（1） Langmuir 理論模型

吸附劑的表面是均勻的，各吸附中心的能量相同；

吸附粒子間的相互作用可以忽略；

吸附粒子與空的吸附中心碰撞才有可能被吸附，一個吸附粒子只

占據(jù)一個吸附中心，吸附是單層的，定位的；

在一定條件下，吸附速率與脫附速率相等，達到吸附平衡。

（2） 等溫方程

吸附速率：

ra∝(1-θ)P ra=ka(1-θ)P

脫附速率rd∝θ rd=kdθ

達到吸附平衡時：ka(1-θ)P=kdθ

其中，θ=Va/Vm（Va―氣體吸附質的吸附量；Vm--單分子層飽和吸附容量，mol/g），為吸附劑表面被氣體分子覆蓋的分數(shù)，即覆蓋度。

設B= ka/kd ，則：θ= Va/Vm=BP/（1+BP），

整理可得：

P/V = P/ Vm+ 1/BVm

以P/V～P作圖，為一直線，根據(jù)斜率和截距，可以求出B和Vm值（斜率的倒數(shù)為Vm），因此吸附劑具有的比表面積為：

Sg=Vm·A·σm

A— Avogadro常數(shù) (6.023x1023/mol)

σm— 一個吸附質分子截面積(N2為 16.2x10-20m2)，即每個氮氣分子在吸附劑表面上所占面積。

本公式應用于：含純微孔的物質；化學吸附。