摘要 OXFORDTL4 1128-426 TL41128-426余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OPTO 22SNAP-PS5余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OPTO 22SNAP-LCSX-PLUS余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OPTO 22SNAP B3000 BRAIN余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OPTIMATE INTERFACEOP-1500余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OMRONPYF08A-E余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OMRONMY2N-J余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OMRONE5AX-S-AEC-320 AEC A0535007余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OMRONC500-AD501-EU余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OMRONC500-AD501余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OMEGAOM-400 440余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OKUMAE0227-702-008余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 OHMPS-20T-R余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 NORTH AMERICANH6142-05余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 NORGRENVMS-2110-24余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 NOKIA10000417H余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 NIKON4S018-659余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 NIKKINPA-20NN-50-E8余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 NIAT-GPIB-TN余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 NI6251余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 NEGELE PROZESSORANZEIGEDPM-GS-2GW-S余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 NECY6XC24 NDR064RTP869 PCB余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 MYCOMMYCOM IMS500-120AL余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 MURRMCS20-230/24余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 MOUSE-TRAKB-SAIMP-XROHS余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 MOTION SCIENCEMP3-404HR2余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 METSO VALMETA413050余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 INFRANOR GMBHMSM0606余容錯控制系統、基于三重模件冗余（TMR）結構的現代化的容錯控制器并列運行的冗余方式避免了卡件切換時可能引起的擾動，實現了真正意義的“熱插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的風險進一步分散。

摘要 GEIS200TTURH1B高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIS200TRLYH1B高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIS200TPROH1B高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIS200TBACIH1B高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIS200EXHSG4A高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 DCS，即分布式控制系統，由過程控制級和過程監控級組成的以通信網絡為紐帶的多級計算機系統，綜合了計算機、通訊、顯示和控制等4C技術。

摘要 GEIS200EDEXG1A高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIS200ECTBG2A高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIC698CPE020高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIC698CPE010高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIC697MDL740高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIC697MDL350高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIC697CPX772高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIC697CPU782高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIC697CPU772高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIC697BEM733高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能

摘要 GEIC697BEM731高速度.基于PCI，提供全新的改進版I/O決速產出擁有將現存的系列90-30I/O松升級的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M內存及新PM1.0GHz和64M內存的處理器，支持高級編程和高性能