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一、產(chǎn)品簡介1151型變送器具有非常豐富的品種，這些品種可以精確地測量微差壓至大差壓、低壓力至高壓力、液位、真空度和比重。配合節(jié)流裝置還可以測量流量，不采用開方...

采用金屬密封的δ室作為感測元件，使變送器消除機(jī)械方式傳遞力時抗沖擊和振動差的問題；消除外部應(yīng)力和扭矩引起的誤差，保證變送器具有較高的穩(wěn)定性能，同時減小靜壓(13...

一、產(chǎn)品概述SH2188變送器由壓阻式傳感器和信號轉(zhuǎn)換模塊組成，傳感器的核心部件為單晶硅片，當(dāng)單晶硅片受壓時，本身的電阻率要發(fā)生變化，通過半導(dǎo)體平面工藝在硅片上...

1151GP工作原理被測介質(zhì)的壓力通過δ室的隔離膜片（LT和帶1199的DP/GP遠(yuǎn)傳變送器則是被測壓力先經(jīng)過一次隔離膜片和充滿硅油或氟油的全密封的毛細(xì)管系統(tǒng)再...

1151GP工作原理被測介質(zhì)的壓力通過δ室的隔離膜片（LT和帶1199的DP/GP遠(yuǎn)傳變送器則是被測壓力先經(jīng)過一次隔離膜片和充滿硅油或氟油的全密封的毛細(xì)管系統(tǒng)再...

一、產(chǎn)品簡介1151型變送器具有非常豐富的品種，這些品種可以精確地測量微差壓至大差壓、低壓力至高壓力、液位、真空度和比重。配合節(jié)流裝置還可以測量流量，不采用開方...

被測介質(zhì)的壓力通過δ室的隔離膜片（LT和帶1199的DP/GP遠(yuǎn)傳變送器則是被測壓力先經(jīng)過一次隔離膜片和充滿硅油或氟油的全密封的毛細(xì)管系統(tǒng)再被傳到δ室的隔離膜片...

被測介質(zhì)的壓力通過δ室的隔離膜片（LT和帶1199的DP/GP遠(yuǎn)傳變送器則是被測壓力先經(jīng)過一次隔離膜片和充滿硅油或氟油的全密封的毛細(xì)管系統(tǒng)再被傳到δ室的隔離膜片...

3151差壓變送器用于測量液體、氣體、蒸汽的液位、密度和壓力，然后將其轉(zhuǎn)換成4～20 mA　DC的電流信號輸出。HART275手操器相互通訊，通過它進(jìn)行設(shè)定、監(jiān)...

一、產(chǎn)品簡介采用金屬密封的δ室作為感測元件，使變送器消除機(jī)械方式傳遞力時抗沖擊和振動差的問題；消除外部應(yīng)力和扭矩引起的誤差，保證變送器具有較高的穩(wěn)定性能，同時減...

被測介質(zhì)的壓力通過δ室的隔離膜片（LT和帶1199的DP/GP遠(yuǎn)傳變送器則是被測壓力先經(jīng)過一次隔離膜片和充滿硅油或氟油的全密封的毛細(xì)管系統(tǒng)再被傳到δ室的隔離膜片...

一、產(chǎn)品簡介采用金屬密封的δ室作為感測元件，使變送器消除機(jī)械方式傳遞力時抗沖擊和振動差的問題；消除外部應(yīng)力和扭矩引起的誤差，保證變送器具有較高的穩(wěn)定性能，同時減...

一、產(chǎn)品簡介采用金屬密封的δ室作為感測元件，使變送器消除機(jī)械方式傳遞力時抗沖擊和振動差的問題；消除外部應(yīng)力和扭矩引起的誤差，保證變送器具有較高的穩(wěn)定性能，同時減...

一、產(chǎn)品簡介1151型變送器具有非常豐富的品種，這些品種可以精確地測量微差壓至大差壓、低壓力至高壓力、液位、真空度和比重。配合節(jié)流裝置還可以測量流量，不采用開方...

3151差壓變送器用于測量液體、氣體、蒸汽的液位、密度和壓力，然后將其轉(zhuǎn)換成4～20 mA　DC的電流信號輸出。HART275手操器相互通訊，通過它進(jìn)行設(shè)定、監(jiān)...

3151GP壓力變送器具有非常豐富的品種，這些品種可以精確地測量微差壓至大差壓、低壓力至高壓力、液位、真空度和比重。配合節(jié)流裝置還可以測量流量，不采用開方器。法...

一、產(chǎn)品簡介1151型變送器具有非常豐富的品種，這些品種可以精確地測量微差壓至大差壓、低壓力至高壓力、液位、真空度和比重。配合節(jié)流裝置還可以測量流量，不采用開方...

3151差壓變送器用于測量液體、氣體、蒸汽的液位、密度和壓力，然后將其轉(zhuǎn)換成4～20 mA　DC的電流信號輸出。HART275手操器相互通訊，通過它進(jìn)行設(shè)定、監(jiān)...

一、產(chǎn)品簡介1151型變送器具有非常豐富的品種，這些品種可以精確地測量微差壓至大差壓、低壓力至高壓力、液位、真空度和比重。配合節(jié)流裝置還可以測量流量，不采用開方...

一、產(chǎn)品概述SH2188變送器由壓阻式傳感器和信號轉(zhuǎn)換模塊組成，傳感器的核心部件為單晶硅片，當(dāng)單晶硅片受壓時，本身的電阻率要發(fā)生變化，通過半導(dǎo)體平面工藝在硅片上...