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艾思荔模擬仿真測(cè)試設(shè)備資料大小
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832次高分子固體電容器高溫負(fù)荷測(cè)試、高溫貯存測(cè)試試驗(yàn)
| 序號(hào) | 項(xiàng) 目 | 主 要 特 性 | 測(cè) 試 方 法 | ||||
| 1 | 漏 電 流 | 小于0.01CU或0.5μA，取大值 | 25℃ ,施加額定電壓1分鐘漏電流串聯(lián)1KΩ電阻 | ||||
| C: 容量 （μF） V: 額定電壓 （V） | |||||||
| 2 | 容 量 | 標(biāo) 準(zhǔn) 容 量 | 頻率: 120±12Hz測(cè)試電壓:＜0.5rms +1.5 – 2.0VDC 測(cè)試電流: DC | ||||
| 3 | 損 耗 | 容 量 | |||||
| Cap（μF） | 0.1 - 1.0 | 0.1- .0 | 0.1 - 1.0 | ||||
| tgδ | 1.5 - 68 | 1.5 - 68 | 1.5 - 68 | ||||
| 當(dāng)＜4V, tgδ≤0.10 | |||||||
| 4 | 高溫負(fù)荷試CA42 85±2℃CA45 125±2℃ | 漏 電 流 | 不大于初始值 | 1000小時(shí)后，常溫常駐濕放1—2小時(shí)。 | |||
| 容量變化 | 初始值±10% | ||||||
| 損 耗 | 不大于初始值 | ||||||
| 外 觀 | 無可見傷痕 | ||||||
| 5 | 高溫貯存 （ 85±2℃） | 漏 電 流 | 不大于初始值 | 500h+4–0h ，85±2℃, 常溫常駐濕放1—2小時(shí)。 | |||
| 容量變化 | 初始值±10% | ||||||
| 損 耗 | 不大于初始值 | ||||||
| 外 觀 | 無可見傷痕 | ||||||
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