【儀表網 儀表標準】根據國家巿場監督管理總局下達的國家計量技術規范制修訂計劃，全國光學計量技術委員會已完成《硅光電倍增器參數》國家計量技術規范的征求意見稿。為了使國家計量技術規范能廣泛適用和更具操作性，特向全國有關單位征求意見和建議。
 

　　SiPM 實質上是在硅片上以并聯形成集成的成千上萬個工作在蓋格模式下的探測器。相較于傳統光電倍增管，優勢在于其具有更大的增益、更高的光子探測效率、更寬的動態范圍和更快的響應速度，特別是其增益對磁場不敏感。
 

　　SiPM 的應用效果依賴其性能，如何表征 SiPM 不僅是 SiPM 應用者更是 SiPM 研發人員必須面對的課題。全面表征 SiPM 的性能可引入的光電參量很多。電學性能主要體現在其 IV 特性，包括擊穿電壓、過偏壓、增益、光學串話率、后脈沖率、恢復時間等；光學性能主要包括暗計數、光子探測效率、動態范圍、單光子時間分辨率等。從應用和研發角度講，電學性能參數主要體現 SiPM 的工作狀態，而才更能體現品質。因此本規范將校準的對象聚焦在 SiPM 的光學性能參數上。
 

　　本規范為初次制定。JJF 1001《通用計量術語及定義》、JJF 1032《光學輻射計量名詞術語及定義》、JJF 1059.1《測量不確定評定與表示》和 JJF 1071《國家計量校準規范編寫規則》共同構成支撐本規范編訂的基礎性系列規范。
 

　　依據 JJF 1071《國家計量校準規范編寫規則》，本規范主要內容包括：范圍；術語；概述；計量特性；校準條件；外觀要求；校準方法；校準結果；復校時間間隔以及附錄A、B、C、D等內容。
 

　　校準環境條件：
 

　　校準環境溫度23℃±5℃；相對濕度<70%。校準環境應備置遮光設施，防止其它強光源直射校準設備。
 

　　測量標準及其他設備：
 

　　用于硅光電倍增器參數校準的設備包括：已知響應度的光電倍增管(PMT)或硅光電池(PIN)、三窗積分球、發光二極管、激光器、發光二極管(LED)、信號發生器、微電流計、高速示波器、穩壓電源、高壓電源。
 

　　校準結果：
 

　　校準結果應在校準證書上反映。校準證書應至少包括以下信息：a)標題：“校準證書”；b)實驗室名稱和地址；c)進行校準的地點(如果與實驗室的地址不同)；d)證書的唯一性標識(如編號)，每頁及總頁數的標識；e)客戶的名稱和地址；f) 被校對象的描述和明確標識；g)進行校準的日期，如果與校準結果的有效性和應用有關時，應說明被校對象的接收日期；h)如果與校準結果的有效性應用有關時，應對被校樣品的抽樣程序進行說明；i) 校準所依據的技術規范的標識，包括名稱及代號；j) 本次校準所用測量標準的溯源性及有效性說明；k)校準環境的描述；l) 校準結果及其測量不確定度的說明；m) 對校準規范的偏離的說明；n)校準證書或校準報告簽發人的簽名、職務或等效標識；o)校準結果僅對被校準對象有效的聲明；未經實驗室書面批準，不得部分復制證書的聲明。
 

　　復校時間間隔：
 

　　硅光電倍增器的建議復校時間間隔為二年。由于器件保持量值穩定性的狀況不但與器件自身的品質相關，也與器件的保存和使用條件以及使用者的水平等諸多因素緊密關聯，因此，送校單位可根據實際使用情況自主決定硅光電倍增器的復校時間間隔。
 

　　本規范適用于寬波段輻照計的校準。