這款
光刻是專業為半導體工藝和微電子激光處理設計的
高性能深紫外,適合超凈間使用,滿足掩膜版檢測,紫外光刻,半導體處理,激光測量等應用要求。
光刻采用的全金屬/陶瓷技術,從而獲得最長的激光壽命,不需要頻繁維護,全面滿足微電子和半導體工業超凈間應用要求。
光刻特點激光壽命高達100億次脈沖
激光穩定性高達1%
193nm單次ArF氣體注入可產生20億次激光脈寬
陽離子處理工藝適合超凈間使用
滿足SEMI S2標準
光刻 EX10SE規格參數(其它規格參數可提供)工作物質 | F2 | ArF | KrF | XeCl | XeF |
波長 nm | 157 | 193 | 248 | 308 | 351 |
能量. mJ | 3 | 20 | 35 | 15 | 15 |
能量范圍 mJ | 1-3 | 5-20 | 10-35 | 7-15 | 7-15 |
穩定能量200Hz | 2.5 | 15 | 30 | 15 | 12 |
平均功率W @300/600Hz | 0.6/1.2 | 4/7 | 6/12 | 3/6 | 3/6 |
穩定性標準偏移 | < 1% at max. repetition rate |
重復頻率, Hz | 300/600/1000 |
動態氣體壽命 | 200E6 | 200E6 | 500E6 | 100E6 | 300E6 |
靜態氣體壽命@ 50% 能量 | 15 days | 60 days | 90 days | >1 Year | 90 days |
脈寬, ns | 12-15 |
光束大小, mm | 5X 3 | 8 X 3 |
光束發散角(全角), mRad | 1 X 2 |
制冷 | 空氣 |
光學窗口服務間隔 | 500E6 | 300E6 | 1000E6 | 100E6 | 300E6 |