上海棱光雙光束紫外分光光度計-樣品濃度測量

通過對樣品試驗的分析，認為這是因為光刻膠在ICP粒子的轟擊下長時間逐漸碳化,不能繼續阻擋粒子的轟擊，從而失去了掩模的作用。在ICP蝕刻過程中，由于槽的狹窄，化學反應過程的產物不易逸出，導致這部分的蝕刻速度比光柵脊部慢，進而使光柵的蝕刻深度降低。

與光刻膠面罩相比，SiO2 口罩具有較強的抗腐蝕能力。對于100 nm厚的SiO2掩模，抗蝕刻時間增加到80秒，相應的光柵蝕刻深度為198 nm。然而，當蝕刻時間超過80秒時，SiO2掩碼就不能繼續扮演ICP干燥蝕刻掩碼的角色,導致光柵蝕刻深度逐漸降低。耐干性好。采用50nm粗Ni作為ICP干燥蝕刻掩模，隨著蝕刻時間從50秒增加到140秒,光柵蝕刻深度沒有呈現下降趨勢,表明Ni具有較強的抗蝕刻能力。當蝕刻時間為140秒時，光柵的蝕刻深度達到490nm。與以光刻膠為掩模、以SiO2為掩模的樣品相比，蝕刻深度分別增加了305 .4%和48.9%，上海棱光技術有限公司當用不同的材料作為光柵蝕刻的掩模時，光柵的蝕刻速率相似，光柵的周期和作用周期的差異不影響蝕刻率。