電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
一、gb/t2423 有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成：

 1 gb/t 2423.1-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗a: 低溫
 
2 gb/t 2423.2-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗b: 高溫
 
3 gb/t 2423.3-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗ca:恒定濕熱試驗方法
 
4 gb/t 2423.4-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗db: 交變濕熱試驗方法
 
5 gb/t 2423.5-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分：試驗方法 試驗ea和導(dǎo)則: 沖擊
 
6 gb/t 2423.6-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗eb和導(dǎo)則： 碰撞
 
7 gb/t 2423.7-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗ec和導(dǎo)則: 傾跌與翻倒 （主要用于設(shè)備型樣品）
 
8 gb/t 2423.8-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗ed: 自由跌落
 
9 gb/t 2423.9-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗cb: 設(shè)備用恒定濕熱
 
10 gb/t 2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗fc和導(dǎo)則: 振動（正弦）
 
11 gb/t 2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗fd: 寬頻帶隨機(jī)振動--一般要求
 
12 gb/t 2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗fda: 寬頻帶隨機(jī)振動--高再現(xiàn)性
 
13 gb/t 2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗fdb: 寬頻帶隨機(jī)振動 中再現(xiàn)性
 
14 gb/t 2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗fdc: 寬頻帶隨機(jī)振動 低再現(xiàn)性
 
15 gb/t 2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗ga和導(dǎo)則: 穩(wěn)態(tài)加速度
 
16 gb/t 2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗j和導(dǎo)則: 長霉
 
17 gb/t 2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗ka: 鹽霧試驗方法
 
18 gb/t 2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗--試驗kb:鹽霧, 交變（nacl溶液）
 
19 gb/t 2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗kc: 接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法
 
20 gb/t 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗kd: 接觸點和連接件的硫化氫試驗方法
 
21 gb/t 2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗 m: 低氣壓試驗方法
 
22 gb/t 2423.22-2002 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗n: 溫度變化
 
23 gb/t 2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 試驗q:密封
 
24 gb/t 2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗sa: 模擬地面上的太陽輻射
 
25 gb/t 2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗z/am: 低溫／低氣壓綜合試驗
 
26 gb/t 2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗z/bm: 高溫／低氣壓綜合試驗
 
27 gb/t 2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗z/amd:低溫/ 低氣壓 /濕熱連續(xù)綜合試驗方法
 
28 gb/t 2423.28-1982 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗t:錫焊試驗方法
 
29 gb/t 2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗u:引出端及整體安裝件強(qiáng)度
 
30 gb/t 2423.30-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗xa和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
 
31 gb/t 2423.31-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 傾斜和搖擺試驗方法
 
32 gb/t 2423.32-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 潤濕稱量法可焊性試驗方法
 
33 gb/t 2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗kca:高濃度二氧化硫試驗方法
 
34 gb/t 2423.34-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗z/ad: 溫度/ 濕度組合循環(huán)試驗方法
 
35 gb/t 2423.35-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗z/afc:散熱和非散熱試驗樣品的低溫/ 振動（正弦）綜合試驗方法
 
36 gb/t 2423.36-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗z/bfc:散熱和非散熱樣品的高溫/ 振動（正弦）綜合試驗方法
 
37 gb/t 2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗 l: 砂塵試驗方法
 
38 gb/t 2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗 r: 水試驗方法
 
39 gb/t 2423.39-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗ee: 彈跳試驗方法
 
40 gb/t 2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
 
41 gb/t 2423.41-1994 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 風(fēng)壓試驗方法
 
42 gb/t 2423.42-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 低溫/低氣壓/振動（正弦）綜合試驗方法
 
43 gb/t 2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊（ea） 、碰撞 （eb） 、振動（fc和fb）和穩(wěn)態(tài)加速度（ca）等動力學(xué)試驗中的安裝要求和導(dǎo)則
 
44 gb/t 2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗eg: 撞擊 彈簧錘
 
45 gb/t 2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗z/abdm：氣候順序
 
46 gb/t 2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗ef：撞擊 擺錘
 
47 gb/t 2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗fg: 聲振
 
48 gb/t 2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗ff: 振動--時間歷程法
 
49 gb/t 2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗fe: 振動--正弦拍頻法
 
50 gb/t 2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗
 
51 gb/t 2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗ke: 流動混合氣體腐蝕試驗
 
二、gb2421-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 總則
 
三、gb/t2422-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 術(shù)語
 
四、gb2424 

1.gb2424.1-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 高溫低溫試驗導(dǎo)則
 
2.gb/t2424.2-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 濕熱試驗導(dǎo)則
 
3.gb/t2424.9-90 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 長霉試驗導(dǎo)則
 
4.gb/t2424.10-93 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 大氣腐蝕加速試驗的通用導(dǎo)則
 
5.gb/t2424.11-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 接觸點和鏈接件的二氧化硫試驗導(dǎo)則
 
6.gb/t2424.12-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 接觸點和連接件的硫化氫試驗導(dǎo)則
 
7.gb/t2424.13-81 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 溫度變化試驗導(dǎo)則
 
8.gb/t2424.14-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 第2部分 ：試驗方法 太陽輻射試驗導(dǎo)則
 
9.gb/t2424.15-92 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 溫度/低氣壓綜合試驗導(dǎo)則 10.gb/t2424.17-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 錫焊試驗導(dǎo)則
 
11.gb/t2424.18-82 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 在清洗濟(jì)中浸漬試驗導(dǎo)則
 
12.gb/t2424.19-84 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 模擬儲存影響的環(huán)境試驗導(dǎo)則
 
13.gb/t2424.20-85 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 傾斜和搖擺試驗導(dǎo)則
 
14.gb/t2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 潤濕稱量法可焊性試驗導(dǎo)則
 
15.gb/t2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 溫度（低溫、高溫）和振動（正 玄）綜合試驗導(dǎo)則
 
16.gb/t2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 水試驗導(dǎo)則
 
17.gb/t2424.24-1995 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動（正玄）綜合試驗導(dǎo)則