通常測量3-20A范圍內(nèi)電流的方法主要有以下兩種：采用電阻分流器的傳統(tǒng)測量方法，和使用電流傳感器。這兩種技術均有局限性：*種方法缺少流電隔離，第二種方法帶寬有限。此外，這兩種方法都對校準工作有相當高的要求。LEM電流傳感器曾經(jīng)幫助有效解決了這些問題，但為了全面滿足當前對降低成本和縮小尺寸的需求，現(xiàn)在到了需要對產(chǎn)品進行重新設計的時候了。
　　2002年，LEM收購了一家位于日本的生產(chǎn)霍爾效應電流傳感器企業(yè)--NANA Electronics K.K.公司。新公司更名為NANALEM K.K.，總部位于東京町田。新的研發(fā)隊伍融合了兩家公司的專業(yè)經(jīng)驗，已經(jīng)重新設計了日本zui的產(chǎn)品SY系列，并把它發(fā)展成為HX系列。
　　霍爾效應原理
　　HX傳感器的核心是一個霍爾效應發(fā)生器。1879年，Edward H. Hall發(fā)現(xiàn)了霍爾效應，在電流流經(jīng)一片薄傳導材料（霍爾發(fā)生器），并放在正交磁場中時，會發(fā)生這種效應。然后電磁洛倫茲力將感應電子，根據(jù)極性流到薄片邊緣。
　　在這兩個邊緣之間產(chǎn)生的霍爾電壓VH與控制電流IC和磁通量B直接成正比（圖1）。霍爾發(fā)生器由一片薄傳導材料制成，如鎵砷化物（GaAs），這種材料在使用期間能夠?qū)崿F(xiàn)可靠穩(wěn)定的性能。在5 mA的控制電流下，獲得的霍爾電壓約為1.25 mV/mT。
　　霍爾效應開環(huán)電流測量
　　一次電流產(chǎn)生的磁場會在磁性電路的間隙中生成線性磁通量B，磁通量B會在霍爾發(fā)生器中感應成比例的霍爾電壓VH。然后這個電壓被電子電路放大，得到一個與一次電流成比例的輸出模擬信號。HX系列可以測量DC電流和AC電流，以及相控整流器、有源電源轉(zhuǎn)換器、PWM轉(zhuǎn)換器和開關式電源中復雜的電流波形。輸出電壓一直是一次電流的真映像。
　　抗dv/dt噪聲能力
　　在設計驅(qū)動器控制和開關設備時，工程師遇到的其中一個問題是整流期間快速電壓變化導致的高dv/dt噪聲。
　　電源半導體技術一直在不斷發(fā)展。現(xiàn)在，許多半導體產(chǎn)品大樣本中都可以看到整流速度非常高的IGBT。因此，當前通用逆電器一般會以很高的開關頻率工作，通常在20 kHz以上。在這么高的頻率上工作的好處包括波形更平滑、操作更安全、效率更高。
　　開關設備每次開關時產(chǎn)生的高dv/dt值將在主電纜和傳感器的電子電路之間產(chǎn)生電容電流。大多數(shù)模擬線性放大器對這種寄生電流很靈敏。因此，dv/dt噪聲將被疊加在輸出信號上。根據(jù)變動電壓的幅度和斜坡，初始尖峰和后來的振蕩有時會非常高，以致它們會激活傳感器的電流保護電路，進而使逆電器暫停運轉(zhuǎn)。LEM的經(jīng)驗在HX系列設計階段幫助保證了對關鍵噪聲的免疫力，而又不會損害帶寬，因此HX的性能要超過其它類似的傳感器（圖2和圖3）。
　　對階躍電流的超快速響應時間對IGBT短路保護*。HX系列可以以50A/ s以上的速度，準確追蹤電流變化，對階躍電流的響應zui快為3 s。
　　設計工程師經(jīng)常面臨的另一個棘手問題是可用空間。小型傳感器有助于解決這個問題，HX傳感器重僅8克，要求的安裝面積只有15 x 19 mm。但*，當這種傳感器并排放在三相應用中時，各自的一次電流可能會影響其它傳感器的電子器件。在并排安裝在三相應用中時，HX電流傳感器引起的相互干擾非常小（圖4）。
　　版HX傳感器有兩個一次線圈，這兩個線圈既可以串聯(lián)，也可以并聯(lián)（圖5）。在某些逆電器應用中，可以使用一對這樣的傳感器，測量所有三個相位，每個傳感器兩個相位（圖6）。這消除了對第三個單元的需要，有助于降低成本。AC測試電壓（50 Hz, 1分鐘）是3 kVRMS，間隙/漏電距離超過5.5mm，使這些傳感器特別適合中低功率范圍中的隔離電流測量。
　　參見下面幾個示意圖：

 

圖1.位于磁性電路間隙中的霍爾發(fā)生器把一次電流產(chǎn)生的磁場轉(zhuǎn)換成成比例的霍爾電壓。

圖2.由于采用快速開發(fā)元件，HX系列幾乎不受高dv/dt影響。
圖3.實際逆電器應用中的HX噪聲電平，其中dv/dt等于4000 V/ s。

圖4.在并排安裝在三相應用中時，電流傳感器產(chǎn)生的相互干擾非常小。

圖5. 帶有一個或兩個一次線圈的HX系列電流傳感器的工作原理。

圖6. 只使用兩個傳感器測量三相電流。

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