接近開關(guān)BTG30TAZ63X注意操作方法如下：

接近開關(guān)BTG30TAZ63X非標(biāo)測(cè)控接近開關(guān)能夠有效防止撞擊，有很強(qiáng)的抗干擾能是一種具有機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件不直接接觸，能對(duì)位置的開關(guān)操作，當(dāng)物體接近感應(yīng)開關(guān)表面一定的距離，不需要機(jī)械接觸，也不需要任何壓力就能使開關(guān)動(dòng)作，從而驅(qū)動(dòng)直流電或給電腦（PLC）裝置提供控制指令。接近開關(guān)是開關(guān)型傳感器的一種（即無觸點(diǎn)開關(guān)），它既有行程開關(guān)特性，同時(shí)也具有傳感器的性能，性能穩(wěn)定可靠，頻率響應(yīng)快，使用壽命長(zhǎng)，抗干擾能力強(qiáng)等，并具有防水、防腐蝕、防震的特點(diǎn)。

　　接近開關(guān)作用：

　　1. 檢測(cè)距離： 動(dòng)作距離是指檢測(cè)體按一定方式移動(dòng)時(shí)，從基準(zhǔn)位置（接近開關(guān)的感應(yīng)表面）到開關(guān)動(dòng)作時(shí)測(cè)得的基準(zhǔn)位置到檢測(cè)面的空間距離。額定動(dòng)作距離指接近開關(guān)動(dòng)作距離的標(biāo)稱值。

　　2. 設(shè)定距離：接近開關(guān)在實(shí)際工作中整定的距離，一般為額定動(dòng)作距離的0.8倍。

　　3. 回差值： 動(dòng)作距離與復(fù)位距離之間的值。

　　4. 檢測(cè)體：可使接近開關(guān)作比較的金屬檢測(cè)體。本廠所采用的檢測(cè)體為正方形的A3鋼，厚度為1mm，所采用的邊長(zhǎng)是接近開關(guān)檢測(cè)面的2.5倍。

　　5. 輸出狀態(tài)：分常開和常閉。當(dāng)無檢測(cè)物體時(shí)，常開型的接近開關(guān)所接通的負(fù)載，由于接近開關(guān)內(nèi)部的輸出晶體管的截止而不工作，當(dāng)檢測(cè)到物體時(shí)，晶體管導(dǎo)通，負(fù)載得電工作。

　　6. 檢測(cè)方式：分埋入式和非埋入式。埋入式的接近開關(guān)在安裝上為齊平安裝型，可與安裝的金屬物件形成同一表面，非埋入式的接近開關(guān)則需把感應(yīng)頭露出，以達(dá)到其長(zhǎng)檢測(cè)距離的目的。

　　下面我們來介紹下高頻振蕩接近開關(guān)：

　　高頻振蕩型接近開關(guān)由檢測(cè)元件﹑檢波單元﹑放大單元﹑整型單元和輸出單元等組成。這種傳感器內(nèi)部安裝的檢測(cè)元件是由檢測(cè)線圈和高頻振蕩器組成﹐加電后檢測(cè)線圈產(chǎn)生一個(gè)交變的電磁場(chǎng)﹐當(dāng)金屬物體接近電磁場(chǎng)時(shí)﹐金屬表面的磁通密度發(fā)生變化而產(chǎn)生感應(yīng)電流——渦流﹐渦流產(chǎn)生的磁通總是與檢測(cè)線圈的磁通方向相反。由于渦流的作用，使檢測(cè)線圈能耗增加﹐品質(zhì)系數(shù)下降﹐振幅降低﹐以至振蕩器停振。反之﹐當(dāng)金屬物件遠(yuǎn)離這個(gè)作用區(qū)時(shí)﹐振蕩器又開始振蕩。檢測(cè)電路檢測(cè)到振幅器的狀態(tài)變化后﹐轉(zhuǎn)換為一個(gè)開關(guān)量訊號(hào)。

      高頻振蕩接近開關(guān)原理：

　　是在使用時(shí)一定要注意操作方法，畢竟和電有關(guān)的東西都是比較危險(xiǎn)的。接近開關(guān)屬于一 種有開關(guān)量輸出的位置傳感器根據(jù)工作原理的不同分為電感式和電容式，電感式接近開關(guān)它由LC高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。可根據(jù)客戶需要制作成耐高溫型接近開關(guān)，溫度150C。

　　交流電源接入整流模塊，經(jīng)濾波及三相全波整流器后變成直流，再接入高頻逆變回路，將直流轉(zhuǎn)換為高頻交流，經(jīng)高頻變壓器、整流橋、濾波器后輸出平穩(wěn)直流。

　　高頻開關(guān)電路主要由整流濾波電路，全橋變換電路，PVm時(shí)空制電路， 穩(wěn)壓、限壓電路，穩(wěn)流、限流電路，保護(hù)電路，以及輔助電源電路等組成。

　　三相電網(wǎng)(或單相)電壓經(jīng)電源開關(guān)后，進(jìn)行整流濾波，得到的520Vdc (單相為300Vdc)的平滑直流電壓供給逆變電路。。

　　逆變電路主要由大功率IGBT模塊(或場(chǎng)效應(yīng)MOSFET模塊)組成全橋變換電路。當(dāng)P沏俞出控制信號(hào)通過隔離驅(qū)動(dòng)器分別驅(qū)動(dòng)功率模塊，兩組對(duì)角管分別交替導(dǎo)通，在高頻變壓器初級(jí)產(chǎn)生高頻脈沖電壓,次級(jí)電壓由高頻變壓器變壓后經(jīng)整流向負(fù)載提供能量。

　　輸出端分別接有穩(wěn)壓、限流和穩(wěn)流、限壓等反饋電路。當(dāng)置于穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí)，穩(wěn)壓和限流電路起作用,當(dāng)輸出電壓升高或下降時(shí)，取樣電壓通過穩(wěn)玉電路內(nèi)部電壓比較器跟基準(zhǔn)電壓比較，其誤差信號(hào)電壓加到Pw時(shí)控制電路，使PV俞出脈寬作相應(yīng)變化，從而穩(wěn)定輸出電壓，如負(fù)載電流過高時(shí)，限流電路工作，使輸出電流限制在限流設(shè)定值內(nèi)。

　　同樣，在穩(wěn)流狀態(tài)下，穩(wěn)流電路作用，使輸出電流穩(wěn)定在設(shè)定值內(nèi)，而當(dāng)過壓時(shí)，限壓電路使輸出電壓鉗位在限壓值。當(dāng)有異常情況(如輸入過壓或欠壓，過流或過熱等)產(chǎn)生保護(hù)信號(hào)加到保護(hù)控制電路時(shí),保護(hù)電路輸出-一個(gè)電壓加到PVM電路,使PM電路停止輸出，從而達(dá)到保護(hù)目的。