中試控股是抗干擾介質損耗測試儀的生產廠家， 抗干擾介質損耗測試儀 可以有效地發現電器設備絕緣的整體受潮劣化變質以及局部缺陷等，在電工制造、電氣設備安裝、交接和預防性試驗中都廣泛應用。本篇文章中試控股電氣試驗知識分享：介質損耗因數tgδ試驗。

中試控股電氣試驗知識分享：介質損耗因數tgδ試驗

        介質損耗因數tgδ試驗 ：tgδ是IR / IC的比值，它能反映電介質內單位體積中能量損耗的大小，只與電介質的性質有關，而與其體積大小尺寸均沒有關系。因此，tgδ的測試目的，也是能夠有效地發現設備絕緣的普遍老化、受潮、臟污等整體缺陷。對小電容設備，如套管、互感器（電容式）也能夠發現內部是否存在氣隙及固定絕緣開裂等集中性的局部絕緣缺陷。

 中試控股是抗干擾介質損耗測試儀的生產廠家， 抗干擾介質損耗測試儀 可以有效地發現電器設備絕緣的整體受潮劣化變質以及局部缺陷等，在電工制造、電氣設備安裝、交接和預防性試驗中都廣泛應用。本篇文章中試控股電氣試驗知識分享：介質損耗因數tgδ試驗。

中試控股電氣試驗知識分享：介質損耗因數tgδ試驗

        介質損耗因數tgδ試驗 ：tgδ是IR / IC的比值，它能反映電介質內單位體積中能量損耗的大小，只與電介質的性質有關，而與其體積大小尺寸均沒有關系。因此，tgδ的測試目的，也是能夠有效地發現設備絕緣的普遍老化、受潮、臟污等整體缺陷。對小電容設備，如套管、互感器（電容式）也能夠發現內部是否存在氣隙及固定絕緣開裂等集中性的局部絕緣缺陷。

木森電氣帶你漲姿勢：常規電力試驗-介質損耗因數試驗

常規電力試驗-介質損耗因數tgδ試驗

        但要說明一點的是，針對大電容的設備如變壓器、電纜等進行tgδ的測量時，只能發現他們的整體分布性缺陷，而其局部集中性的缺陷可能不會被發現；而對于套管、互感器等小電容量的設備，測tgδ能有效地發現其局部集中性和整體分布性的缺陷，詳見如下分析。這也是大型變壓器不僅要單獨測試引出線套管的tgδ，也要測套管連同繞組的介損tgδ，就是因為套管若有缺陷時在整體絕緣良好時不能體現出來。 一般設備的絕緣結構都由多層絕緣、多種材料構成。

        如局部有缺陷絕緣用C 1 tgδ1表示，其他良好絕緣用C 2tgδ2表示，兩部分并聯，則有

                      P1 = C 1 tgδ 1 P2 = C 2 tgδ 2

         而總的損耗為P = U2 ωC tgδ ①

         U、ω一定時，P與C、tgδ有關， → P = C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 又C = C1 + C2

         則 C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 = C tgδ tgδ= （C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2）/（C1 + C2）②

         若套管電容C 1= 250PF，tgδ1= 5% （超差） 而變壓器電容C 2= 10000PF，tgδ2= 0.4% （良好） 從②式可以看出總tgδ= 0.5 %（合格），可見明顯形成了誤判斷。

        設備的選取及常規試驗方法：因為精度和靈敏度的原因，一般按照試驗設備說明書進行.一般接線形式主要有二種。

       （1）正接法：適用于測量兩相對地絕緣的設備，測試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等；

        （2）反接法：適用于測量一級接地的設備，設備的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式 CT的末屏tgδ等。

         另外還有自激法，對角接線等，不同的試驗設備均有不同的接線形式，取決于現場環境及標準設備。 需要說明的是現場試驗時要創造條件，力求測試精度，如主變高低壓側套管的tgδ測試必須要用正接法，應要求安裝單位制作測試平臺，以達到兩極絕緣的條件。

中試控股帶你漲姿勢：常規電力試驗-介質損耗因數試驗

抗干擾介質損耗測試儀

        對于CVT中壓電容的tgδ測試，應充分理解儀器的操作程序，按照其說明，操作規程進行試驗。 另外，tgδ值都規定了相應的溫度值，是因為溫度對tgδ值的影響較大，一般隨著溫度上升，tgδ值也增大，因此規定了溫度換算，一般應校正到20℃時進行與廠家試驗數據的比較，換算公式為：

         （1） 環境溫度高于20℃時，tgδ20 = tgδt / A

        （2） 環境溫度低于20℃時，tgδ 20 = tgδt * A A：與20℃溫差值不同的換算系數，見相關規程。

          以上文章是中試控股電氣試驗知識分享：介質損耗因數tgδ試驗全部內容

帶你漲姿勢：常規電力試驗-介質損耗因數試驗

常規電力試驗-介質損耗因數tgδ試驗

        但要說明一點的是，針對大電容的設備如變壓器、電纜等進行tgδ的測量時，只能發現他們的整體分布性缺陷，而其局部集中性的缺陷可能不會被發現；而對于套管、互感器等小電容量的設備，測tgδ能有效地發現其局部集中性和整體分布性的缺陷，詳見如下分析。這也是大型變壓器不僅要單獨測試引出線套管的tgδ，也要測套管連同繞組的介損tgδ，就是因為套管若有缺陷時在整體絕緣良好時不能體現出來。 一般設備的絕緣結構都由多層絕緣、多種材料構成。

        如局部有缺陷絕緣用C 1 tgδ1表示，其他良好絕緣用C 2tgδ2表示，兩部分并聯，則有

                      P1 = C 1 tgδ 1 P2 = C 2 tgδ 2

         而總的損耗為P = U2 ωC tgδ ①

         U、ω一定時，P與C、tgδ有關， → P = C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 又C = C1 + C2

         則 C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 = C tgδ tgδ= （C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2）/（C1 + C2）②

         若套管電容C 1= 250PF，tgδ1= 5% （超差） 而變壓器電容C 2= 10000PF，tgδ2= 0.4% （良好） 從②式可以看出總tgδ= 0.5 %（合格），可見明顯形成了誤判斷。

        設備的選取及常規試驗方法：因為精度和靈敏度的原因，一般按照試驗設備說明書進行.一般接線形式主要有二種。

       （1）正接法：適用于測量兩相對地絕緣的設備，測試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等；

        （2）反接法：適用于測量一級接地的設備，設備的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式 CT的末屏tgδ等。

         另外還有自激法，對角接線等，不同的試驗設備均有不同的接線形式，取決于現場環境及標準設備。 需要說明的是現場試驗時要創造條件，力求測試精度，如主變高低壓側套管的tgδ測試必須要用正接法，應要求安裝單位制作測試平臺，以達到兩極絕緣的條件。

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抗干擾介質損耗測試儀

        對于CVT中壓電容的tgδ測試，應充分理解儀器的操作程序，按照其說明，操作規程進行試驗。 另外，tgδ值都規定了相應的溫度值，是因為溫度對tgδ值的影響較大，一般隨著溫度上升，tgδ值也增大，因此規定了溫度換算，一般應校正到20℃時進行與廠家試驗數據的比較，換算公式為：

         （1） 環境溫度高于20℃時，tgδ20 = tgδt / A

        （2） 環境溫度低于20℃時，tgδ 20 = tgδt * A A：與20℃溫差值不同的換算系數，見相關規程。

          以上文章是中試控股電氣試驗知識分享：介質損耗因數tgδ試驗全部內容