— 產(chǎn)品特性 —
01.BL-HE-DH261是一個鎖存型的霍爾效應開關IC，采用的BiCMOS制程制造，具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和很
高的抗機械應力性能，產(chǎn)品工作溫度可以達到125℃。采用動態(tài)失調(diào)消除技術以及芯進電子保護的溫度
補償技術，大幅降低了由于封裝應力，環(huán)境溫度變化等因素造成的失調(diào)電壓，使產(chǎn)品磁靈敏度持高度的一致性。
02.BL-HE-DH261包含穩(wěn)壓輸出模塊，霍爾薄片，信號放大模塊，動態(tài)失調(diào)消除模塊以及帶有限流保護的功率輸
出級。當磁場南極靠近BL-HE-DH261TO標識面，磁場強度達到閾值時，功率管導通，輸出低電平。當磁場北極
靠近BL-HE-DH261TO標識面，磁場強度達到閾值時，功率管截止，輸出高電平。內(nèi)置的穩(wěn)壓輸出電路模塊可以
讓芯片工作在2.5V至28V電源電壓范圍。
03.BL-HE-DH261提供TO-92S和TSOT23-3兩種封裝，均符合RoHS規(guī)范，使用環(huán)境溫度范圍為-40~125℃。
— 產(chǎn)品介紹 —
— 產(chǎn)品尺寸 —
— 電氣特性 —
| 產(chǎn)品參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 平均值 | 值 | 單位 |
| 電源電壓 | VDD | -- | 2.5 | -- | 28 | V |
| 靜態(tài)電流 | IDD | 25℃，VDD=12V | -- | 2 | -- | mA |
| 輸出飽和電壓降 | VSAT | 25℃，Iout=20mA | -- | -- | 0.4 | V |
| 輸出限流值 | Ilimit | -- | 30 | -- | 60 | mA |
| 上升時間 | tr | RL =820?, CL=20pF | -- | 0.2 | -- | μs |
| 下降時間 | tf | RL =820K?, CL=20pF | -- | 0.1 | -- | μs |
| 反向電流 | IRDD | VDD=-40V | -- | -- | 5 | mA |
| 內(nèi)置上拉電阻阻值 | Rpullup | -- | -- | 15 | -- | K? |
— 應用產(chǎn)品 —