當前位置：江蘇久益電力設備有限公司>>公司動態>>SK海力士跨向1ynm內存時代
SK海力士近日宣布，將在提高代10nm級工藝(1xnm) DRAM內存芯片產能的同時，今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝(1ynm)的內存芯片，并為下代內存做好準備。SK海力士1ynm工藝產品將是8Gb DDR4-3200芯片，號稱相比1xnm工藝可將尺寸縮小20％，并將功耗降低15％。
此外，這顆新的芯片還具備四相時鐘機制，有利于提高信號強度、維持高頻穩定性，并支持感應放大控制技術(SAC)，有利于減少晶體管尺寸縮小時可能出現的數據錯誤。
有消息稱，SK海力士還會用1ynm工藝制造DDR5、LPDDR5、GDDR6內存芯片，所以盡早部署并量產非常關鍵。
其實，SK海力士是內存三*中后一家大規模上1ynm工藝的，三星、美光去年就用上了。
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供，信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責，儀表網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示：為規避購買風險，建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。
