經(jīng)過(guò)60多年的發(fā)展，全球半導(dǎo)體材料出現(xiàn)了三次突破性的發(fā)展進(jìn)程。第一代半導(dǎo)體材料Si和Ge奠定了計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)化技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)奠定了信息技術(shù)的發(fā)展基礎(chǔ)。

目前正在快速發(fā)展的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AlN)、金剛石(C)等，主要面向新一代電力電子、微波射頻和光電子應(yīng)用，在新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)電子、新一代顯示等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的戰(zhàn)略高地。

我國(guó)的半導(dǎo)體材料和器件，長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口，其中高性能芯片*依賴(lài)進(jìn)口，受制于人的問(wèn)題突出。除芯片設(shè)計(jì)與制造能力薄弱外，半導(dǎo)體單晶硅和大量輔助材料的國(guó)產(chǎn)化水平不足，進(jìn)口依賴(lài)程度較高，如在電子氣體、光刻膠和拋光材料等3種典型輔助材料領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)的產(chǎn)品*分別僅占30%、10%、10%，亟需提升我國(guó)半導(dǎo)體關(guān)鍵原輔材料的自主保障能力。

如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系我司刪除！