雙向可控硅-產品判別        

電路示意圖雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。 
 

1.單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。

對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發電流太大或損壞。對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。

對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

雙向可控硅-測量方法      

塑封可控硅在實際應用時，規定采用I+、I-、Ⅲ-三種方式，且以I+和Ⅲ-兩種方式用得zui廣，下面采用這兩種方式進行判別，并以zui常見的小功率雙向可控硅為例。 
 

(1)判別電極首先確定T2：兩支表棒隨意接觸管子的任意兩個電極，并輪流改換接法，直至找到顯示值為0．1～1V(該電壓在此記為T1與G之間的壓降Ugt1)時，空置的電極即為T2。 

其次確定T1與G2用紅表棒接觸T2，黑表棒接觸其余兩極中的任一個(暫且假定為T1)，萬用表應顯示溢出。接著將紅表棒滑向另一電極(暫且假定為G)，使得紅表棒短接這兩個電極，如果顯示值比Ugt1略低，說明管子已被觸發導通(I+觸發方式)，證明以上假定成立，即黑表棒接的即是T1。如果在紅表棒滑向另—極后顯示值為Ugt1，則只需將黑表棒改接至另一未知極重復上述步驟，定能得出正確結果。 

(2)觸發性能判別雙向晶閘管需要考察兩個方向的工作狀況，下面分別介紹。 

紅表棒接T2，黑表棒接T1，此時應顯示溢出(關斷狀態)。把紅表棒滑向G，并且使T2與G這兩極接通，此時管子將進入導通狀態，應顯示比Ugt1略低的數值。接著，在紅表棒不斷開T2的前提下而脫離G，對于觸發靈敏度高、維持電流小的管子來說，此時管子仍然維持導通狀態，顯示值比觸發導通時的略大，但低于Ugt1。 

再用紅表棒接觸T1、黑表棒接解T2，此時應顯示溢出。在黑表棒短接T2、G兩極時，管子將導通，顯示值比Ugt1略低。與上個方向相同，當黑表棒脫離G后，那些觸發靈敏度高、維持電流小的管子將仍然保持導通狀態。 

實測一只TO-220封裝的雙向晶閘管BCR3AM(3A／600V)，首先判別電極：紅、黑表棒在管子任意兩電極間測量，當測得為0．578V即Ugt1時，便確定未與表棒相接的一極為T2。該管子本身帶有一塊小型散熱片，通常它與T2極相連，此特征也可作為判別T2的依據。作為驗證，測得T2與散熱片間為0V，故T2判別正確。又將紅表棒接T2，黑表棒任接其余兩極之一，此時顯示溢出。在紅表棒短接T2和懸空的電極時顯示0．546V，該電壓小于Ugt1=0．578V，故黑表棒所接為T1，另一極則為G。 

觸發性能判別：紅表棒接T2、黑表棒接T1，顯示溢出(管子關斷)。使紅表棒短接T2與G，此時顯示0．546V(管子導通)，當紅表棒脫離G極時顯示0．558V，顯然，該值大于導通電壓，而又小于Ugt1，管子處于維持導通狀態。在檢測相反方向的觸發性能時，所得結果與上述極為接近，證明管子性能良好。 

雙向可控硅-參數符號        
IT(AV)--通態平均電流 VDRM--通態重復峰值電壓 
VRRM--反向重復峰值電壓 IRRM--反向重復峰值電流 
IDRM--斷態重復峰值電流 IF(AV)--正向平均電流 
VTM--通態峰值電壓 Tjm--額定結溫 
VGT--門極觸發電壓 VISO--模塊絕緣電壓 
IH--維持電流 Rthjc--結殼熱阻 
IGT--門極觸發電流 di/dt--通態電流臨界上升率 
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流 dv/dt--斷態電壓臨界上升率 
 

雙向可控硅-產品判別        

電路示意圖雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。 
 

1. 單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。
   
   2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。
   
   對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發電流太大或損壞。對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。
   
   對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。
   
   雙向可控硅-測量方法      

塑封可控硅在實際應用時，規定采用I+、I-、Ⅲ-三種方式，且以I+和Ⅲ-兩種方式用得zui廣，下面采用這兩種方式進行判別，并以zui常見的小功率雙向可控硅為例。 
 

(1)判別電極首先確定T2：兩支表棒隨意接觸管子的任意兩個電極，并輪流改換接法，直至找到顯示值為0．1～1V(該電壓在此記為T1與G之間的壓降Ugt1)時，空置的電極即為T2。 

其次確定T1與G2用紅表棒接觸T2，黑表棒接觸其余兩極中的任一個(暫且假定為T1)，萬用表應顯示溢出。接著將紅表棒滑向另一電極(暫且假定為G)，使得紅表棒短接這兩個電極，如果顯示值比Ugt1略低，說明管子已被觸發導通(I+觸發方式)，證明以上假定成立，即黑表棒接的即是T1。如果在紅表棒滑向另—極后顯示值為Ugt1，則只需將黑表棒改接至另一未知極重復上述步驟，定能得出正確結果。 

(2)觸發性能判別雙向晶閘管需要考察兩個方向的工作狀況，下面分別介紹。 

紅表棒接T2，黑表棒接T1，此時應顯示溢出(關斷狀態)。把紅表棒滑向G，并且使T2與G這兩極接通，此時管子將進入導通狀態，應顯示比Ugt1略低的數值。接著，在紅表棒不斷開T2的前提下而脫離G，對于觸發靈敏度高、維持電流小的管子來說，此時管子仍然維持導通狀態，顯示值比觸發導通時的略大，但低于Ugt1。 

再用紅表棒接觸T1、黑表棒接解T2，此時應顯示溢出。在黑表棒短接T2、G兩極時，管子將導通，顯示值比Ugt1略低。與上個方向相同，當黑表棒脫離G后，那些觸發靈敏度高、維持電流小的管子將仍然保持導通狀態。 

實測一只TO-220封裝的雙向晶閘管BCR3AM(3A／600V)，首先判別電極：紅、黑表棒在管子任意兩電極間測量，當測得為0．578V即Ugt1時，便確定未與表棒相接的一極為T2。該管子本身帶有一塊小型散熱片，通常它與T2極相連，此特征也可作為判別T2的依據。作為驗證，測得T2與散熱片間為0V，故T2判別正確。又將紅表棒接T2，黑表棒任接其余兩極之一，此時顯示溢出。在紅表棒短接T2和懸空的電極時顯示0．546V，該電壓小于Ugt1=0．578V，故黑表棒所接為T1，另一極則為G。 

觸發性能判別：紅表棒接T2、黑表棒接T1，顯示溢出(管子關斷)。使紅表棒短接T2與G，此時顯示0．546V(管子導通)，當紅表棒脫離G極時顯示0．558V，顯然，該值大于導通電壓，而又小于Ugt1，管子處于維持導通狀態。在檢測相反方向的觸發性能時，所得結果與上述極為接近，證明管子性能良好。 

雙向可控硅-參數符號        
IT(AV)--通態平均電流 VDRM--通態重復峰值電壓 
VRRM--反向重復峰值電壓 IRRM--反向重復峰值電流 
IDRM--斷態重復峰值電流 IF(AV)--正向平均電流 
VTM--通態峰值電壓 Tjm--額定結溫 
VGT--門極觸發電壓 VISO--模塊絕緣電壓 
IH--維持電流 Rthjc--結殼熱阻 
IGT--門極觸發電流 di/dt--通態電流臨界上升率 
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流 dv/dt--斷態電壓臨界上升率