沖擊加速度傳感器電容式MEMS加速度計的工藝一般包括：表面工藝、體硅工藝、Liga工藝和SOI+drie工藝。對這些過程進行了比較。

表面技術是在集成電路平面技術的基礎上發展起來的一種微技術，它只進行單面光刻。它利用不同材料在硅平面上的順序沉積和選擇性腐蝕來形成各種微結構。主要包括犧牲層沉積、犧牲層刻蝕、結構層沉積、結構層刻蝕、犧牲層去除（釋放結構）等。將結構材料懸浮在基板上，形成各種形狀的二維或三維結構。

沖擊加速度傳感器體硅工藝是指沿硅襯底厚度方向刻蝕硅襯底的工藝，包括濕法刻蝕和干法刻蝕。它是實現三維結構的一種重要方法。為了形成完整的微結構，通常在加工的基礎上采用鍵合或鍵合技術，將硅鍵合技術與體硅加工方法相結合。硅的微結構是通過多重掩模、單面或雙面光刻和各向異性蝕刻形成的，然后將相關零件精確對齊并粘合成一個整體。體硅加工工藝比硅表面加工工藝復雜，體積大，成本高。

沖擊加速度傳感器SO1+drie工藝是體硅工藝的延伸和發展。絕緣體上硅（SOI）是近年來發展迅速的單晶硅三維微結構制備方法。幾乎所有利用SOI制作微結構的方法都是利用dine（深層反應離子刻蝕）對單晶硅進行深度刻蝕。根據不同的結構和性能要求，可采用前結構釋放和后結構釋放。

硅振蕩加速度計，簡稱SOA。當弦的張力不同時，聲音的頻率也不同。諧振式加速度計的原理是相同的。振動梁一端固定，另一端與質量塊連接。當振動梁的軸方向有加速度時，梁將受到軸方向的力，梁中的張力將發生變化，其固有頻率也將隨之變化。如果對梁施加一定的激勵并檢測其響應，則可測量其固有頻率和加速度。激勵的應用和響應的檢測通常通過梳齒機構來實現。

SOA的特點是通過改變2階系統本身的特性來反映加速度的變化，這與電容式、壓電式和光波導加速度計不同。