電容電壓特性測試儀 型號:THZ24-CV-5000庫號：M408361   查看hh MOS（金屬－氧化物－半導體）結構的電容是外加偏置電壓的函數，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C－V特性）。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統中的電荷密度有關系。 利用實際測量到的MOS結構的C-V曲線與理想的MOS結構的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數。 另外作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結勢壘區變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結勢壘區變寬，勢壘電容變小。CV-5000型電容電壓特性測試儀是測試頻率為1MHz的數字的電容測試儀器，既可用于測試半導體器件PN結的勢壘電容在不同偏壓下的電容量，也可進行Mos電容的外加電壓掃描測試，還可測試其它MIS電容。 該電容電壓特性測試系統由主機和上位機（PC）組成，并在軟件控制下完成校準及測試等功能，同時顯示C-V電容電壓特性曲線。主機面板上的發光二極管指示儀器的工作狀態，用數碼管組成的顯示板，將被測元件的數值，小數點清晰地顯示出來。儀器有分辨率，電容量是五位讀數，可分辮到0.001pF，偏置電壓分辨力為0.1V，漏電流分辨力為0.01uA。 儀器配有CV-5000型測量座，接插元件方便。 本儀器測量操作簡便。可應用于元件廠，科研部門，高等院校等各個部門。CV-5000型電容電壓特性測試系統是一個運行在計算機上擁有測試界面的用戶程序，程序操作易用。測試程序在計算機與CV-5000型電容電壓特性測試測試儀連接的狀態下，通過計算機的USB口實現通訊。 測試程序控制電容電壓特性測試測試儀進行測量并采集測試數據，把采集到的數據在計算機中加以分析，然后把測試數據以表格，圖形記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數據在計算機中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數據輸出到Excel中，讓用戶對數據進行數據分析。 技　術　指　標 ： 測試信號頻率  1.000MHz±0.01%； 測試信號電壓 小于或等于100mVrms； 電容測量范圍 1.000pF～5000.0pF； 工作 ±3.0%±2字； 直流偏壓 -35V～+35V（可擴展），由軟件按設定步進電壓值輸出偏置電壓； 軟件功能 由軟件控制電壓的掃描輸出，讀取不同電壓點的電容值并在電腦中繪出電容-電壓的變化曲線；軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數據，也可把測試數據輸出到Excel中，對數據進行各種數據分析。 電腦通訊接口 USB通訊接口； 應用 應用于MOS摻雜和PN結摻雜的C-V特性測量，也可測試其它MIS電容等。MOS（金屬－氧化物－半導體）結構的電容是外加偏置電壓的函數，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C－V特性）。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統中的電荷密度有密切的關系。 利用實際測量到的MOS結構的C-V曲線與理想的MOS結構的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數 附送實驗樣品 P型MOS實驗樣品、N型MOS實驗樣品、PN摻雜實驗樣品 供電電源 交流電壓：220V±5%； 頻率： 50Hz±5%； 消耗功率：不大于40W； 工作環境 溫度：0—40℃； 濕度：20%~90%RH 40℃；