PCT高壓加速老化測(cè)試箱的的應(yīng)用與方法

簡(jiǎn)單描述： PCT試驗(yàn)一般稱為高壓蒸煮試驗(yàn)或是飽和蒸汽試驗(yàn)，主要是將產(chǎn)品置于苛刻之溫度、飽和蒸氣濕度（R.H.）及蒸氣壓力環(huán)境下測(cè)試產(chǎn)品耐高溫、高濕、高壓的能力，針對(duì)印刷線路板（PCB&FPC），用來進(jìn)行材料吸濕率試驗(yàn)、高壓蒸煮試驗(yàn)等試驗(yàn)?zāi)康模绻?/SPAN>產(chǎn)品是半導(dǎo)體，則用來測(cè)試半導(dǎo)體封裝之抗?jié)駳饽芰Γ郎y(cè)品被放置嚴(yán)苛的溫濕度以及壓力環(huán)境下測(cè)試，如果半導(dǎo)體封裝的不好，濕氣會(huì)沿者膠體或膠體與導(dǎo)線架之接口滲入封裝體之中，常見的故裝原因：爆米花效應(yīng)、動(dòng)金屬化區(qū)域腐蝕造成之?dāng)嗦贰⒎庋b體引腳間因污染造成之短路..等相關(guān)問題。
半導(dǎo)體的PCT測(cè)試： PCT主要是測(cè)試半導(dǎo)體封裝之抗?jié)駳饽芰Γ郎y(cè)品被放置嚴(yán)苛的溫濕度以及壓力環(huán)境下測(cè)試，如果半導(dǎo)體封裝的不好，濕氣會(huì)沿者膠體或膠體與導(dǎo)線架之接口滲入封裝體之中，常見的故裝原因：爆米花效應(yīng)、動(dòng)金屬化區(qū)域腐蝕造成之?dāng)嗦贰⒎庋b體引腳間因污染造成之短路..等相關(guān)問題。
PCT對(duì)PCB的故障模式：起泡（Blister）、斷裂（Crack）、止焊漆剝離（SR de-lamination）。

塑封半導(dǎo)體因濕氣腐蝕而引起的失效現(xiàn)象：
由于鋁和鋁合金價(jià)格便宜，加工工藝簡(jiǎn)單，因此通常被使用爲(wèi)集成電路的金屬線。從進(jìn)行集成電路塑封制程開始，水氣便會(huì)通過環(huán)氧樹脂滲入引起鋁金屬導(dǎo)線産生腐蝕進(jìn)而産生開路現(xiàn)象，成爲(wèi)質(zhì)量管理爲(wèi)頭痛的問題。雖然通過各種改善包括采用不同環(huán)氧樹脂材料、改進(jìn)塑封技術(shù)和提高非活性塑封膜爲(wèi)提高産質(zhì)量量進(jìn)行了各種努力，但是隨著日新月異的半導(dǎo)體電子器件小型化發(fā)展，塑封鋁金屬導(dǎo)線腐蝕問題至今仍然是電子行業(yè)非常重要的技術(shù)課題。

壓力蒸煮鍋試驗(yàn)（PCT）結(jié)構(gòu)：試驗(yàn)箱由一個(gè)壓力容器組成，壓力容器包括一個(gè)能産生濕度環(huán)境的水加熱器，待測(cè)品經(jīng)過PCT試驗(yàn)所出現(xiàn)的不同失效可能是大量水氣凝結(jié)滲透所造成的。

PCT對(duì)IC半導(dǎo)體的可靠度評(píng)估項(xiàng)目：DA Epoxy、導(dǎo)線架材料、封膠樹脂
腐蝕失效與IC：腐蝕失效（水汽、偏壓、雜質(zhì)離子）會(huì)造成IC的鋁線發(fā)生電化學(xué)腐蝕，而導(dǎo)致鋁線開路以及遷移生長(zhǎng)。

常見失效時(shí)期：
早期失效期（早夭期，Infant Mortality Region）：不夠完善的生産、存在缺陷的材料、不合適的環(huán)境、不夠完善的設(shè)計(jì)。
隨機(jī)失效期（正常期，Useful Life Region）：外部震蕩、誤用、環(huán)境條件的變化波動(dòng)、不良抗壓性能。
退化失效期（損耗期，Wearout Region）：氧化、疲勞老化、性能退化、腐蝕。

澡盆曲線：澡盆曲線（Bathtub curve、失效時(shí)期），又用稱為浴缸曲線、微笑曲線，主要是顯示產(chǎn)品的于不同時(shí)期的失效率，主要包含早夭期（早期失效期）、正常期（隨機(jī)失效期）、損耗期（退化失效期），以環(huán)境試驗(yàn)的可靠度試驗(yàn)箱來說得話，可以分爲(wèi)篩選試驗(yàn)、加速壽命試驗(yàn)（耐久性試驗(yàn)）及失效率試驗(yàn)等。進(jìn)行可靠性試驗(yàn)時(shí)"試驗(yàn)設(shè)計(jì)"、"試驗(yàn)執(zhí)行"及"試驗(yàn)分析"應(yīng)作爲(wèi)一個(gè)整體來綜合考慮。

環(huán)境應(yīng)力與失效關(guān)系圖說明：
依據(jù)美國(guó)Hughes航空公司的統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，環(huán)境應(yīng)力造成電子產(chǎn)品故障的比例來說，高度占2%、鹽霧占4%、沙塵占6%、振動(dòng)占28%、而溫濕度去占了高達(dá)60%，所以電子產(chǎn)品對(duì)于溫濕度的影響特別顯著，但由于傳統(tǒng)高溫高濕試驗(yàn)（如：40℃/90%R.H.、85℃/85%R.H.、60℃/95%R.H.）所需的時(shí)間較長(zhǎng)，為了加速材料的吸濕速率以及縮短試驗(yàn)時(shí)間，可使用加速試驗(yàn)設(shè)備（HAST[高度加速壽命試驗(yàn)機(jī)]、PCT[壓力鍋]）來進(jìn)行相關(guān)試驗(yàn)，也就所謂的（退化失效期、損耗期）試驗(yàn)。

θ 10℃法則：討論産品壽命時(shí)，一般采用[θ10℃法則]的表達(dá)方式，簡(jiǎn)單的說明可以表達(dá)爲(wèi)[10℃規(guī)則]，當(dāng)周圍環(huán)境溫度上升10℃時(shí)，産品壽命就會(huì)減少一半；當(dāng)周圍環(huán)境溫度上升20℃時(shí)，産品壽命就會(huì)減少到四分之一。
這種規(guī)則可以說明溫度是如何影響産品壽命（失效）的，相反的產(chǎn)品的可靠度試驗(yàn)時(shí)，也可以利用升高環(huán)境溫度來加速失效現(xiàn)象發(fā)生，進(jìn)行各種加速壽命老化試驗(yàn)。

濕氣所引起的故障原因：水汽滲入、聚合物材料解聚、聚合物結(jié)合能力下降、腐蝕、空洞、線焊點(diǎn)脫開、引線間漏電、芯片與芯片粘片層脫開、焊盤腐蝕、金屬化或引線間短路。
 

加速鋁腐蝕的因素：
①樹脂材料與芯片框架接口之間連接不夠好。

②封裝時(shí)，封裝材料摻有雜質(zhì)或者雜質(zhì)離子的污染（由于雜質(zhì)離子的出現(xiàn)）
③非活性塑封膜中所使用的高濃度磷
④非活性塑封膜中存在的缺陷

水汽對(duì)電子封裝可靠性的影響：腐蝕失效、分層和開裂、改變塑封材料的性質(zhì)。

鋁線中産生腐蝕過程：
① 水氣滲透入塑封殼內(nèi)→濕氣滲透到樹脂和導(dǎo)線間隙之中
② 水氣滲透到芯片表面引起鋁化學(xué)反應(yīng) 

爆米花效應(yīng)（Popcorn Effect）：
說明：原指以塑料外體所封裝的IC，因其芯片安裝所用的銀膏會(huì)吸水，一旦末加防范而徑行封牢塑體后，在下游組裝焊接遭遇高溫時(shí)，其水分將因汽化壓力而造成封體的爆裂，同時(shí)還會(huì)發(fā)出有如爆米花般的聲響，故而得名，當(dāng)吸收水汽含量高于0.17%時(shí)，[爆米花]現(xiàn)象就會(huì)發(fā)生。近來十分盛行P-BGA的封裝組件，不但其中銀膠會(huì)吸水，且連載板之基材也會(huì)吸水，管理不良時(shí)也常出現(xiàn)爆米花現(xiàn)象。

水汽進(jìn)入IC封裝的途徑：
1.IC芯片和引線框架及SMT時(shí)用的銀漿所吸收的水
2.塑封料中吸收的水分
3.塑封工作間濕度較高時(shí)對(duì)器件可能造成影響；
4.包封后的器件，水汽透過塑封料以及通過塑封料和引線框架之間隙滲透進(jìn)去，因?yàn)樗芰吓c引線框架之間只有機(jī)械性的結(jié)合，所以在引線框架與塑料之間難免出現(xiàn)小的空隙。
備注：只要封膠之間空隙大于3.4*10^-10m以上，水分子就可穿越封膠的防護(hù)
備注：氣密封裝對(duì)于水汽不敏感，一般不采用加速溫濕度試驗(yàn)來評(píng)價(jià)其可靠性，而是測(cè)定其氣密性、內(nèi)部水汽含量等。

針對(duì)PCT試驗(yàn)說明：
用來評(píng)價(jià)非氣密封裝器件在水汽凝結(jié)或飽和水汽環(huán)境下抵御水汽的完整性。
樣品在高壓下處于凝結(jié)的、高濕度環(huán)境中，以使水汽進(jìn)入封裝體內(nèi)，暴露出封裝中的弱點(diǎn)，如分層和金屬化層的腐蝕。該試驗(yàn)用來評(píng)價(jià)新的封裝結(jié)構(gòu)或封裝體中材料、設(shè)計(jì)的更新。
應(yīng)該注意，在該試驗(yàn)中會(huì)出現(xiàn)一些與實(shí)際應(yīng)用情況不符的內(nèi)部或外部失效機(jī)制。由于吸收的水汽會(huì)降低大多數(shù)聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，當(dāng)溫度高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)非真實(shí)的失效模式。 

外引腳錫短路：封裝體外引腳因濕氣引起之電離效應(yīng)，會(huì)造成離子遷移不正常生長(zhǎng)，而導(dǎo)致引腳之間發(fā)生短路現(xiàn)象。

濕氣造成封裝體內(nèi)部腐蝕：濕氣經(jīng)過封裝過程所造成的裂傷，將外部的離子污染帶到芯片表面，在經(jīng)過經(jīng)過表面的缺陷如：護(hù)層針孔、裂傷、被覆不良處..等，進(jìn)入半導(dǎo)體原件里面，造成腐蝕以及漏電流..等問題，如果有施加偏壓的話故障更容易發(fā)生。

PCT試驗(yàn)條件（整理PCB、PCT、IC半導(dǎo)體以及相關(guān)材料有關(guān)于PCT的相關(guān)測(cè)試條件）