對(duì)于140DDO35300來(lái)說(shuō),為zui大限度壓縮成本,與次優(yōu)IP(常稱為“免費(fèi)IP”)相比,設(shè)計(jì)師更愿選擇“節(jié)省空間”的IP參數(shù)。盡管有許多存儲(chǔ)器IP參數(shù)可供設(shè)計(jì)師免費(fèi)選用,但在產(chǎn)品的整體收益性上,卻并不總是存在經(jīng)濟(jì)性的解決方案。在很多情況下,與“免費(fèi)”存儲(chǔ)器IP相比,通過(guò)改善獲批的嵌入式存儲(chǔ)器IP的密度與性能來(lái)壓縮制造成本,其效果更為顯著。
140DDO35300在產(chǎn)品的整個(gè)壽命過(guò)程中,存儲(chǔ)器體積的優(yōu)化對(duì)量產(chǎn)成本的影響如表1所示。本表中,存儲(chǔ)器IP所占用的芯片空間以百分比表示。可通過(guò)芯片成本、量產(chǎn)效率以及產(chǎn)品壽命,計(jì)算高密度存儲(chǔ)器的成本壓縮效果。節(jié)省的IP空間根據(jù)圖4得出。從圖中可以看出,1T和6T存儲(chǔ)器的密度增量比值約為2:1.
表1:高密度IP與成本節(jié)約
140DDO35300嵌入式存儲(chǔ)器IP選用指南
為讓您對(duì)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)中的可選要素有一個(gè)了解,現(xiàn)將帶有部分功能的收費(fèi)嵌入式存儲(chǔ)器類型總結(jié)如下。
140DDO35300單端口(6T)和雙端口(8T)SRAMIP
由于這類存儲(chǔ)器架構(gòu)大多適用于主流CMOS制造流程,無(wú)需額外的流程環(huán)節(jié),因此基于傳統(tǒng)6T存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊已成為ASIC/SoC制造中的主流。6T存儲(chǔ)單元采用了經(jīng)過(guò)實(shí)踐檢驗(yàn)的由晶圓代工廠生產(chǎn)的可用于高速度、低功耗設(shè)計(jì)的6T/8T位單元,是大規(guī)模程序或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器塊的理想器件。6T存儲(chǔ)單元可用于存儲(chǔ)能力從幾位到幾兆位的存儲(chǔ)陣列。
根據(jù)設(shè)計(jì)師是采用針對(duì)高性能還是針對(duì)低功耗優(yōu)化的CMOS流程,采用此種結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)陣列,經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì),可滿足多種不同的性能需求。經(jīng)高性能CMOS流程制造的SRAM塊,在功耗得到降低的同時(shí),在40nm和28nm等高級(jí)流程節(jié)點(diǎn)的存取時(shí)間可降低到1ns以下。隨著流程節(jié)點(diǎn)的推進(jìn),外形尺寸的縮小,采用傳統(tǒng)6T存儲(chǔ)單元構(gòu)建的靜態(tài)RAM,其單元尺寸將更小,存取用時(shí)也更短。
140DDO35300存儲(chǔ)單元的靜態(tài)特性使其可保留zui小數(shù)目的支持電路,只需要對(duì)地址進(jìn)行解碼,并向解碼器、傳感和計(jì)時(shí)電路的設(shè)計(jì)提供信號(hào)即可。
140DDO35300單端口(6T)和雙端口(8T)寄存器文件IP
對(duì)于快速處理器緩存和較小的存儲(chǔ)器緩沖(zui高約每個(gè)宏塊72Kbit)來(lái)說(shuō),這類寄存器文件存儲(chǔ)器IP是個(gè)不錯(cuò)的選擇。寄存器同時(shí)具備占用空間zui小、性能zui快等特點(diǎn)。
140DDO35300單層可編程ROMIP
這種結(jié)構(gòu)功耗和速度均相對(duì)較低,特別適用于空間有限的微碼的存儲(chǔ),固定數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),或體積穩(wěn)步遞增的應(yīng)用程序的存儲(chǔ)。這類IP可支持多芯片組和不同長(zhǎng)寬比,既縮小了芯片體積,又獲得了*速度。為加快設(shè)計(jì)周期,部分IP還提供了用以驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器編譯器的編程腳本語(yǔ)言。
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