線作業(data pipelining;可以增加一個執行周期,以省略掉數據建立所需的額外時間)、數據是正確的。
4. 設定存取模式:這包含,設定SDRAM的大小、單一SDRAM的內部記憶排的數量、行起始地址的位(row start address bit)、行地址線的數目(row address lines)、分頁模式(當總線閑置時,分頁是關閉的;亦或一直保持開啟,直到發生分頁失誤或執行刷新作業)、取消內部記憶排交錯(bank interleaving)。
5. 設定作業模式:這包含,選擇多任務尋址的方式(記憶排交錯或分頁交錯)、啟動刷新作業、存取SDRAM時執行何種作業、選擇多任務尋址的腳位與記憶排的多任務地址線、決定A10腳位、設定SDRAM的各種時間參數(請參考上節介紹與SDRAM規格書)、突量數據(burst)的長度、開啟外部多任務尋址、延長SDRAM的控制(命令)時間。
6. 按照不同內存控制器的要求,執行SDRAM的初始化程序(下列僅是范例):
● 對所有記憶排,執行PRECHARGE命令1次。
● 執行CBR REFRESH命令8次。
● 執行MODE REGISTER WRITE命令1次。
● 啟動刷新服務,讓SDRAM進入正常作業狀態中。
轉譯備份緩沖器1756-DNB/D AB
“轉譯備份緩沖器(Trantion Lookaside Buffer;TLB)”保存著zui近才被使用的“分頁表項目(page table entry;PTE)”。PTE是一種數據結構,包含著可以將“有效地址”轉譯成“實體地址”的信息。PTE是以分頁為一個儲存單位,一個分頁是4 KBytes。通常,32-bit處理器的一個PTE含有8 Bytes的信息,而64-bit處理器的一個PTE含有16 Bytes的信息。
通常,TLB是位于“內存管理單元(MMU)”內部,而且又可區分為:指令MMU內的“指令TLB(ITLB)”、數據MMU內的“數據TLB(DTLB)”。它們和外部內存的關系很密切,所以,在完成SDRAM的初始化作業之后,通常會令全部的PTE無效,并關閉指令緩沖器(I Cache)和數據緩沖器(D Cache),以清除所有殘留的數據。
結 語
內存的控制方式在系統開機時就被決定了。因此,如果要對SDRAM進行硬件線路的除錯驗證,都必須在開機程序(boot code)中進行。若不了解SDRAM的規格和SoC處理器的內存控制方式,這個除錯工作將會變得很困難。
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