光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時，若采用適當的有選擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類。在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解，該涂層材料為負性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負性光刻膠）、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業。光刻膠生產技術較為復雜，品種規格較多，在電子工業集成電路的制造中，對所使用光刻膠有嚴格的要求
MIKASA米卡薩 旋轉涂布機蝕刻機光刻機 半導體晶圓涂抹MS-B150

日本MIKASA|涂布機、勻膠機|中國代理店塔瑪薩崎電子（蘇州）有限公司

日本MIKASA旋轉涂布機MS-A150/MS-B150現貨現貨
旋轉涂膜儀

滴液裝置可選組件 吸盤

●MS-B100/ MS-B150

●MS-B200

●MS-B300

●MS-B200 (密閉型)

●MS-B300 (密閉型)

日本MIKASA光刻機

●MA-10

●MA-20

●MA-60F

●M-2LF

●M-1S

日本MIKASA曝光，將光掩膜與晶園重合，復制電路圖案。
日本MIKASA顯影、蝕刻裝置DeveloperEtching

去除曝光部位(正膠)的光刻膠。
●AD-1200

●AD-3000

●PD-1000

日本MIKASA蝕刻裝置

蝕刻裝置

●ED-1200

●ED-3000

日本MIKASA|涂布機、勻膠機、旋轉涂膜儀|中國代理店塔瑪薩崎電子（蘇州）有限公司

選型、技術討論、售后服務塔瑪薩崎電子（蘇州）有限公司一站式服務