失效分析設備，失效分析實驗室建設，儀準科技自主研發生產的微光顯微鏡，

就半導體元器件故障失效分析而言，微光顯微鏡EMMI是一種相當有用且效率*的分析工具。主要偵測IC內部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會放出光子(Photon)。

失效分析設備，失效分析實驗室建設，儀準科技自主研發生產的微光顯微鏡，舉例說明：在P-N 結加偏壓，此時N阱的電子很容易擴散到P阱，而P的空穴也容易擴散至N然後與P端的空穴（或N端的電子）做 EHP Recombination。

故障分析微光顯微鏡，失效分析設備，失效分析實驗室建設

偵測得到亮點之情況：

會產生亮點的缺陷 - 漏電結（Junction Leakage）; 接觸毛刺（Contact spiking）; （熱電子效應）Hot electrons;閂鎖效應（ Latch-Up）;氧化層漏電（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶須（Poly-silicon filaments）; 襯底損傷（Substrate damage）; （物理損傷）Mechanical damage等。

ADVANCEDYI儀準科技自主研發的用于實驗室高精度電流異常失效分析，位置確認。

原有的亮點 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。

偵測不到亮點之情況：

不會出現亮點的故障 - 歐姆接觸；金屬互聯短路；表面反型層；硅導電通路等。

亮點被遮蔽之情況 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，這種情況可以采用backside模式，但是只能探測近紅外波段的發光，且需要減薄及拋光處理。

OBIRCH（光束誘導電阻變化）

光誘導電阻變化（OBIRCH）模式能快速準確的進行IC中元件的短路、布線和通孔互聯中的空洞、金屬中的硅沉積等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定電壓下的器件表面進行掃描，激光束部分能量轉化為熱能，如果金屬互聯線存在缺陷，缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導散開，這將導致缺陷處溫度累計升高，并進一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區域與激光束掃描位置的對應，定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力，其測試精度可達n*。

PEM（Photo Emission Microscope)

光束誘導電阻變化（OBIRCH）功能與光發射（EMMI）常見集成在一個檢測系統，合稱PEM（Photo Emission Microscope)，兩者互為補充，能夠很好的應對絕大多數失效模式。

EMMI (Enhanced Man Machine Interface) 加強版人機交互界面，可以實現半導體元器件測量。