上海屹持光電技術有限公司
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| 產地 | 進口 | 加工定制 | 否 |
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自由空間的太赫茲光電導天線由一個光電導天線和高阻硅透鏡封裝而成。我們通常使用低溫生產的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作為光電導材料。不同的光電導材料適用于不同的激發波長。
太赫茲光電導天線 低溫砷化鎵天線 太赫茲天線發射器
自由空間的太赫茲發射器由一個光電導天線和高阻硅透鏡封裝而成。我們通常使用低溫生產的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作為光電導材料。不同的光電導材料適用于不同的激發波長。
左圖：太赫茲光電導天線，右圖：太赫茲光電導發射天線電極結構
太赫茲光電導發射天線參數規格
| LT-GaAs太赫茲光電導天線 | GaBiAs太赫茲光電導天線 |
| 激發功率：<50mW, 典型值30mW | 激發功率：<20mW |
| 偏置電壓：<50V, 典型值40V | 偏置電壓：<50V，典型值40V |
| 集成高阻硅透鏡 | 集成高阻硅透鏡 |
| 激發波長：800±40nm | 激發波長：1050±40nm |
| 封裝XY二維調節架，調節范圍±3mm | 封裝XY二維調節架，調節范圍±3mm |
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自由空間太赫茲探測天線（太赫茲光電導天線）
左圖：封裝有電流放大器的太赫茲探測天線，右圖：探測天線電極結構
太赫茲光電導天線探測器參數規格
| LT-GaAs太赫茲光電導天線 | GaBiAs太赫茲光電導天線 |
| 激發功率：<50mW | 激發功率：<20mW |
| 集成預放大器 | 集成預放大器 |
| 集成高阻硅透鏡 | 集成高阻硅透鏡 |
| 探測太赫茲帶寬：5THz@100fs激光脈寬 | 探測太赫茲帶寬：5THz@70fs激光脈寬 |
| 太赫茲頻譜峰值位置：500GHz | 太赫茲頻譜峰值位置：500GHz |
| 激發波長：800±40nm | 激發波長：1060±40nm |
| 封裝XY二維調節架，調節范圍±3mm | 封裝XY二維調節架，調節范圍±3mm |
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Teravil太赫茲光電導天線結構圖，該結構設計中高阻硅透鏡的位置可以微調，從而可以調節輸出或者接收太赫茲的光束位置。在實際搭建太赫茲時域光譜儀系統的過程中非常方便實用。
Teravil太赫茲光電導天線產品型號列表
| 型號 | 太赫茲發射天線 | 太赫茲接收天線 | ||
| EMT-08 | EMT-10 | DET-08 | DET-10 | |
| 太赫茲光電導天線 | ||||
| 光電導天線襯底材料 | LT-GaAs | GaBiAs | LT-GaAs | GaBiAs |
| 光電導天線尺寸 | 5 × 1.5 mm | |||
| 厚度 | 600 µm | |||
| 光電導天線類型 | 線條型 | 偶極型 | ||
| 偏置電壓 | zui高50 V, 典型值40 V | ±12V | ||
| 太赫茲中心頻率 | ~0.5THz | 0.5THz | ||
| 可探測太赫茲光譜寬度 | / | / | 高至5THz | |
| 集成高阻硅透鏡 | ||||
| 材料 | 高阻抗硅材料HRFZ-Si | |||
| 透鏡類型 | 超半球，半球透鏡 | |||
| 太赫茲波輸出 | 平行光，或者發散光（根據封裝透鏡的類型而定） | |||
| X-Y可調節范圍 | ±3mm | |||
| 激發激光參數 | ||||
| 激發波長 | 800±40 nm | 1060±40 nm | 800±40 nm | 1060±40 nm |
| 平均功率 | <50 mW | <20 mW | <50 mW | <20 mW |
| 脈沖寬度 | <150 fs | |||
| 重復頻率 | 20-100 MHz | |||
| 光束輪廓 | 高斯形光束 | |||
| 光束直徑 | ~2mm | |||
型號列表
| 型號 | 描述 | |
| EMT-8 | 800nm太赫茲發射天線 | 封裝硅透鏡，配送同軸線BNC接頭 |
| DET-8 | 800nm太赫茲接收天線 | 封裝硅透鏡，配送同軸線BNC接頭 |
| DET-8-PAM | 800nm太赫茲接收天線內置前置放大器 | 封裝硅透鏡，配送同軸線BNC接頭，內置前置放大器 |
| EMT-10 | 1060nm太赫茲發射天線 | 封裝硅透鏡，配送同軸線BNC接頭 |
| EMT-10 | 1060nm太赫茲接收天線 | 封裝硅透鏡，配送同軸線BNC接頭 |
| MNT | 太赫茲發射接收天線安裝架 | 包含用于聚焦激發光的透鏡，該透鏡安裝在一個XYZ三維調節架上 |
| TMS-100 | 偏置電壓發生器 | 30-70V直流或方波電壓 |
| PAM | 前置放大器（帶電源） | 電壓-電流轉換器，10^6V/A增益 |
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