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上海棱光雙光束紫外在金剛石薄膜研究中的應(yīng)用
圖1為采用UL--CVD技術(shù)生長(zhǎng)金剛石薄膜的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖,為了有利于活化基團(tuán)的產(chǎn)生及激活襯底表面,提高生長(zhǎng)速率,本文采用相互垂直的、波長(zhǎng)λ= 266nm的兩束聚焦紫外光(見圖1)分別照射到物質(zhì)源及n-Si (111)襯底上,聚焦光斑尺寸為5x 5mm2.物質(zhì)源CH,用高純氫稀釋到0.5%,以100m1/ min的流速進(jìn)入反應(yīng)室中,嚴(yán)格控制噴嘴距襯底的距離為5mm,襯底溫度控制在50~600C。為了促進(jìn)金剛石的成核,襯底需事先經(jīng)劃痕加工.生長(zhǎng)時(shí)間為1小時(shí)。
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