近日富士通成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸小的1 Mb FRAM器件。MB85RS1MT為智能可穿戴設(shè)備提供了理想的內(nèi)存器件的選擇，除了可讓終端應(yīng)用產(chǎn)品的整體體積變小之外，更可讓整個系統(tǒng)在寫入數(shù)據(jù)時將功耗降至低，以延長系統(tǒng)工作時間。智能可穿戴設(shè)備是當(dāng)下的市場熱點(diǎn)，并以驚人的速度快速滲透和發(fā)展。智能可穿戴設(shè)備應(yīng)用涵蓋范圍廣闊且種類繁多，包括智能眼鏡、頭戴式顯示器、隱蔽式助聽器和智能脈搏計等，以及可記錄卡路里消耗量和運(yùn)算數(shù)據(jù)的活動記錄器如智能手環(huán)等。而在這些眾多智能可穿戴設(shè)備當(dāng)中，遠(yuǎn)傳磁翻板液位計持續(xù)的實(shí)時記錄數(shù)據(jù)亦是*的。
與一般的非揮發(fā)性內(nèi)存如EEPROM和閃存（Flash）等相比，富士通FRAM可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase) 周期，它的寫入速度為前者的1000倍以上，而功耗僅為其1/1000-1/100000，F(xiàn)RAM的使用壽命更是超過EEPROM和Flash10000倍以上，是實(shí)時存儲數(shù)據(jù)的理想選擇。為了在更廣泛的應(yīng)用中進(jìn)一步擴(kuò)大FRAM快速讀寫、高可靠性和低功耗的特點(diǎn)，富士通半導(dǎo)體在為1MB FRAM器件采用SOP封裝之后，更推出了其全新WL-CSP封裝版本（見圖一）。在采用WL-CSP封裝后，MB85RS1MT的體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，比SOP封裝體積小了95%（見圖二）---其面積比SOP封裝小了77%（見圖三），其厚度僅相當(dāng)于厚度的一半（見圖四）。低功耗作業(yè)是FRAM眾多優(yōu)點(diǎn)之一。相較于一般使用的EEPROM非揮發(fā)性內(nèi)存，F(xiàn)RAM寫入數(shù)據(jù)的速度也比較快，因此可在寫入數(shù)據(jù)時大幅降低功耗（如圖五）。基于此原因，為了實(shí)時記錄而需經(jīng)常性寫入數(shù)據(jù)的穿戴式裝置在采用此FRAM后，可擁有更佳電池續(xù)航力和更小體積的優(yōu)勢。
